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IC datasheet pdf-SRC4382,pdf(Two-Channel, Asynchronous Sample Rate Converter)
导读：SBFS030CCJANUARY2006CREVISEDSEPTEMBER2007ELECTRICALCHARACTERISTICS:I2CStandardandFastModesAllspecificationsareatTA=+25C,VDD18=+1.8V,VDD33=+3.3V,VIO=+3.3V,andVCC=+3SBFS030CCJANUARY2006CREVISEDSEPTEMBER2007ELECTRICALCHARACTERISTICS:I2CStandardandFastModesAllspecificationsareatTA=+25C,VDD18=+1.8V,VDD33=+3.3V,VIO=+3.3V,andVCC=+3.3V,unlessotherwisenoted.SRC4382PARAMETERHOSTINTERFACE:I2CStandardMode(1)SCLClockFrequency,fSCLHoldTimeRepeatedSTARTCondition,tHDSTALowPeriodofSCLClock,tLOWHighPeriodofSCLClock,tHIGHSetupTimeRepeatedSTARTCondition,tSUSTADataHoldTime,tHDDATDataSetupTime,tSUDATRiseTimeforBothSDAandSDL,tRFallTimeforBothSDAandSDL,tFSetupTimeforSTOPCondition,tSUSTOBusFreeTimeBetweenSTARTandSTOP,tBUFCapacitiveLoadforEachBusLine,CBNoiseMarginatLowLevel(includinghysteresis),VNLNoiseMarginatHighLevel(includinghysteresis),VNHHOSTINTERFACE:I2CFastMode(1)SCLClockFrequency,fSCLHoldTimeRepeatedSTARTCondition,tHDSTALowPeriodofSCLClock,tLOWHighPeriodofSCLClock,tHIGHSetupTimeRepeatedSTARTCondition,tSUSTADataHoldTime,tHDDATDataSetupTime,tSUDATRiseTimeforBothSDAandSDL,tRFallTimeforBothSDAandSDL,tFSetupTimeforSTOPCondition,tSUSTOBusFreeTimeBetweenSTARTandSTOP,tBUFSpikePulseWidthSuppressedbyInputFilter,tSPCapacitiveLoadforEachBusLine,CBNoiseMarginatLowLevel(includinghysteresis),VNLNoiseMarginatHighLevel(includinghysteresis),VNH0.1?VIO0.2?VIO00.61.30.60.60(2)CONDITIONSMINTYPMAXUNITS044.744.70(2)100kHzμsμsμsμs3.45(3)μsnsnsnsμsμs250100030044.74000.1?VIO0.2?VIOpFVV400kHzμsμsμsμs0.9(5)(3)μsnsnsnsμsμs100(4)20+0.2CB0.61.3020+0.2CB(5)nspFVV(1)(2)(3)(4)(5)AllvaluesreferredtotheVIHminimumandVILmaximumlevelslistedintheDigitalI/OCharacteristicssectionoftheElectricalCharacteristics:General,SRC,DIR,andDITtable.Adevicemustinternallyprovideaholdtimeofatleast300nsfortheSDAsignal(referredtotheVIHminimuminputlevel)tobridgetheundefinedregionofthefallingedgeofSCL.ThemaximumtHDDAThasonlytobemetifthedevicedoesnotstretchtheLowperiod(tLOW)oftheSCLsignal.AFastmodeI2CbusdevicecanbeusedinaStandardmodeI2Cbussystem,buttherequirementthattSUDATbe250nsminimummustthenbemet.FortheSRC4382,thisisautomaticallythecase,sincethedevicedoesnotstretchtheLowperiodoftheSCLsignal.CBisdefinedasthetotalcapacitanceofonebuslineinpicofarads(pF).IfmixedwithHigh-Speedmodedevices,fasterfalltimesareallowed.Copyright?,TexasInstrumentsIncorporatedSubmitDocumentationFeedbackProductFolderLink(s):SRC43827SRC4382SBFS030CCJANUARY2006CREVISEDSEPTEMBER2007ELECTRICALCHARACTERISTICS:PowerSuppliesAllspecificationsareatTA=+25C,VDD18=+1.8V,VDD33=+3.3V,VIO=+3.3V,andVCC=+3.3V,unlessotherwisenoted.SRC4382PARAMETERPOWERSUPPLIESRecommendedSupplyVoltageRangeVDD18VDD33VIOVCCSupplyCurrent:InitialStartupIDD18SIDD33SIIOSICCSSupplyCurrent:QuiescentIDD18QIDD33QIIOQICCQSupplyCurrent:DynamicIDD18DIDD33DIIOD(1)CONDITIONSMINTYPMAXUNITS+1.65+3.0+1.65+3.0AllBlocksPoweredDownbyDefaultVDD18=+1.8VVDD33=+3.3VVIO=+3.3VVCC=+3.3VAllBlocksPoweredUpwithNoClocksAppliedVDD18=+1.8VVDD33=+3.3VVIO=+3.3VVCC=+3.3VAllBlocksPoweredUp,fS=48kHzVDD18=+1.8VVDD33=+3.3VVIO=+3.3VVCC=+3.3VAllBlocksPoweredUp,fS=192kHzVDD18=+1.8VVDD33=+3.3VVIO=+3.3VVCC=+3.3VAllBlocksPoweredDownbyDefaultAllBlocksPoweredUpwithNoClocksAppliedAllBlocksPoweredUp,fS=48kHzAllBlocksPoweredUp,fS=192kHz+1.8+3.3+3.3+3..50.276.+1.95+3.6+3.6+3.6VVVVμAμAμAμAmAmAmAmAmAmAmAmAmAmAmAmAmWmWmWmWICCDSupplyCurrent:HighSamplingRateIDD18HIDD33HIIOH(1)ICCHTotalPowerDissipation:InitialStartupTotalPowerDissipation:QuiescentTotalPowerDissipation:DynamicTotalPowerDissipation:HighSamplingRate(1)ThetypicalVIOsupplycurrentismeasuredusingtheSRC4382EVMevaluationmodulewithloadingfromtheDAIMBmother-boardcircuitry.VIOsupplycurrentwillbedependentupontheloadingonthelogicoutputpins.8SubmitDocumentationFeedbackProductFolderLink(s):SRC4382Copyright?,TexasInstrumentsIncorporatedSBFS030CCJANUARY2006CREVISEDSEPTEMBER2007TIMINGDIAGRAMSLRCKtBCKHBCKtAIStBCKLSDINtAIHtAODSDOUTFigure1.AudioSerialPortTimingtCFCSCStCSCRtCDSCCLKtCDHCD??NIHi??ZCDOUTtCFDOHi??ZtCSZFigure2.SPIInterfaceTimingtFSDAtLOWSCLtHDSTASS??