电容的作用
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电容的作用
　　导读：是一种储存容器的无源元件，我们生活中的方方面面都离不开与有关的电子产品、在任何地方都能见到的身影，一切都是由于电容存在，我们一起学习一下电容在电路中的作用。本文引用地址：——　　是中很重要的一部分。几乎所有的电源电路中都会用到。从理论上(即假设电容为纯电容)说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1uF的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。就是通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越小高频越容易通过。具体用在中,大容量电容滤低频，小容量电容滤去高频。　　亦有网友将滤波电容 比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，形象的说电容像个水塘，因为水塘里的水不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。 它把电压的变化转作为电流的变化，从而缓冲了输出电压。滤波就是充电，放电的过程。起到稳定输出电压的作用。电容的作用——旁路　　如上电路图所示电容C3为旁路电容，因为电容的隔直通交的特性使得C3不能通过直流分量，但若通过交流信号时，C3对交流分量近似为短路，所以交流分量并不通过R4，而直接被C3旁路了，似这样的电容亦称为旁路电容，下面分析旁路电容的功用。　　旁路电容的主要功能是产生一个交流分路，即当混有高频和低频的信号经过放大器被放大时，要求通过某一级时只允许低频信号输入到下一级，而不需要高频信号进入，则在该级的输入端加一个适当大小的接地电容，使较高频率的信号很容易通过此电容被旁路掉(这是因为电容对高频阻抗小)，而低频信号由于电容对它的阻抗较大而被输送到下一级放大。电容的作用——去耦　　“去耦”又称为“解耦”。如上图所示旁路电容是接在信号输入端的，而去耦电容是接在信号输出端的，这俩个电容都是起到抗干扰的作用，我们先说说去耦电容在电路中的作用。　　去耦电容起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的提供一条低阻抗泄放途径。高频旁路电容一般比较小，而去耦合电容一般比较大，依据电路中分布参数，以及驱动 电流的变化大小来确定。　　旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。电容的作用——储能　　说到储能第一个想到的就是电池了，但电容收集的是电荷属于物理反应，电池属于分解化学反应，常见的电容储能有充磁机，电容电焊机等通过高电压大电流的场合，在使用电容储能时一般用大电容或者若干的小电容并联组成的电容组。具体容量和耐压由应根据需求选择。电容的作用——耦合　　电容的耦合又称“电场耦合” 耦合是指信号由第一级向第二级传递的过程，一般不加注明时往往是指交流耦合。　　从电路来说，总是可以区分为驱动电源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻(特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹)，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。电容的作用——谐振　　利用电容和其他无源元件所产生的电压与电流之间的变化，实际是利用了电容充放电的特性。一般有电容的并联谐振和串联谐振，亦可以通过谐振电容的串并联组合成陷波器等工程应用的滤波器。电容器的作用——时间常数　　时间常数是指：表示过渡反应的时间过程的常数。指该物理量从最大值衰减到最大值的1/e所需要的时间。在电容中的时间常数常见的是RC电路中，当输入信号电压加在输入端时，电容(C)上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻(R)、电容(C)的特性通过下面的公式描述：　　i = (V/R)e-(t/CR)
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大电容并小电容的作用
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当前位置：&>>&&>>&&>>&MCU晶体旁边电容的作用
　　简介：绝大多数的MCU爱好者对MCU晶体两边要接一个附近的不理解，因为这个电容有些时候是可以不要的。参考很多书籍，讲解的很少，往往提到最多的是起稳定作用，负载电容之类的话，都不是很深入理论的分析。
