怎样看外表辨别内存条的大小_百度文库
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怎样看外表辨别内存条的大小
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内存芯片，是一种用于储存信息的电子产品。
内存芯片识别办法
简单地说:内存之所以能存储资料,就是因为有了这些芯片。
根据品牌的不同,所采用的芯片亦有所区别,具体的识别办法是:
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了编码主要数位的含义，拿到一个后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星，使用16片SAMSUNG K4H280838B-TCB0。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算，具有ECC功能的18片颗粒的实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片贴片的内存条是。
内存芯片代表类型
Hynix(Hyundai)现代
(Hyundai)现代
现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=，5D=DDR SDRAM)；
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2
8、芯片：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、　K :DDR266A
nfineon（亿恒）
Infineon（亿恒）
是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S8MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S8MB/8bits；HYB39S8MB/16bits；HYB39S6MB/8bits。
Infineon工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
1条Kingston的，采用16片的HYB39S.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条的内存条，采用8片Infineon的HYB39S.5的生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（）。
KINGMAX内存的说明
内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax，采用16片KSV884T4A0A-7A 的制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——，TG即。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
含义说明：
W XX XX XX XX
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为，94为DDR RAM?
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为，B为，D为封装
5、:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
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主（Main memory），简称主存。是的一个重要部件，其作用是存放和数据，并能由（CPU）直接。现代是为了提高性能，又能兼顾合理的造价，往往采用。即由存储容量小，存取速度高的，存储容量和存取速度适中的主存储器是必不可少的。主器是按地址存放信息的，存取速度一般与地址无关。32位（比特）的地址最大能表达4GB的。这对多数应用已经足够，但对于某些特大运算量的应用和特大型数据库已显得不够，从而对64位结构提出需求。
主存储器发展简介