=??StartConditiontHDDATtHIGHRR??=??Repeated??StartConditiontSUSTAPP??=??StopConditiontSUSTOStRtSUDATtFtHDSTAtSPtRtBUFFigure3.I2CStandardandFastModeTimingCopyright?,TexasInstrumentsIncorporatedSubmitDocumentationFeedbackProductFolderLink(s):SRC43829SRC4382SBFS030CCJANUARY2006CREVISEDSEPTEMBER2007PINCONFIGURATIONSDOUTBSDOUTATop??ViewTQFPDGND3LRCKBLRCKASDINBSDINABGNDBCKBRX1+1RX1-2RX2+3RX2-4RX3+5RX3-6RX4+7RX4-8VCC9AGND10LOCK11RXCKO24BCKA36SYNC35BLS34AESOUT33VDD3332TX+31TX-30DGND229GPO428GPO327GPO226GPO125MCLKVIOSRC4382DGND1RXCKICPMNCMUTEVDD18CDINCSINTNC??=??No??ConnectionPINDESCRIPTIONSNAMERX1+RX1CRX2+RX2CRX3+RX3CRX4+RX4CVCCAGNDLOCKRXCKORXCKIMUTERDYDGND1VDD18CPMCSorA0CCLKorSCLCDINorA1CDOUTorSDAPINNUMBERI/OInputInputInputInputInputInputInputInputPowerGroundOutputOutputInputInputOutputGroundPowerInputInputInputInputI/ODESCRIPTIONLineReceiver1,NoninvertingInputLineReceiver1,InvertingInputLineReceiver2,NoninvertingInputLineReceiver2,InvertingInputLineReceiver3,NoninvertingInputLineReceiver3,InvertingInputLineReceiver4,NoninvertingInputLineReceiver4,InvertingInputDIRComparatorandPLLPowerSupply,+3.3VNominalDIRComparatorandPLLPower-SupplyGroundDIRPLLLockFlag(activeLow)DIRRecoveredMasterClock(tri-stateoutput)DIRReferenceClockSRCOutputMute(activeHigh)SRCReadyFlag(activeLow)DigitalCoreGroundDigitalCoreSupply,+1.8VNominalControlPortMode,0=SPIMode,1=I2CModeChipSelect(activeLow)forSPIModeorProgrammableSlaveAddressforI2CModeSerialDataClockforSPIModeorI2CModeSPIPortSerialDatainputorProgrammableSlaveAddressforI2CModeSPIPortSerialDataOutput(tri-stateoutput)orSerialDataI/OforI2CModeCopyright?,TexasInstrumentsIncorporated10SubmitDocumentationFeedbackProductFolderLink(s):SRC4382SBFS030CCJANUARY2006CREVISEDSEPTEMBER2007PINDESCRIPTIONS(continued)NAMEINTRSTMCLKGPO1GPO2GPO3GPO4DGND2TXCTX+VDD33AESOUTBLSSYNCBCKALRCKASDINASDOUTANCVIODGND3BGNDSDOUTBSDINBLRCKBBCKBPINNUMBER4748I/OOutputInputInputOutputOutputOutputOutputGroundOutputOutputPowerOutputI/OOutputI/OI/OInputOutput―PowerGroundGroundOutputInputI/OI/ODESCRIPTIONInterruptFlag(open-drain,activeLow)Reset(activeLow)MasterClockGeneral-PurposeOutput1General-PurposeOutput2General-PurposeOutput3General-PurposeOutput4DIRLineReceiverBiasandDITLineDriverDigitalGroundDITLineDriverInvertingOutputDITLineDriverNoninvertingOutputDIRLineReceiverBiasandDITLineDriverSupply,+3.3VNominalDITBufferedAES3-EncodedDataDITBlockStartClockDITinternalSyncClockAudioSerialPortABitClockAudioSerialPortALeft/RightClockAudioSerialPortADataInputAudioSerialPortADataOutputNoInternalSignalConnection,InternallyBondedtoESDPadLogicI/OSupply,+1.65Vto+3.6VLogicI/OGroundSubstrateGround,ConnecttoAGND(pin10)AudioSerialPortBDataOutputAudioSerialPortBDataInputAudioSerialPortBLeft/RightClockAudioSerialPortBBitClockCopyright?,TexasInstrumentsIncorporatedSubmitDocumentationFeedbackProductFolderLink(s):SRC438211包含总结汇报、教学研究、高中教育、人文社科、计划方案、外语学习、经管营销、资格考试以及IC 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2017最新热门库存57IC datasheet pdf-AN1131 pdf,datasheet
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57IC datasheet pdf-AN1131 pdf,datasheet
ApplicationNoteAN-1131；采用IRS2541的全电压输入（90VAC－26；目录；１.介绍....................；新兴应用中的快速增长将会增加对照明二极管的驱动要；这个应用笔记描述了一个运用IRS2541LED驱；此应用笔记遵循LED厂商的指导方针串联连接LED；AN-11311；１）典型的LEDI
Application Note AN-1131采用IRS2541的全电压输入（90VAC－265VAC）LED驱动目录１
.................................................................................................................................1
电路描述 .........................................................................................................................2
器件选择 .........................................................................................................................4
电特性 .............................................................................................................................5
.................................................................................................................................8
效率，功率损失和温度因素 .........................................................................................8
其他设计考虑 ...............................................................................................................11