　　问题是很多爱好者不去关心这两个电容，他们认为按参考设计做就行了，本人也是如此，直到有一次一个项目就因为这个电容出了问题，损失了几百万之后，才开始真正的考虑这个电容的作用。
　　其实MCU的振荡电路的真名叫“三点式电容振荡电路”，请参考网页中的图片。
　　Y1是晶体，相当于三点式里面的，C1和C2就是电容，5404和R1实现一个NPN的，大家可以对照高频书里的三点式电容振荡电路。接下来分析一下这个电路。
　　5404必需要一个，不然它处于饱和截止区，而不是放大区，R1相当于三极管的偏置作用，让5404处于放大区域，那么5404就是一个反相器，这个就实现了NPN三极管的作用，NPN三极管在共发射极接法时也是一个反相器。
　　接下来用通俗的方法讲解一下这个三点式振荡电路的工作原理，大家也可以直接看书。
　　大家知道一个正弦振荡电路要振荡的条件是，系统放大倍数大于1，这个容易实现，相位满足360°，接下来主要讲解这个相位问题：
　　5404因为是反相器，也就是说实现了180°移相，那么就需要C1，C2和Y1实现180°移相就可以，恰好，当C1，C2，Y1形成谐振时，能够实现180移相，这个大家最简单的可以以地作为参考，谐振的时候，C1、C2上通过的电流一样，地在C1、C2中间，所以恰好电压相反，实现180移相。
　　当C1增大时,C2端的振幅增强，当C2降低时，振幅也增强。
　　有些时候C1，C2不焊也能起振，这个不是说没有C1，C2，而是因为芯片引脚的分布电容引起的，因为本来这个C1，C2就不需要很大，所以这一点很重要。接下来分析这两个电容对振荡稳定性的影响。
　　因为7404的电压反馈是靠C2的，假设C2过大，反馈电压过低，这个也是不稳定，假设C2过小，反馈电压过高，储存能量过少，容易受外界干扰，也会辐射影响外界。C1的作用对C2恰好相反。因为我们布板的时候，假设双面板，比较厚的，那么分布电容的影响不是很大，假设在高密度多层板时，就需要考虑分布电容，尤其是VCO之类的振荡电路，更应该考虑分布电容。
　　有些用于工控的项目，建议不要用晶体的方法振荡，二是直接接一个有源的
　　很多时候大家会用到的时钟晶体来做时钟，而不是用的晶体分频后来做时钟，这个原因很多人想不明白，其实这个跟晶体的稳定度有关，频率越高的晶体，Q值一般难以做高，频率稳定度不高，32.768K的晶体稳定度等各方面都不错，形成了一个工业标准，比较容易做高。
技术资料出处:电子产品世界
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当我们拿到一块MCS-51系列单片机芯片时，看到这么多的引脚，他们都有干什么用的？80的引脚图：MCS-51是标准的40引脚双列直插式集成电路芯片，引脚分布请参照----单片机引脚图：l P0.0~P0.7 P0口8位双向口线（在引脚的39~32号端子）。l P1.0~P1....[][][][][][][][][][]
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晶振旁的两个小电容是什么作用,
作者：tkgg324　栏目：
晶振旁的两个小电容是什么作用,问了好多人,都没有明确的答复有的说是负载,有的说是谐振,如图中的C2,C3.
作者： tkgg324 于
10:55:00 发布：
少画了一个电阻少画了一个电阻,和晶振并在一起的还有一个1M的电阻.
作者： spwp 于
11:03:00 发布：
稳频 ？！&
作者： mohanwei 于
11:26:00 发布：
那个电阻一般集成到内部了&
作者： wxalex 于
11:43:00 发布：
与Ｘ１共同组成电容三点式振荡电路&
作者： awey 于
12:28:00 发布：
楼上正确，X1在这里等效于电感反馈系数取决于两电容的比值
作者： davidli88 于
13:03:00 发布：
从晶体的谐振模式说起晶体的谐振模式晶体具有两种谐振模式：串联(两个频率中的低频率)和并联(反谐振，两个频率中的高频率)。所有在振荡电路中呈现纯阻性时的晶体都表现出两种谐振模式。在串联谐振模式中，动态电容的容抗Cm、感抗Lm相等且极性相反，阻抗最小。在反谐振点。阻抗却是最大的，电流是最小的。在振荡器应用中不使用反谐振点。 通过添加外部元件(通常是电容)，石英晶体可振荡在串联与反谐振频率之间的任何频率上。在晶体工业中，这就是并联频率或者并联模式。这个频率高于串联谐振频率低于晶体真正的并联谐振频率(反谐振点)。图2给出了典型的晶体阻抗与频率关系的特性图。 图2. 晶体阻抗相对频率 负载电容和可牵引性在使用并联谐振模式时负载电容是晶体一个重要的指标。在该模式当中，晶体的总电抗呈现感性，与振荡器的负载电容并联，形成了LC谐振回路，决定了振荡器的频率。当负载电容值改变后，输出频率也随之改变。因而，晶体的生产商必须知道振荡器电路中的负载电容，这样可以在工厂中使用同样的负载电容来校准。 如果使用谐振在不同的负载电容上的晶体，那么晶体频率将偏离额定的工作频率，这样参考频率将引入误差。因而，需要添加外部电容，改变负载电容，使晶体重新振荡到需要的工作频率上。 图3给出评估板电路里的晶体图。在这个电路中，C14和C15是串联牵引电容，而C16是并联牵引电容。Cevkit为等效的芯片加上评估印刷板的寄生电容。Cevkit约为5pF。 图3. 评估板晶体等效电路 串联牵引电容会加快晶体振荡，而并联电容会减缓振荡。Cevkit为5pF，如果使用负载电容为5pF的晶体，会振荡到需要的频率上，因而无需外部的电容(C16不接，同时C14和C15在板上短接)。评估板本身使用3pF负载电容的晶体，需要两个电容串联加速振荡。负载电容的计算如下：