主存储器一般采用半导体存储器，与辅助存储器相比有容量小、读写速度快、价格高等特点。计算机中的主存储器主要由存储体、控制线路、地址寄存器、数据寄存器和地址译码电路五部分组成。
从70年代起，主器已逐步采用构成。用得最普遍的也是最经济的动态芯片（DRAM）。1995年集成度为64Mb（可400万个汉字）的DRAM芯片已经开始商业性生产，16MbDRAM芯片已成为市场主流产品。DRAM芯片的存取速度适中，一般为50~70ns。有一些改进型的DRAM，如EDO DRAM（即扩充的DRAM），其性能可较普通DRAM提高10%以上，又如SDRAM（即同步DRAM），其性能又可较EDO DRAM提高10%左右。1998年SDRAM的后继产品为SDRAMⅡ（或称DDR，即双倍数据速率）的品种已上市。在追求速度和可靠性的场合，通常采用价格较贵的芯片（SRAM），其存取速度可以达到了1~15ns。无论主存采用DRAM还是SRAM芯片构成，在断电时的信息都会“丢失”，因此设计者应考虑发生这种情况时，设法维持若干毫秒的供电以保存主存中的重要信息，以便供电恢复时计算机能恢复正常运行。鉴于上述情况，在某些应用中主存中重要而相对固定的程序和数据的部分采用“非易失性”器芯片（如EPROM，快闪等）构成；对于完全固定的程序，数据区域甚至采用（ROM）芯片构成；主存的这些部分就不怕暂时供电中断，还可以防止病毒侵入。
主存储器技术指标
指标含义表现单位
在一个存储器中可以容纳的总数的大小 　字数，字节数
KINGXCON(金士刚)DDR2-533
启动到完成一次器操作所经历的时间 主存的速度 　ns
连续启动两次操作所需间隔的最小时间 主存的速度 　ns
单位时间里存储器所存取的信息量, 它是衡量的重要技术指标，单位是b∕s（ 位/秒）或B∕S（字节/秒）。
存放一个机器字的，通常称为字存储单元，相应的叫字地址。而存放一个字节的单元，称为字节，相应的地址称为字节地址。如果中可的最小单位是字，则该称为按字编址的计算机。如果计算机中可的最小单
电镀金工艺的内存金手指
位是，则该计算机称为按字节编址的计算机。一个机器字可以包含数个字节，所以一个也可以包含数个能够单独编址的字节地址。例如，系列，一个16位字可存放两个字节，可以按字地址寻址，也可以按字节地址寻址。当用字节地址寻址时，16位的占两个字节地址。
主存储器容量
在一个器中容纳的总数通常称为该存储器的存储容量。用字数或字节数(B)来表示，如64K字，512KB，10MB。外存中为了表示更大的存储容量，采用MB，GB，TB等单位。其中1KB=2^10B，1MB=2^20B，1GB=2^30B，1TB=2^40B。B表示，一个字节定义为8个位，所以中一个字的通常为8的倍数。这一概念反映了的大小。
主存储器时间
又称器访问时间或读∕写时间，是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。具体讲，从一次读操作发出到该操作完成，将数据读入为止所经历的时间，即为。
主存储器周期
是指连续启动两次独立的器操作(如连续两次读操作)所需间隔的最小时间。通常，存储周期略大于存储时间，其时间单位为ns
主存储器产品分类
是构成内存的主要部分，其内容可以根据需要随时按地址读出或写入，以某种电触发器的状态存储，断电后信息无法保存，用于暂存数据，又可分为DRAM和SRAM两种。RAM一般使用动态半导体存储器件（DRAM）。因为CPU工作的速度比RAM的读写速度快，所以CPU读写RAM时需要花费时间等待，这样就使CPU的工作速度下降。人们为了提高CPU读写程序和数据的速度，在RAM和CPU之间增加了高速缓存（Cache）部件。Cache的内容是随机存储器（RAM）中部分存储单元内容的副本。
是只读存储器，出厂时其内容由厂家用掩膜技术写好，只可读出，但无法改写。信息已固化在存储器中，一般用于存放系统程序BIOS和用于微程序控制。
是可编程ROM，只能进行一次写入操作（与ROM相同），但是可以在出厂后，由用户使用特殊电子设备进行写入。
是可擦除的PROM，可以读出，也可以写入。但是在一次写操作之前必须用紫外线照射，以擦除所有信息，然后再用EPROM编程器写入，可以写多次。
是电可擦除PROM，与EPROM相似，可以读出也可写入，而且在写操作之前，不需要把以前内容先擦去，能够直接对寻址的字节或块进行修改。