7.1开路／过压保护
...................................................................................................11
问题..............................................................................................13
３　布板 ................................................................................................................13
设计程序总结8.
.................................................................................................................14
１.介绍新兴应用中的快速增长将会增加对照明二极管的驱动要求。LED已经证明可以取代低效灯源。LED的优点包括：极长的寿命，小尺寸，灵活的设计，工艺效果，节省维护成本，节约能源和安全低压工作。经过长期的降低成本和增加效率，LED受到青睐。这个应用笔记描述了一个运用IRS2541 LED驱动IC的全电压输入（90-265VAC)LED驱动。IRS2541是一个高压，高频，降压控制器，提供恒流LED电流调节。他结合了连续模式，延时滞环降压调节器，直接控制平均负载电流，通过运用准确的片内电压差参考。LED要求驱动具有高温下恒流控制，输入电压和制造变化以及调光能力和适当的故障保护等特定性能。IRS2541就是明确具有以上要求的IC。此应用笔记遵循LED厂商的指导方针串联连接LED，因为： AN-11311
１）典型的LED I-V曲线很陡。二极管压降的小变化意味电流的大变化。因为LED亮度会随着电流呈线性变化，因此电压的小变化引起LED亮度的急剧变化。因此，如果驱动电路控制了流到LED电流而非LED上的电压，就会达到LED亮度更稳定的控制。IRS2541就这样操作。２）电压误差，温度依赖性和LEDs本身所具有的负温度系数，当LED并联时，均流是一个挑战。当两个二极管并联其中一个高温略高，此二极管将流过更多的电流，使它变的更热。最终，热的二极管热到一定程度，它流过大部分电流而过早失效。此外，不同的温度和电压降使LEDs的亮度不同。不同的电压降会导致不平均的电流。串联LEDs提供一个可能的解决方案因为串联LEDs比并联LEDs可以更平均的用到电流。２.电路描述这个应用笔记将描述一个用IRS2541 LED IC设计的90-265 VAC LED驱动。电路是用220 VAC输入，产生一个16V到35V的输出电压，并提供350mA的可编程负载电流。此设计可驱动6到12个串联LEDs。为评估其效果，此设计用了LUXEON Flood LED。Future电子可以提供，这些Lumileds flood 板的最大电流是700mA，16V到24V的击穿电压。VOUT+BR1DVCCRS1DBOOTRS2IC1VCCRS3LF1LFDCLAMPROV1CVCC1VBCOUTVOUT-HOIRS2541COMRG1CBOOTCFNCBUS2CBUS1DOVCVCC2IFBM1L1VSLOENNROV2CENRFRCSROUTCFCOMENDEN1图2.1：IRS2541 LED驱动原理图 AN-11312
序号9303132描述型号制造厂NichiconBC ComponentsBC ComponentsNichiconBC ComponentsPanasonicDigi-keyDiodes IncIRDiodes IncDiodes IncVOGTRohmPanasonicRohmPanasonicPanasonicPhoenix Passive Phoenix Passive Phoenix Passive Phoenix Passive IRIRIERCBerquistBerquistBuilding FastenersBuilding FastenersDaleIRRoedersteinCoilcraft器件数量BR1CFLF符号CVCC1CBUS2CVCC2, CBOOT, CENCOUTCFCBUS1DBOOTDEN1, DVCCD1DCLAMPDOVL1RG1RCSRFROV2ROV1RS2RS3RS1RoutIC1M1Electrolytic Capacitor 10 μF, 25 VUVZ1E100MDDCapacitor, 100 nF, 400 VCapacitor, 100 nF, 50 VCapacitor, 33 μF, 100 VCapacitor, 1 nF, 50 V, 0805Electrolytic Cap, 47 μF, 450 VUltrafast Diode, 600 V, 1 A4148 DiodeDiode 400 V, 8 A, TO-220Zener Diode 14 V, 0.5 WZener Diode 7.5 V, 0.5 WInductor 470 μHResistor 10 Ω, 1%Resistor 1.43 Ω, 1%Resistor 100 Ω, 1%, 0805Resistor
390 Ω, 5%, 1/2 W,2010Resistor 2 kΩ , 5%, 1/2 W,2010Resistor 1 kΩ, 5%, 1 WResistor 47 kΩ, 5%, 1 WResistor 56 kΩ, 5%, 1 WResistor 5Ω, 5%, 1 WLED IC500 V, 20 A, TO-220HeatsinkTO-220 Insulating Thermal PadShoulder WasherScrew, 4-40, 0.5\Nut, 4-40, Hex, Zinc Fuse, 0.5 Ω, 1/2 WBridge Rectifier 1 A 1000 VCapacitor, 0.33 μF, 275 VACEMI Inductor, 470 μHMKP10VJKXATW1BCUVZ2A330MPDVJKXACW1BCEEU-EB2W470MURS160DICTLL41488ETU04ZMM5244B-7ZMM5236B-7IL 050 321 31 01MCR10EZHF10R0ERJ-8RQFR56VMCR10EZHF1000ERJ12ZYJ391ERJ12ZYJK000J12AFXJ12AFXJ12AFXJ12AFXIRS2541PBFIRFB20N50K7-340-1PP-BASP600--NDH216-NDCW 1/2DF10SF0RFB.2：元件表LED驱动电路采用具有延时滞环降压控制器的IR 公司IRS2541 LED驱动IC，精确控制LED电流。在正常工作情况下，输出电流通过IFB脚调节，IFB脚电压为500mV。这个反馈和内部高精度电压差参考相比较，这个芯片拴牢了HO输出，就象所需要的，控制电流。在正常工作条件下，如果VIFB低于VIFBTH, HO开通，负载会收到来自母线电压的电流。同时储存能量在L1和COUT输出级, 当VIFB增加时。一旦VIFB穿过VIFBTH, HO关闭，电感和输出电容释放存储的能量到负载，VIFB降低。当VIFB再次穿过VIFBTH, 在延迟t_HO_on后，HO开通。 AN-11313
这个开关过程继续控制如下确定的平均值电流：当L1和COUT足够大，维持IFB上的小波动（大约小于100mV），可以用下列等式计算Iout平均值：IOUT(avg)=VIFBTHRCSR350mA=0.5V=1.43?350mA关于IC或者为其他输入输出设计，请参考相关的IRS2541的数据表和IRPLLED1参考设计手册。３.器件选择IRS2541的频率是自由运行并可以通过快速响应输入和输出电压的变化维持电流调节。该器件不需要外部器件来设置频率。而频率是由L1和COUT，以及输入输出电压和负载电流决定的。频率选择需在系统效率，电流控制调节，尺寸和成本之间折中选择。频率越高，尺寸越小，L1和COUT的成本就越低，纹波越高，FET开关损失越高，随VBUS电压的提高，成为设计主要考虑的因素，因为器件应力越高，越难控制输出电流。为了维持很小的滞环电流调节，L1和COUT需要足够大来保持在t_HO_on时负载上的电流，避免负载电流下降过多，低于要求的电流值。输入电压对频率有重要的影响，电感值在低输入电压时对降低频率具有重要的影响。负载电流变化随电感值下降而增加，即使超过输入输出电压范围。输出电容可以同时使用以获得目标频率和电流控制精度。电容值减少整个输入电压范围的频率。一个4.7μF的小电容对减少频率有很大影响。电流调节也可以通过输出电容来改进。COUT是增加输出级储存能量的基础，也就意味着它可以增加提供电流的时间。因此，通过降低负载的di/dt瞬变，有效降低频率。有COUT电容，电感器电流不再和负载中一样。电感电流仍然有一个完美的三角形状，在那里负载能在电流中看到基本相同的趋势，但所有锐角都会变圆，峰值减小。选择L1和COUT是为了它们存储足够的能量，保持电流控制精确同时，在t_HO_on期间提高能量给负载。一个更低的L1值将需要更大的COUT值。如果电感值特别小（100uH以下数量级），COUT电容需要几百微法以上的数量级，以保持好的电流调节。另外，如果电感较小，电流纹波将相当大，用电解电容时，缩短了电容的寿命。 AN-11314