在这个例子中，如果不使用两个串联电容，4.7547MHz晶体会振荡在4.7544MHz，而接收机将调谐在314.98MHz而不是315.0MHz，频率误差约为20kHz，也就是60ppm。 因而，关键是使用串联或者并联或者两种形式匹配晶体的负载容抗(取决于电容的值)。例如，1pF并联电容是6pF负载电容所需要的(或者以下的结合形式：C14 = C15 = , C16 = 5pF)。 谨慎使用大电容值的C16，因为它会增大谐振电路的电流，导致晶体停振，图4给出了并联电容和振荡器电流的关系图。 图4. 晶体振荡器电流与附加的并联负载电容的关系 在定制的PCB板中，如果Cevkit未知，可以使用频谱分析仪监测中频(在信号进入频谱分析仪之前确保使用隔直电容)，然后使用串联和并联电容调谐中频频率至。 （ZT自http://www..cn）
作者： cqs168 于
13:57:00 发布：
davidli88你不会是专做电子元件的吧你怎么对各种元件了如指掌啊，不服不行啊。
作者： davidli88 于
14:09:00 发布：
楼上过奖晶体的应用我是比较熟悉，但文章是前两天在的网站上看到的，我可写不出这么好的文章。
作者： 木头东瓜 于
14:13:00 发布：
有高手可以说说声表么？呵呵对其物理模型我还没搞明白
作者： icdragon 于
14:26:00 发布：
楼主，推荐你去周立功网站看下。zlgmcu上有一篇关于51单片机晶振的文章，上面应有讲到你说的问题。可以去看看。
作者： awey 于
14:41:00 发布：
声表－－简单点可以把它看成是个高Q值的LC串连谐振电路&
作者： 木头东瓜 于
14:55:00 发布：
老A，详细说说阿考，我现在想知道如何才能高效的驱动那玩意儿
作者： awey 于
14:58:00 发布：
呵呵。。哪记得那么多，许多东西只记得一个大概，用到时再深究&
作者： computer00 于
15:05:00 发布：
声表的原理――在一块基片上有两对电极（有点象遥控器、电子计算器里面导电橡胶按纽下面那种线路，象梯子一样的），左边一对电极，将电能换成振动；右边一对电极，将振动再换回电能。震动是以声音表面波的形式传过去的，所以叫做声表。通过电极长度、形状等的控制，就可以控制共振频率了，从而实现滤波。
作者： tkgg324 于
17:06:00 发布：
晕死,扯远了哦,&
作者： lsp9900288 于
17:11:00 发布：
赞成一楼的说法把两个电容拿掉后，晶振仍然可以工作的，只是容易被干扰。
作者： hq_y 于
17:15:00 发布：
晶振越高电容越小，到了22M，几乎可以不需要电容了&
作者： tkgg324 于
17:30:00 发布：
如果我把晶振换成LC应该怎么算频率呢?C应该是多大?是不是C2,C3,C4串联的值?不计寄生电容的话.
作者： awey 于
20:01:00 发布：
2 Pi根号LC分之1C为C2、C3、C4的串连电容
作者： tkgg324 于
20:21:00 发布：
我试了一下，好像波形不太好，
作者： awey 于
20:25:00 发布：
正常为正弦波，调整一下C2、C3的参数一般用于振荡源，对波形要求不高。
作者： abszero 于
13:19:00 发布：
huifu晶振旁的两个小电容是什么作用&
作者： jzfbbs 于
14:35:00 发布：
-有两个作用:一个是参与振荡,一个是稳频
作者： jpypcm 于
10:17:00 发布：
晶振晶振旁边的电容跟电阻是用来稳频的，一般是两个电容一个1M的电阻，它的这个外围电路就很稳定了。
作者： Hu.te 于
17:14:00 发布：
真好Thank you davidli88&
作者： wlkkk 于
16:37:00 发布：
LZ你显摆原图本是一偷工减料之术,后图就变为显摆了
作者： zhm5590 于
20:17:00 发布：
负载电容有起振的作用
作者： 秋风痕迹 于
15:03:01 发布：
28楼说的很是正确！帮助起振！！！稳定频率！上边的都是乱扯！
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