（Flash Memory），其特性介于EPROM与EEPROM之间。闪速存储器也可使用电信号进行快速删除操作，速度远快于EEPROM。但不能进行字节级别的删除操作，其集成度高于EEPROM。
主存储器连接控制
主存储器容量扩展
由于的有限，主存储器往往要是由一定数量的
芯片构成的：位扩展是指只在位数方面扩展（加大），而芯片的字数和存储器的字数。的连接方式是将各的、和读写线相应地并联起来，而将各芯片的单独列出：字扩展是指仅在字数方面扩展，而位数不变。将芯片的、、读写并联，而来区分各个芯片字和位同时扩展：当构成一个较大的容器时，往往需要在字数方向和位数方向上同时扩展。
主存储器芯片片选
要实现对的访问，首先要选择，即进行片选；然后再从选中的芯片中依地址码选择出相应的存储单元，以进行数据的存取，这称为字选。片内的字
选是由CPU送出的N条低位完成的，地址线直接接到所有的地址输入端，而存储芯片的则大多是通过高位地址译码后产生的。
线选法就是用除片内寻址外的高位直接分别接至各个的端，当某地址线信息为0时，就选中与之对应的存储芯片。这些每次寻址时只能有一位有效，不允许同时有多位有效，这样才能保证每次只选中一个芯片。线选法不能充分利用系统的器空间，把分成了相互隔离的区域，给编程带来了一定困难。
全译码法：
全法将除片内外的全部高位都作为地址的输入，译码器的输出作为各芯片的，将它们分别接到的片选端，以实现对存储芯片的选择。全法的优点是每片芯片的地址范围是唯一确定的，而且是连续的，也便于扩展，不会产生地址重叠的区，但全译码法对译码要求较高。
部分法：所谓部分译码法即用除片内寻址外的高位地址的一部分来译码产生，部分译码法会产生地址重叠。
主存储器连接方法
主存与CPU之间的：主存与CPU的硬连接有三组连线：（AB）、（DB）和（CB）。把主存看作一个黑盒子，存储器地址寄存器（MAR）和存储器数据寄存器（MDR）是主存和CPU之间的接口。MAR可以接收由（PC）的指令地址或来自的的地址，以确定要访问的单元。MDR是向主存写入数据或从主存读出数据的缓冲部件。MAR和MDR从功能上看属于主存，但通常放在CPU内。
CPU对主存的基本操作：CPU对主存进行读写操作时
，首先CPU在地址总线上给出地址信号，然后发出相应的读写，并在数据总线上交换信息。读写基本操作如下：
读：读操作是指从CPU送来的地址所指定的中取出信息，再送给CPU，其操作过程如下：
地址——&MAR——ABCPU将地址信号送至地址总线
主存储器发读命令
WaitForMFC等待器工作完成信号
M(MAR)——&DB——&MDR读出信息经数据总线至CPU
写：写操作是指将要写入的信息存入CPU所指定的单元中，其操作过程是：
地址——&MAR——&ABCPU将地址信号送至地址总线
数据——&MDR——&DBCPU将要写入的数据送至数据总线
主存储器发写命令
WaitForMFC等待存储器工作完成信号
CPU与主存之间的速度匹配：同步器读取和异步存储器读取。
异步存储器读取：CPU和主存间没有统一的时钟，由主存工作完成信号（MFC）通知CPU“主存工作已完成”。
同步存储器读取：CPU和主存采用统一时钟，同步工作，因为主存速度较慢，所以CPU与之配合必须放慢速度，在这种存储器中，不需要主存工作完成信号。
主存储器应用技术
主存储器快速读写
快速页式工作技术(动态存储器的快速读写技术)：读写动态存储器同一行的数据时，其第一次读写时锁定后保持不变，以后读写该行多列中的数据时，仅锁存列地址即可，省去了锁存行地址的时间，加快了主器的读写速度。
EDO(ExtendedDataOut)技术：在快速页式工作技术上，增加了部分的数据锁存线路，延长输出数据的有效保持时间，从而地址信号改变了，仍然能取得正确的读出数据，可以进一步缩短地址送入时间，更加快了主存储器的读写速度。
主存储器并行读写
是指在主器的一个工作周期(或较长)可以读出多个主存字所采用的技术。
方案1：一体多字结构，即增加每个主存单元所包括的，使其同时几个主存字，则每一次读操作就同时读出了几个主存字。
方案2：多体交叉技术，把主器分成几个能独立读写的、为一个主存字的主体，分别对每一个存储体进行读写;还可以使几个存储体协同运行，从而提供出比单个存储体更高的读写速度。
有两种方式进行读写：
1在同一个读写周期同时启动所有主存体读或写。
2让主存体顺序地进行读或写，即依次读出来的每一个，可以