由于这些因素，选择一个470μH电感器和一个33μF输出电容。有470μH电感器的电流纹波相对很小，因此，电路板在低电流级别时可以用或不用输出电容。４.电特性图4.1和表4.2显示了用该电路驱动6个串联LED，350mA电流和全范围输入电压，90VAC和265VAC之间。为了测试，一个Luxeon flood 电路板用作负载。90VAC Input120VAC Input220 VAC Input265 VAC Input图4.1: 电路的电特性（驱动6个LED）（红：Lo，绿：LED电流，兰：LED电压，黄：母线电压） AN-11315三亿文库包含各类专业文献、专业论文、应用写作文书、幼儿教育、小学教育、中学教育、外语学习资料、行业资料、57IC datasheet pdf-AN1131 pdf,datasheet等内容。　
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版权所有(C)每个制造公司。所有的数据表不能擅自修改。该数据表已经从下载：100 ％免费的搜索datasheet的网站。免费下载。没有注册。快速检索系统。SB320 - SB3603.0A肖特基整流器特点oooooooo保护环片施工瞬态保护低功耗，高效率高浪涌能力高电流能力和低正向压降浪涌过载额定值为80A峰值适用于低电压，高频率逆变器，免费使用续流和极性保护应用无铅产品，符合RoHS （注1 ）IEC
（ ESD - 150pF的/ 330Ω ）联系我们 -±15kV机械数据ooooooo案例： DO- 201AD外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类等级94V -0湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级码头：完成 - 天。每MIL -STD- 202，方法208极性：负极频带标记：型号数量重量： 1.1克（近似值）超前信息订购信息（注2 ）设备SB320-BSB320-TSB330-BSB330-TSB340-BSB340-TSB350-BSB350-TSB360-BSB360-T包装DO-201ADDO-201ADDO-201ADDO-201ADDO-201ADDO-201ADDO-201ADDO-201ADDO-201ADDO-201AD航运500/Bulk1200年至1213年“双面胶&卷轴500/Bulk1200年至1213年“双面胶&卷轴500/Bulk1200年至1213年“双面胶&卷轴500/Bulk1200年至1213年“双面胶&卷轴500/Bulk1200年至1213年“双面胶&卷轴最大额定值@TA= 25 ° C除非另有说明单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％ 。特征反向重复峰值电压工作峰值反向电压阻断电压DC （注4 ）RMS反向电压平均整流输出电流（注3 ） （见图1 ）非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷符号VRRMVRWMVRVR（ RMS ）IOIFSMSB3202014SB3303021SB34040283.080SB3505035SB3606042单位VVAA热特性特征典型热阻（注5 ）工作温度范围存储温度范围符号RθJARθJLTJT英镑SB320SB330SB3403010-65到+150SB350SB360单位° C / W°C°C-65到+125-65到+150电气特性@TA= 25 ° C除非另有说明特征正向电压峰值反向电流在额定阻断电压DC （注4 ）注意事项：@ IF= 3.0A@ TA= 25°C@ TA= 100°C符号VFMIRMSB320SB3300.50SB3400.5SB3500.74SB360单位VmA1.欧盟指令2002/ 95 / EC （ RoHS指令） 。所有适用的RoHS指令的豁免申请，看欧盟指令2002/ 95 / EC附件说明2.对于包装的详细信息，请访问我们的网站：
。3.测量在环境温度下，在从壳体的距离9.5毫米。4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。从结点5热电阻引领垂直PCB安装， 0.500& （ 12.7毫米）引线长度有2.5× 2.5& （ 63.5 X 63.5毫米）铜垫。SB320 - SB360文件编号： DS23023牧师9 - 21第32010年11月(C) Diodes公司SB320 - SB3603.010IF，正向电流（A）IO,平均正向电流（ A）2.52.0超前信息1.51.01.00.50255075100125150TL，焊接温度（°C)图。 1正向电流降额曲线0.10.10.20.30.40.50.60.70.8VF，正向电压（ V）图。 2典型正向特性IFSM，峰值正向浪涌电流（ A）808.3ms单半正弦波Tj= TJ（下最大）1000Tj= 25°CF = 1.0MHz的VSIG= 50米Vp-p的48CT，总电容（PF ）641003216SB320 - SB340SB350 & SB3600110100100.1110100IR，瞬时反向电流（mA）循环次数在60赫兹图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流10VR，反向电压（V）的图。 4典型的总电容10.10.010.0010.00010204060801001999额定峰值反向百分比（％ ）图。 5典型的反向特性SB320 - SB360文件编号： DS23023牧师9 - 22 32010年11月(C) Diodes公司SB320 - SB360包装外形尺寸超前信息暗淡ABCDDO-201AD民25.407.201.204.80尺寸：mm最大?9.501.305.30重要通知Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途（及其任何司法管辖范围内的法律等效） 。Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司网站上，反对一切损害无害。Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。生命支持Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：1.旨在植入到体内，或2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明标签可以合理预期造成显著伤害到用户。B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。(C)2010 ， Diodes公司SB320 - SB360文件编号： DS23023牧师9 - 23 32010年11月(C) Diodes公司SB320系列肖特基势垒整流器器20至60伏电压当前特点可燃性分类94V -O利用阻燃环氧塑封料o超过MIL -S -二百二十八分之一万九千五百的环保标准o适用于低电压，高频率逆变器，续流，和极性保护应用0.375(9.5)1.0(25.4)MIN.3.0安培o塑料包装有保险商实验室0.052(1.3)0.048(1.2)o在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令机械数据o案例： DO - 201AD模压塑料o极性：颜色频带为负极o安装位置：任意o重量： 0.0395盎司， 1.122克1.0(25.4)MIN.0.285(7.2)o终端：轴向引线，每MIL -STD- 750 ，方法20260.210(5.3)0.188(4.8)最大额定值和电气特性在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。PA RA M E TE ?马曦妈妈再? urre NT P EAK回复已经RS电子武LTA GE米喜米庵RM S武℃的克é米喜米嗯D C B罗? K I NG武℃的克é米喜米庵一个已经风靡?F ? RWA RD回复ctified C-UR重新新台币。 3 7 5 & （ 9 5 M M ）乐A DLE NG THP·E A K ?F ? RWA RD S URG式C urre NT ： 8 。 3米S S小我，吴乐哈哈LF的I NE -Wa已经s上行ê里mposedon RA TE ? LO广告（ JEDEC浩会见四）米喜米庵?F ? RWA RD武为lt ageat 3 0.0 A（无德3 ）马曦妈妈DC已经重新RS式C urre NT在镭德? DCB罗CKI NG武℃的克é典型的iCal的RM人再SIS TA NC E（无德2 ）（ NO T E 1 ）（ NO T E 1 ）欧普erati吴? UNC TIONA次S到岭GEテラMPE TURE吴镭êTJ= 2 5OCTJ= 1 0 0OCS YM B OLVRRMVRMSVDCIF（ A V ）I?F S MVFIRRθJARθJCRθJLTJ, Ts TGSB320201420SB330302130SB3404028403 .080SB350503550SB360604260单位VVVAA0 .50 .230501215-5 5 + 1 2 50 .7 50.130OVmAC / W-5 5 + 1 5 0OC注意事项：1.测得的环境温度，从所述壳体的距离9.5毫米2.最小焊盘面积3.脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比一月7,2011 - REV.04PAGE 。 1SB320系列额定值和特性曲线10正向平均整流安培电流5.020-30V40-60V瞬时反向电流，毫安4.03.02.01.000204060801001201401601.0TJ= 1 C00O0.1TJ= 7 C5O0.01TJ= 2 C5OVRRM=20-40VVRRM=50-60V焊接温度，OC.001020406080100百分之瞬时反向电压（ ％ ）FIG.1-正向电流降额曲线FIG.2-典型的反向特性50瞬时正向电流，安培TJ= 25OCF = 1.0MHz的VSIG = 50mVp -P90峰值正向浪涌电流，安培1020-40V80706050403020101251020501001.050-60V0.10.2.4.6.8NO 。周期在60Hz正向电压，伏FIG.3-典型正向特征Fig.4-最大 - 非重复浪涌电流一月7,2011 - REV.04PAGE 。 2AN-8024采用飞兆功率开关（ FPSTM） FSBH -系列待机辅助电源1.引言高度集成的FSBH系列包括一个集成的电流模式脉冲宽度调制器（PWM）和一个抗雪崩700V SenseFET的。它是专门专为高性能离线开关模式电源电源（SMPS ）使用最少的外部元件。集成PWM控制器功能包括专有的绿色模式功能，提供关断时间调制到线性减小，开关频率在轻载条件下，尽量减少待机功耗消费。 PWM控制器采用制造BiCMOS工艺，以进一步降低功耗。具有低操作绿色和脉冲模式的功能电流（ 2.5毫安在绿色模式下），以最大限度地提高轻负载效率，使得电源能够满足严格的待机功耗规范。该FSBH系列内置了同步斜坡补偿，以实现稳定的峰值电流模式控制。专有的外部线路补偿，确保恒定的输出功率限制在一个很宽的AC输入电压范围内，从90VAC以264VAC并有助于优化功率级。许多保护功能，如开环/过载保护（ OLP ） ，过压保护（ OVP ） ，欠压保护和过温保护（OTP ） ;完全集成到FSBH系列，从而提高了开关电源可靠性，而不增加系统的成本。本应用笔记介绍的设计考虑申请FSBH系列与单备用辅助电源输出。它涵盖了设计变压器，选择组件，反馈回路设计，设计技巧，最大限度地提高效率。对于多路输出的应用程序，请参阅飞兆半导体应用笔记AN- 4137 。图1.典型应用电路(C)2009仙童半导体公司修订版1.0.1 o 09年9月18日1AN-8024应用说明2.设计注意事项反激转换器具有两种操作模式;连续导通模式（ CCM ）和不连续传导模式（DCM ） 。 CCM和DCM每个人都有优点和缺点。在一般情况下， DCM提供更好的开关的整流二极管的条件下，由于二极管是刚刚开始工作之前，在零电流反向偏置和反向恢复损耗被最小化。变压器尺寸可以使用DCM ，因为可以减少CCM相比，平均能量存储容量很小。不过，DCM本身导致的高RMS电流，从而增加导通损耗MOSFET的严重的低线条件。因此，特别适用于备用辅助电源电源应用中的低输出电压，其中肖特基没有反向恢复的二极管都可以使用;典型的是设计使得该转换器工作在转换器CCM以最大限度地提高效率。在本节中，一个设计方法，用图介绍1作为参考。离线SMPS用20W / 5V标称输出功率已经被选择作为设计示例。[ STEP- 1 ]定义的系统规格[步骤2 ]确定输入电容（CIN）及输入电压范围这是典型的选择输入电容为2 ?每瓦3μF通用输入范围的峰值输入功率（ 85-265VAC）和每峰值输入功率瓦1μF欧洲输入范围(195V-265VAC） 。与输入电容选择，则在额定负载条件下最低输入电压的电容器被获得为：V在MIN=2?(VLINE MIN)2-PIN?(1-DCH)CIN?fL(2)哪里DCH在输入电容充电占空比定义如示于图2，它通常为约0.2 。最大输入电容器的电压被给定为：V在MAX=2VLINE MAX(3)当设计与峰值负载电流电源信息，以下规格应该确定：`电源电压范围（VLINEmin和VLINEmax)`线频率（fL)`额定输出功率（PO)`估计效率为额定负载（η） ：电源转换效率必须估计来计算输入功率为额定负载条件。如果没有参考数据是可用的，集η= 0.7 ? 0.75的低电压输出的应用程序和η= 0.8 ? 0.85的高电压输出的应用。与所估计的效率，输入功率为峰负载条件由下式给出：（设计范例）通过选择100μF电容图2.输入电容电压波形输入电容的最小输入电压为额定负载被获得为：V在MIN=2?(VLINE MIN)2-=2?(90)2-PIN?(1-DCH)CIN?fL26?(1-0.2)=113V100×10-6?60PIN=POη(1)最大输入电压被获得为：V在MAX=2?VLINE MAX=2?264=373V[步骤3 ]确定反射输出电压（VRO)（设计范例）目标的规格系统主要有：oVLINEmin=90VAC和VLINEmax=264VACo行频fL= 60Hz的（ 90VAC）和50赫兹(264VAC)o额定输出功率PO= 20W （ 5V / 4A ）o预计效益：η= 0.77P20PIN=O==26Wη0.77当MOSFET截止时，所述输入电压（VIN),连同输出电压反射到初级(VRO） ，被施加的MOSFET两端，如图0 。与给定的VRO中，最大占空比（D最大），以及最大额定MOSFET电压（Vdsnom） ，得到如：D最大=VROVRO+V在MIN(4)(C)2009仙童半导体公司修订版1.0.1 o 09年9月18日2AN-8024应用说明VDS NOM=V在MAX+VROVDO喃(5)(6)V在MAX?(VO+VF)=+VOVRO表1.二极管正向压降的不同额定电压（ 3A肖特基二极管）部件名称SB320SB330SB340SB350SB360SB380SB3100VRRM20V30V40V50V60V80V100V0.5V0.74V0.85VVF（设计范例）如可从表1中可以看出，有必要使用具有40V的额定电压整流二极管以最大化效率。假设MOSFET的额定电压和二极管均小于68 ％的额定电压，则反射的输出电压由下式给出：V最大?(VO+VF)VDO NOM=IN+VOVRO373?(5+0.5)+5＆ LT ;0.68?40=27.2VRO373?(5+0.5)=>VRO＆ GT ;=92.4V22.2VDS NOM=V在MAX+VRO＆ LT ;0.68?700=476=>VRO＆ LT ;476-373＆ LT ;103V=通过确定VRO为100V ，D最大=VROVRO100==0.47民100+113+VIN图3.输出电压反射到主VDS NOM=V在MAX+VRO=373+100=473VVDO NOM==V在MAX?(VO+VF)+VOVRO373?(5+0.5)+5=25.5V100如在等式（5） ，电压应力跨越可见MOSFET能够通过减少减少VRO。然而，这增加的电压应力的整流二极管中的次级侧，如公式（6） 。因此，VRO应的电压之间的折衷来确定MOSFET和二极管的应力。特别是对于低输出施加电压，整流二极管正向压降是一个主要因素确定所述电源效率。因此，被反射的输出电压应这样确定的，整流二极管的正向电压可以是最小化。表1示出了正向电压下降为肖特基二极管具有不同电压额定值。因为实际的漏极电压和二极管的电压上升以上是由于漏电感中的标称电压变压器，如图0时，它典型地，设置VRO这样那Vdsnom和VDONOM的额定电压的60 ?70％的MOSFET和二极管上。[步骤4 ]确定变压器原边电感（LM)在变压器初级侧的电感被确定为最小输入电压和额定负载条件。与D最大从步骤3中，在一次侧的电感（LM)变压器被获得为：(V在MIN?D最大)2LM=2PINfSWKRF(7)哪里fSW是开关频率和KRF是纹波在最小输入电压和额定负载条件因素，定义为图4所示的波动率，为密切与变压器的尺寸和的RMS值相关的MOSFET的电流。即使在导通损耗MOSFET能够通过减小纹波系数被减小，也一个小的纹波系数强制增加3(C)2009仙童半导体公司修订版1.0.1 o 09年9月18日AN-8024应用说明变压器尺寸。从实际角度来看，这是合理设置KRF= 0.3 ? 0.6的通用输入范围和KRF= 0.4? 0.8为欧洲的输入范围。一旦LM通过确定计算KRF从式（7） ，在MOSFET的峰值电流和RMS电流最小输入电压和额定负载条件下都得到：表2中。FSBH系列的产品阵容额定功率产品FSBH0F70FSBH0170FSBH0270FSBH0370ILIM0.73A0.80A1.00A1.20A最大输出功率通用输入范围和开放式框架8W13W16W19WIDSPK=IEDC+ΔI2(8)(9)(10)(11)ΔI?D?IDS RMS= ?3(IEDC)2+( )2?最大2?3?PIN哪里IEDC=民VIN?D最大和（设计范例）FSBH0370被选中。[步骤6 ]确定最小初级匝数V在MIND最大ΔI=LMfSWKRF=ΔI2IEDC与给定的芯，匝数为最小数量的变压器的初级侧，以避免铁芯的饱和度由下式给出：NP民=LMILIM×106BSATAe(12)哪里Ae是在毫米的芯部的横截面面积2,ILIM是脉冲由脉冲电流限制电平，和BSAT为饱和磁通密度的特斯拉。脉冲由脉冲电流限制电平被包括在等式（12） ，因为电感器电流达到在负载瞬变期间脉冲通过脉冲电流限制水平或过载状态。错误！未找到引用源。示出了从TDK铁氧体磁芯的典型特征（ PC40 ） 。由于饱和磁通密度（BSAT）随温度升高时，所述高温特性应予以考虑。如果没有参考数据的使用，B最大=0.3 T.