通过数据总线依次传送走，而不必设置专门的;其次，就是采用交叉编址的方式，把连续地址的几个存储字依次分配在不同的存储体中，因为根据程序运行的局部性特性，短时间内读写地址相邻的主存字的概率更大。
主存储器数据传送
所谓成组数据传送就是地址总线传送一次地址后，能连续在数据总线上传送多个数据。而原先是每传送一次数据要使用两个：先送一次地址，后跟一次数据传送，即要传送N个数据，就要用2N个总线时钟周期，成组数据传送方式只用N+1个总线时钟周期。
实现成组方式，不仅CPU要支持这种运行方式，主存也能提供足够高的数据读写速度，这往往通过主存的多体结构、的EDO支持等措施来实现。
主存储器动静态
主存储器静态
教学的组成与设计
(1)的存储原理和芯片内部结构(P207)
(2)教学内器的组成与设计
地址总线：记为AB15～AB0,统一由AR驱动，地址寄存器AR只接收ALU输出的信息。
控制总线：控制总线的信号由给出，功能是指出的类型：
（1）内存写周期用MMW信号标记
（2）内存读周期用MMR信号标记
（3）(接口)写周期用IOW信号标记
（4）(接口)读周期用IOR信号标记
（5）内存在工作用MMREQ信号标记
（6）外设在工作用IOREQ信号标记
（7）写控存周期用SWA信号标记
数据总线：分为内部数据总线IB与外部数据总线DB两部分。主要完成各功能部件之间的。设计总线的核心技术是要保证在任何时刻只能把一组数据发送到总线上，却允许一个和多个部件同时接受总线上的信息。所用的通常为三态门电路。
及时序：教学机晶振1.8432MHz，3分频后用614.4KHz的时钟作为系统主时钟，使CPU、内存、IO同步运行。CPU内部的有些用时钟结束时的上升沿完成接受数据，而是用低电平接收的。内存或I/O读写操作时，每个总线周期由两个时钟组成，第一个时钟，称为地址时间，用于传送地址;第二个时钟，称为数据时间，用于读写数据
静态器的字位扩展：
教学计算机的内器用静态存储器芯片实现，由2K字的ROM区和2K字RAM区组成。内存16位，按字寻址。ROM由74LS2716(每片2048个，每单元为8位位)两片完成的扩展。地址分配在：0～2047RAM由74LS6116RAM(每片2048个，每单元为8位位)两片完成的扩展。地址分配在：。
静态存储器地址分配:
为访问2048个，要用11位地址，把地址总线的低11位地址送到每个存储器芯片的地址;对地址总线的高位进行，译码信号送到各存储器芯片的/CS引脚，在按字寻址的存储器系统中实现按读写。
主存储器动态
动态存储器的定期刷新：在不进行读写操作时，DRAM存储器的各单元处于断电状态，由于漏电的存在，保存在电容CS上的电荷会慢慢地漏掉，为此必须定时予以补充，称为刷新操作。
(1)的组成：由单个MOS管来存储一位信息。信息在MOS管的源极的寄生电容CS中。
写数据时：字线为高电平，T导通。
写“1”时，位线()为低电平，VDD()将向电容充电
写“0时，位线()为高电平，若电容了电荷，则将会使电容完成放电，就表示存储了“0”。
读数据时：先使位线(数据线)变为，当字线高电平到来时T导通，若电容原有电荷(是“1”)，则电容就要放电，就会使数据线电位由高变低;若电容没有存储电荷(是“0”)，则数据线电位不会变化。检测上电位的变化就可以区分读出的数据是1还是0。
①读操作使电容原的电荷丢失，因此是破坏性读出。为保持原记忆内容，必须在读操作后立刻跟随一次写入操作，称为预充电延迟。
②向的提供地址，是先送行地址再送列地址。原因就是对必须定时刷新(如2ms)，刷新不是按字处理，而是每次刷新一行，即为连接在同一行上所有的电容补充一次能量。
③在的位线上读出信号很小，必须接读出，通常用触发器线路实现。
④器芯片内部的和列分先后接受行、列地址。
⑤RAS、CAS、WE、Din、Dout时序关系
主存储器主存优化
市场上并不缺少提高数据效率的新技术，然而这些新技术绝大多数都是关注备份和存档的，而非主存储。但是，当企业开始进行主数据缩减时，对他们来说，了解主存储优化所要求的必要条件十分重要。
主，常常被称为1级存储，其特征是存储活跃数据――即经常被存取并要求高性能、低时延和高可用性的数据。主一般用于支持关键任务应用，如数据库、邮件和交易处理。大多数关键应用具有随机的数据取存模式和不同的取存要求，但它们都生成机构用来运营它们的业务的大量的数据。因此，机构制作数据的许多份拷贝，复制数据供分布使用，库存数据，然后为安全保存备份和存档数据。