ΔIIDSPK图4. MOSFET电流和纹波系数（KRF)（设计范例）确定纹波系数为0.6 ：(V在MIN?D最大)2(113?0.47)2LM==2PINfSWKRF2?26?100×103?0.6=900μHIEDC=PIN26==0.49A民VIN?D最大113?0.47V在MIND最大113?0.47ΔI===0.59ALMfSW900×10-6?100×103IDSPK=IEDC+ΔI=0.49+0.295=0.78A2ΔI?D?IDS RMS= ?3(IEDC)2+( )2?最大2?3?0.47?= ?3(0.49)2+(0.295)2??3=0.36A[步骤5 ]选择合适的FPS ，考虑到输入功率和峰值漏极电流随着所产生的最大峰值漏极电流MOSFET （我DSPK）从方程（8）中，选择适当的FPS的量，脉冲由脉冲电流限制电平（我LIM）是高于IDSPK。由于FPS为± 10 ％容差ILIM,选择合适的FPS时应该有一定的余量装置。该FSBH系列阵容的额定功率是总结在表2中。(C)2009仙童半导体公司修订版1.0.1 o 09年9月18日铁氧体磁芯图5.典型BH特性(TDK/PC40)4AN-8024应用说明（设计范例）EEL- 19芯被选择时，其（设计范例）假设二极管的正向有效截面积为25mm 。选择饱和磁通密度为0.3 T时，最小数匝的初级侧被获得为：L?INP民=M LIM×106BSATAe2900×10-6?1.2=×106=1440.3?25[步骤7 ] ，确定匝数对于每个数曲折压降为0.5V ，匝数比被获得为：VRO100Nn=P===18.18NSVO+VF5+0.5然后，确定适当的整数NS,使得RESULTINGNP大于NPMIN如：NS=8,NP=n?NS=146＆ GT ;NP民环境VDD*如15V，匝数为数量辅助绕组被获得为：V*+VFA15+1.2?NS=?8=24NA=DD5+0.5VO+VF[ STEP- 8]确定线径每个绕组基于绕组的RMS电流图6示出了变压器的简化图。首先，计算出的初级侧之间的匝数比（n）的并从反射的输出电压的次级侧，在步骤3中确定的，如：n=VRONP=NSVO+VF(13)最大RMS电流在次级绕组的是得到：哪里NP和NS是匝数为初级侧的数和次级侧分别;VO为输出电压;和VF是二极管（DO）正向压降。然后，确定正确的整数NS,使得所得NP大于NPMIN从等式（ 12）中得到。匝数为辅助绕组的数目VDD供应被确定为：ISEC RMS=n?IDS RMS1-D最大D最大(15)哪里VDD*为电源电压的标称值和VFA是的正向压降DDD如在图6中所定义。自VDD增加作为输出负载的增加，它是正确的设置VDD比V在3 ? 5V高DDUVLO水平（ 8V ）至避开用电高峰期间的过电压保护的条件负荷运转。VDD*+VFANA=?NS1VO+VF(14)电流密度一般是3 ?5A / mm的2当线是长（ &1米） 。当线是短的小数目的接通， 5? 10A / mm的电流密度2也是可以接受的。避免使用金属丝，其直径大于1mm ，以避免剧烈涡流损失以及使卷绕变得更加容易。对于大电流输出时，它最好是使用平行绕组用更细的导线的多股线，以减少皮肤的效果。（设计范例）当前的主侧的有效值从第4步为0.36A ，得到卷绕。有效值次级侧的电流绕组被计算为：ISEC RMS=n?IDS RMS=18.18?0.361-D最大D最大1-0.47=6.9A0.470.3毫米（ 5A /毫米2）和0.65毫米×2 （10A /毫米2）直径导线被选择用于初级和次级绕组，分别。[步骤9 ]选择整流二极管的二次方基于电压和电流额定值最高反向电压和电流的有效值整流二极管获得为：VDOV在MAX=VO+n(16)IDO RMS=n?IDS RMS图6.简化变压器图1-D最大D最大(17)(C)2009仙童半导体公司修订版1.0.1 o 09年9月18日5AN-9719采用飞兆功率开关（ FPS (TM) ） FSL1x7到的低电源1.引言高度集成的FSL系列包括一个集成的电流型脉冲宽度调制器（PWM）和一个抗雪崩700V SenseFET的。它是专门设计用于交换的高性能离线模式电源供应器（ SMPS）使用最少的外部元件。集成PWM控制器的功能包括专有的绿色模式功能，提供关断时间调制到线性减小，开关频率在轻载条件下，尽量减少待机功耗消费。 PWM控制器采用制造BiCMOS工艺，以进一步降低功耗。绿色模式和突发模式功能，具有低工作电流（ 2毫安在绿色模式下），最大限度地提高轻负载效率，使得电源能够满足严格的待机功耗规范。该FSL系列有一个内置的同步斜坡补偿，以实现稳定的峰值电流模式控制。专有的外部线路补偿，确保恒定的输出功率限制在一个很宽的AC输入电压范围内，90VAC以264VAC，并有助于优化功率级。许多保护功能;如开环/过载保护（OLP） ，过电压保护（OVP） ，和过温度保护（ OTP ） ;完全集成到FSL-系列。这些功能没有改善开关电源的可靠性增加了系统成本。相比分立式MOSFET和控制器或RCC开关转换器解决方案， FSL系列降低总元件数，转换器的尺寸和重量，同时提高效率，生产率和系统的可靠性。这些器件提供了一个基本的平台，成本的设计有效的反激式转换器。图1.典型应用电路(C) 2010仙童半导体公司修订版1.0.0 o 10年11月2日AN-9719应用说明2.设备块描述2.1启动电路对于启动时，高压端子连接到线路输入或散装通过外部电阻R电容HV，如图2.典型的启动电流是3.5毫安它充电VDD电容（CDD）通过电阻RHV。启动电流关闭在V时DD电容器电压达到VDD -ON.在VDD电容保持VDD直到辅助绕组变压器提供工作电流。2.3绿色模式操作该FSL系列采用反馈电压（VFB）作为指示输出负载的并调制PWM频率，如如图4所示，使得开关频率随负载减小。在重负载条件下，该开关频率为100kHz 。一旦VFB下面减小VFB -N（ 2.5V ） ， PWM频率开始直线下降从100kHz至18KHZ ，以降低开关损耗。如VFB下降低于VFB -G（ 2.4V ）时，开关频率固定为18KHZ和FSL系列进入“深”绿色模式降低待机功耗。由于VFB降低低于VFB- ZDC（ 2.1V ） ， FSL系列进入突发模式操作。当VFB低于VFB- ZDC， FSL系列站切换和输出电压开始下降，这使反馈电压上升。一旦VFB上述上升VFB- ZDC，开关恢复。突发模式交替启用和禁用开关，从而减少了开关损耗，以提高功率节省，因为如图5所示。图2.启动电路2.2软启动该FSL系列具有内部软启动电路，慢慢增加值SenseFET的电流在启动过程中。典型的软启动时间为5ms，在此期间，在V极限水平六步顺利建立所需增加输出电压，如图3所示。它也有助于防止变压器饱和，并减少对二次应力在启动过程中的二极管。图4. PWM频率图3.软启动功能图5.胸围模式操作(C) 2010仙童半导体公司修订版1.0.0 o 10年11月2日2AN-9719应用说明2.4恒功率控制不断地限制了变换器的输出功率，高/低线补偿包括在内。感应器通过VIN引脚，高/低线路输入电压补偿功能产生一个线电压依赖性峰值电流限制门限电压为恒功率控制中，如图6所示。2.5.3过载保护（ OLP ）当分压器的分流上支调节器（示KA431 ）是开路，如图图7中，或过电流或短路时的输出;有没有电流流过光电耦合器晶体管。 VFB（反馈电压）拉至6V 。当反馈电压高于4.6V比56MS更长， OLP是触发。这种保护也触发了开关电源时，输出低于标称值大于由于56MS到过载状态。图6.恒功率控制2.5保护功能该FSL系列提供了全面的保护功能，以防止电源和被损坏的负荷。该保护特性示于表1中。表1中。保护功能FSL127HOVPOTPOLPVIN -HVIN -LLATCHLATCH自动重启LATCH自动重启FSL137HLATCHLATCH自动重启LATCH自动重启图7. OLP操作2.5.1 VDD过电压保护（ OVP ）VDD过电压保护器可防止因损坏IC过电压在VDD引脚。该OVP被触发时，VDD达到28V 。它具有去抖时间（通常为130μs ）到防止误触发了开关噪声。2.5.2过温保护（ OTP ）该值SenseFET和控制IC集成化妆温度检测值SenseFET容易。当结温度超过约142℃ ，热关闭被激活。(C) 2010仙童半导体公司修订版1.0.0 o 10年11月2日3AN-9719应用说明3.设计实例反激转换器具有两种操作模式;连续导通模式（ CCM ）和不连续传导模式（DCM ） 。每个人都有自己的优点和缺点。在一般情况下， DCM中生成用于低应力整流二极管，由于二极管工作在零电流成为反向偏置和反向之前恢复损耗被最小化。变压器尺寸可用DCM中，因为平均能量存储是减小比较低的CCM 。然而， DCM会导致高RMS当前，这严重增加了导通损耗MOSFET的低线的条件。备用辅助电源应用具有低输出电压和肖特基二极管的最小反向恢复，这是典型的，以设计使得该转换器工作在转换器CCM以最大限度地提高效率。本节介绍使用图1设计过程原理图作为参考。离线SMPS与12W标称输出功率已经被选择作为示例。[ STEP- 1 ]定义的系统规格[步骤2 ]确定输入电容（CIN）和输入电压范围每瓦这是典型的选择输入电容为2 ? 3μF峰值输入功率为通用输入范围（ 85?265VRMS）和每个峰值输入功率为瓦1μF欧洲输入范围（ 195V -265VRMS） 。与输入电容选择，在最小输入电容电压额定负载条件被获得为：2·· 1·(2)其中DCH在输入电容充电占空比定义在图8中，其通常为约0.2 。最大输入电容器的电压被给定为：√2(3)当设计一个电源，规格应首先确定：线路电压范围（V线频率（fL)额定输出功率（PO)和V该)以下图8.输入电容电压波形（设计范例）通过选用20μF输入估计效率为额定负载（η).功率转换效率，必须估计到计算的输入功率为额定负载条件。如果没有可参考的数据是可用的，集η= 0.7 ? 0.75的低电压输出的应用程序和η= 0.8 ? 0.85的高电压输出的应用。与所估计的效率，输入功率为峰负载条件由下式给出：电容器，最小输入电压为额定负载被获得为：2·· 1·15 · 120 · 100.2· 602 · 9079η（设计范例）目标的规格(1)最大输入电压被获得为：√2 ·√2 · 264373系统主要有：90VV264VV线频率（f ） = 60Hz的额定输出功率（ P） = 12W （ 12V / 1A ）估计的效率（η） = 0.8[步骤3 ]确定反射输出电压（VRO)η120.815当MOSFET截止时，所述输入电压（VIN),连同输出电压反射到初级(VRO） ，被施加的MOSFET两端，如图9，对于给定的VRO中，最大占空比（D最大）和标称MOSFET电压（Vdsnom）表示的化合物作为：(4)(5)·(C) 2010仙童半导体公司修订版1.0.0 o 10年11月2日(6)4AN-9719应用说明（设计范例）如可从表2中可以看出，它是推荐使用整流二极管电压100V评级最大限度地提高效率。假设MOSFET和二极管的额定电压为小于80％的额定电压时，反射的输出电压被给定为：·373 · 120.85120.8 · 10080373 · 12 0.856870.50.8 · 700560560通过确定图9.输出电压反射到主373187为74V ，7474790.4874447如在方程（5）可以看出，两端的电压应力MOSFET能够通过减小V降低RO。然而，这增加的电压应力的整流二极管中的次级侧，如公式6所示。因此，VRO应的电压之间的平衡来确定MOSFET和二极管的应力。特别是对于低输出电压应用中，整流二极管的正向电压降是一个主导因素确定所述电源效率。因此，被反射的输出电压应这样确定的，整流二极管的正向电压可以是最小化。表2示出了正向压降肖特基二极管具有不同的电压等级。实际的漏极电压和二极管的电压上升高于标称电压是由于的漏感变压器作为如图9所示。这是典型的设定VRO使得Vdsnom和VDONOM是电压的70?80％MOSFET和二极管，分别评级。373·373 · 12 0.8574[步骤4 ]确定电感（LM)该1276.8初级侧变压器在变压器初级侧的电感被确定为最小输入电压和额定负载条件下。用D最大从步骤3中，在一次侧的电感(LM）变压器被获得为：·2···(7)表2中。二极管正向压降的不同额定电压（ 3A肖特基二极管）部件名称SB320SB330SB340SB350SB360SB380SB3100VRRM20V30V40V50V60V80V100VVF0.5V其中fSW是开关频率和KRF是纹波在最小输入电压和额定负载率条件，其定义为如图10中所示。对于DCM运行，KRF= 1，并且，对于CCM工作，钾RF& 1.脉动率是密切相关的变压器大小和MOSFET的电流的RMS值。连虽然在MOSFET的导通损耗可以降低通过降低纹波系数，过小的纹波系数力量增加了变压器的尺寸。当设计的反激转换器工作在CCM运行，这是合理的设定kRF=0.25-0.5的通用输入范围和KRF= 0.4-0.8的欧洲的输入范围。50.74V0.85V(C) 2010仙童半导体公司修订版1.0.0 o 10年11月2日SB320 ... SB3100SB320 ... SB3100肖特基势垒整流器器肖特基势垒Gleichrichter版本额定电流Nennstrom? 4.5+0.1-0.33A20...100 V? DO- 2011g反向重复峰值电压Periodische Spitzensperrspannung塑料外壳Kunststoffgeh?use重量约。Gewicht约塑料材料具有UL分类94V- 0Geh?usematerial UL94V- 0 klassifiziert标准包装录音中的弹药盒在弹药，包装标准Lieferform gegurtet±0.5TYPE62.5? 1.2±0.05尺寸 - 集体[MM ]最大额定值和特性TYPE典型值SB320SB330SB340SB350SB360SB390SB3100反向重复峰值电压Periodische SpitzensperrspannungVRRM[V]203040506090100浪涌峰值反向电压StossspitzensperrspannungVRSM[V]203040506090100TA= 75°C?F & 15赫兹TA= 25°CTA= 25°C7.5±0.1Grenz- UND Kennwerte正向电压Durchlass - SpannungVF[V]1)& 0.50& 0.50& 0.50& 0.70& 0.70& 0.79& 0.79IFAVIFRMIFSMi2t3 A2)15 A2)150 A110 A2s-50...+150°C-50...+175°C马克斯。正向平均整流电流， R-负荷Dauergrenzstrom在Einwegschaltung麻省理工学院的R-最后重复峰值正向电流Periodischer Spitzenstrom峰值正向浪涌电流， 50赫兹正弦半波Stossstrom献给EINE 50赫兹窦Halbwelle额定值融合，T & 10毫秒Grenzlastintegral ，T & 10毫秒结温 - Sperrschichttemperatur储存温度 - LagerungstemperaturTSTj12IF= 3 A，Tj= 25°C有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米Gültig ，德恩死Anschlussdr?hte 10mm长度Abstand VOM Geh?use奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden/(C)德欧泰克半导体公司1SB320 ... SB3100特征漏电流SperrstromTj= 25°CSB320...360VR= VRRMSB390 ... 3100 VR= VRRMIRIRRTHARTHLKennwerte＆ LT ; 0.5毫安& 0.6毫安& 25 K / W1)& 8 K / W热阻结到环境空气W?rmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特热阻结到引线W?rmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht120[%]100102[A]SB320...34010801SB350...36060401020IFAV00TA50100150[°C]IF10-2-1SB390...3100Tj= 25°C0VF0.40.6[V]1.0额定正向电流与环境温度1)1祖尔。 Richtstrom在ABH 。冯明镜Umgebungstemp 。 ）正向特性（典型值）Durchlasskennlinien （ typische Werte ）1有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米Gültig ，德恩死Anschlussdr?hte 10mm长度Abstand VOM Geh?use奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden/(C)德欧泰克半导体公司2思雨塑封肖特基二极管RSB320 ...... SB3100塑料肖特基垒整流器器特征特点·大电流承受?½力。High电流能力·正向压降?½?。Low正向电压降·高温焊接保证高温焊接保证：260℃/10秒,0.375&设计（9.5mm ）引线长度。260 ℃ / 10秒0.375&设计（9.5mm ）引线长度，·引线可承受5 磅(2.3kg)拉力。5磅。 （ 2.3千克）张力·引线和管?½?皆符合RoHS标准 。铅和符合RoHS规范体DO-271.0(25.4)民.052(1.3)迪亚.048(1.2).375(9.5).335(8.5).220(5.6)迪亚.197(5.0)1.0(25.4)民机械数据机械数据·端子: 镀锡?½?向引线端子：镀轴向引线·极性: 色环端为负极极性：颜色频带端为负极·安装?½??½?: 任意安装位置：任意单位：英寸（毫米）极限值和电参数TA = 25°除非另有规定。最大额定值&电气特性符号符号最大峰值反向电压最大重复峰值反向电压在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。SB320SB330SB340SB350SB360SB380SB3100单?½?单位VRRMVR（ RMS ）VDCIFMVFIFSMIRRθJACjTJ ，T英镑2014203021304028405035503.060426080568010070100VVVA最大反向有效值电压最大RMS电压最大直流阻断电压最大直流阻断电压最大正向平均整流电流最大正向平均整流电流最大正向电压降最大正向电压IF = 3.0A0.5800.520152500.70.85VAmA℃/WpF℃峰值正向浪涌电流8.3ms的单一正弦半波峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波最大反向漏电流最大反向电流TA = 25°TA = 100 °典型热阻典型结电容典型热阻VR = 4.0V F = 1.0MHz的典型结电容工?½?温度和存储温度工作结存储温度范围-55 --- +150大昌电子大昌电子思雨R特性曲线特性曲线正向特性曲线（典型值）SB320 ...... SB3100正向电流降额曲线正向电流降额曲线10mm10mm10典型正向特性21SB380SB3100平均正向电流IF（ AV ）(A)正向平均整流电流（ A）IF（ A）正向电流 IF(A)IF正向电流（A ）SB320通SB3403.63.02.41.81.20.600255075 100 125 150 175环境温度TA（ ° C）TAMB，环境温度（ ℃）0.20.1SB350SB360TJ = 25 ?C0.0100.20.40.60.81.0正向电压 VF(V)VF正向电压（ V）浪涌特性曲线（最大值）最大不重复峰值正向浪涌电流100IFSM峰值正向浪涌电流（ A）80峰值正向浪涌电流 IFSM(A)6040200124 6 102040100通过电流的周期在60赫兹的周期数。大昌电子大昌电子SB320 THRU SB390肖特基势垒整流器反向电压 - 20至90伏特正向电流 - 3.0安培DO-201AD特点*塑料包装有保险商实验室可燃性分类94V- 0*金属硅交界处，多数载流子传导* Guardring过电压保护*低功耗，高效率*高电流能力，低正向压降*高浪涌能力*对于使用低电压，高频率逆变器，续流和极性保护应用·高温焊接保证：260oC / 10秒0.375&设计（9.5mm ）引线长度，5磅。 （ 2.3千克）张力0.210(5.3)0.190(4.8)DIA 。0.375(9.5)0.285(7.2)1.0(25.4)分钟。1.0(25.4)分钟。机械数据案例：JEDEC DO- 201AD模压塑体终端：镀轴向引线，每MIL -STD -750焊接的，方法2026极性：颜色频带端为负极安装位置：任何重量：0.04盎司， 1.12克0.052(1.3)0.048(1.2)DIA 。*尺寸以英寸（毫米）最大额定值和电气特性在25℃的环境温度额定值除非另有规定ED 。最大重复峰值反向电压最大RMS电压最大直流阻断电压最大正向平均整流电流0.375&设计（9.5mm ）引线长度（见图1 ）峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）3.0 A最大瞬时正向电压最大瞬时反转电流在额定阻断电压DC典型热阻（注）工作结温范围存储温度范围TA=25 CTA=100 CRRJAJLooo符号VRRMVRMSVDCI（AV）SB320201420SB340402840SB360604260SB380805680SB390906390单位伏伏伏安培3.0IFSM8075安培VF0.552200.7551040100.85伏IRmAoC / WoTJT英镑-65到+125-65到+150-65到+150CCo注：热阻结带领垂直PCB安装0.50& （ 12.7毫米）引线长度有2.5× 2.5& （ 63.5 X 63.5毫米）铜垫REV 。 ： 0ZOWIE科技股份有限公司额定值和特性曲线SB320 THRU SB390图1 - 正向电流降额曲线3.0正向平均整流当前，安培峰值正向浪涌电流，安培2.52.01.51.00.500255075100125o图2 - 最大非重复性峰值正向浪涌电流1008.3ms单半正弦波（ JEDEC的方法）电阻或感性负载0.375&设计（9.5mm ）导线长度80604020SB320~SB340SB360~SB390SB320~SB340SB360~SB3900150175110循环次数在60Hz100环境温度，C图3 - 典型瞬时正向特性50.00IINSTANTANEOUS正向电流，安培100图5 - 典型的反向特性10.00瞬时反向漏当前，微安10TJ= 125 Co脉冲宽度= 300US1 ％占空比11.000.1TJ= 75 CoTJ= 25 Co0.100.01TJ= 25 Co0.0100.20.40.60.81.0SB320~SB340SB360SB380&SB3900.0011.21.41.60204060正向电压，伏SB320~SB340SB360~SB39080100百分之额定峰值反向电压， ％1000结电容， pF的TJ= 25 Co瞬态热阻抗（ ℃/ W）图5 - 典型结电容图6 - 典型的瞬态热阻抗100o1010010.1.2.41.02410反向电压，伏SB320~SB340SB360~SB39020401000.10.010.101.010100T，脉冲持续时间，秒REV 。 ： 0ZOWIE科技股份有限公司SB320 - SB3B0PRV ： 20 - 100伏IO： 3.0安培产品特点：******高电流能力高浪涌电流能力高可靠性高效率低功耗低正向压降肖特基势垒整流二极管DO-201AD0.21 (5.33)0.19 (4.82)1.00 (25.4)分钟。0.375 (9.52)0.285 (7.24)机械数据：*案例： DO - 201AD模压塑料*环氧： UL94V -O率阻燃*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，方法208保证*极性：颜色频带端为负极*安装位置：任意*重量： 1.21克0.052 (1.32)0.048 (1.22)1.00 (25.4)分钟。尺寸以英寸（毫米）最大额定值和电气特性等级25°C环境温度，除非另有规定。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％ 。等级最大的经常峰值反向电压最大RMS电压最大直流阻断电压最大平均正向电流0.375& ， 9.5毫米引线长度见图1峰值正向浪涌电流，8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）最大正向电压在我F= 3.0安培。最大反向电流额定阻断电压DC （注1 ）结温范围存储温度范围TA = 25°CTA = 100°C符号VRRMVRMSVDCSB SB SB SB SB SB SB SB SB单位320 330 340 350 360 370 380 390 3B020142030213040284050355060426070497080568090639010070100伏伏伏IF（ AV)3.0安培。IFSMVFIRIR（高）TJT英镑- 65至+ 1250.5800.740.520- 65至+ 150- 65至+ 1500.79安培。伏。mAmA°C°C注意事项：（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300us,占空比= 2 ％更新： 日额定值和特性曲线（ SB320 - SB3B0 ）图1 - 正向电流降额曲线平均正向电流，安培3.0SB350THRUSB3B0图2 - 最大非重复峰值正向浪涌电流100峰值正向浪涌当前，安培1501752.4SB320SB330SB340801.8601.2400.620002550751001250124610204060100焊接温度， （°C)循环次数在60Hz图3 - 典型正向特性20图4 - 典型的反向特性反向电流毫安正向电流，安培10TJ= 100°C10SB320SB330SB340SB380SB390SB3B01.01.0SB350SB360SB3700.1TJ= 25°CTJ= 25°C脉冲宽度= 300us占空比= 2 ％0.10.10.010204060801001201400.30.50.70.91.11.31.51.71.92.1百分比额定反向电压， （ ％ ）正向电压，伏上海SUNRISE ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。SB320通SB360肖特基势垒整流器器电压： 20至60V电流： 3.0A特点o外延建设芯片o高电流能力o低正向压降o低功耗，高效率o高浪涌能力o高温焊接保证：250oC / 10秒/ 0.375&设计（9.5mm ）引线长度5 lbs紧张技术规范DO - 201AD机械数据o终端：镀轴向引线焊元MIL- STD 202E ，方法208Co案例：模压与UL - 94类别V-0公认的阻燃环氧树脂o极性：颜色频带为负极o安装位置：任意尺寸以英寸（毫米）最大额定值和电气特性（单相半波，60赫兹，电阻或电感的在25oC，除非另有注明外，容性负载，减免20 ％的电流）评级最大重复峰值反向电压最大RMS电压最大直流阻断电压最大正向平均整流电流设计（9.5mm引线长度在TL=95oC)峰值正向浪涌电流（ 8.3ms单半正弦波叠加在额定负载）最大正向电压（在3.0A DC）反向电流最大DCTa=25oC在额定阻断电压DCTa=100oC符号VRRMVRMSVDCIF（ AV ）IFSMVFIRSB320201420SB330302130SB3404028403.080SB350503550SB360604260单位VVVAA0.553.0300.75VmAmA220CJ典型结电容（注1 ）pFo30Rθ（ JA ）典型热阻（注2 ）C / Wo-65到+125-65到+150TJ工作温度Co-65到+150T英镑储存温度C注意：1.Measured 1.0 MHz和施加4.0V的反向电压dc结2.Thermal耐环境在0.375&设计（9.5mm ）引线长度，垂直PC板装http://www.
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