绝大多数数据是起源于主数据。随着数据存在的时间增加，它们通常被迁移到二级和三级保存。因此，如果机构可以减少主数据占用空间，将能够在数据生命期中利用这些节省下来的和费用。换句话说，更少的主占用空间意味着更少的数据复制、库存、存档和备份。
试图减少主人员可以考虑两种减少数据的方法：实时压缩和数据去重。
直到不久前，由于性能问题，一直没有在主应用中得到广泛应用。然而，Storwize等厂商提供利用实时、压缩/解压技术将数据占用空间压缩15:1的。更高的压缩率和实时性能使压缩解决方案成为主数据缩减的可行的选择。
在备份应用中广泛采用的数据去重技术也在被应用到主。目前为止，数据去重面临着一大挑战，即数据去重处理是离线处理。这是因为确定数量可能多达数百万的文件中的多余的需要大量的时间和存储做大量的工作，因此非常活跃的数据可能受到影响。当前，推出数据去重技术的主要厂商包括NetApp、Data Domain和Ocarina。
主存储器主存部署
主存储器零性能影响
与备份或存档不同，活跃数据集的性能比能够用某种形式的数据缩减技术节省的存储容量更为关键。因此，选择的数据缩减技术必须不影响到性能。它必须有效和简单;它必须等价于“拨动一个，就消耗更少的”。
活跃缩减解决方案只在需要去重的数据达到非活跃状态时才为活跃存储去重。换句话说，这意味着实际上只对不再被存取但仍保存在活跃中的文件――近活跃存储级――进行去重。
去重技术通过建议只对轻I/O工作负载去重来避免性能瓶颈。因此，IT基础设施的关键组件的没有得到优化。数据库排在关键组件清单之首。由于它们是1级和极其活跃的组件并且几乎始终被排除在轻工作负载之外，去重处理从来不分析它们。因此，它们在主中占据的空间没有得到优化。
另一方面，实时压缩系统实时压缩所有流经压缩系统的数据。这导致节省存储容量之外的意外好处：存储性能的提高。当所有数据都被压缩时，每个I/O请求提交的数据量都有效地增加，硬盘空间增加了，每次写和读操作都变得效率更高。
实际结果是占用的硬盘减少，总体性能显著提高。
主去重的第二个好处是所有数据都被减少，这实现了包括数据库在内的所有数据的节省。尽管Oracle环境的实时数据压缩可能造成一些性能问题，但迄今为止的测试表明性能提高了。
另一个问题是对控制器本身的性能影响。人们要求今天的控制器除了做伺服硬盘外，还要做很多事情，包括管理不同的协议，执行复制和管理快照。再向这些功能增加另一个功能可能会超出控制器的承受能力――即使它能够处理额外的工作负载，它仍增加了一个人员必须意识到可能成为潜在I/O瓶颈的过程。将压缩工作交给外部专用设备去做，从性能问题中消除了一个变数，而且不会给控制器造成一点影响。
主存储器高可用性
许多关注二级的数据缩减解决方案不是高可用的。这是由于它们必须立即恢复的备份或存档数据不像一级中那样关键。但是，甚至在二级中，这种概念也逐渐不再时兴，高可用性被作为一种选择添加到许多二级存储系统中。
可是，高可用性在主中并不是可选的选项。从数据缩减格式(被去重或被压缩)中读取数据的能力必须存在。在数据缩减解决方案中(其中去重被集成到中)，性是几乎总是高可用的存储阵列的必然结果。
在市场去重系统中，解决方案的一个组件以数据的原始格式向客户机提供去重的数据。这个组件就叫做读出器(reader)。读出器也必须是高可用的，并且是无缝地高可用的。一些解决方案具有在发生故障时在标准上加载读出器的能力。这类解决方案经常被用在近活跃的或更合适的存档数据上;它们不太适合非常活跃的数据集。
多数联机压缩系统被插入系统中和网络上，放置(逻辑上)在与之间。因此，它们由于网络基础设施级上几乎总是设计具有的高可用性而取得性。沿着这些路径插入联机专用设备实现了不需要IT管理人员付出额外努力的无缝的故障切换;它利用了已经在网络上所做的工作。
主存储器节省空间
部署这些解决方案之一必须带来显著的节省。如果减少占用的主导致低于标准的用户性能，它没有价值。
主数据不具有备份数据通常具有的高模式。这直接影响到总体节省。这里也有两种实现主数据缩减的方法：数据去重和压缩。
数据去重技术寻找近活跃文件中的数据，而能取得什么水平的数据缩减将取决于环境。在具有高水平的环境中，数据去重可以带来显著的ROI(投资回报)，而另一些环境只能取得10%到20%的缩减。
压缩对所有可用数据都有效，并且它在可以为高数据节省更多的存储容量的同时，还为主存储应用常见的更随机的数据模式始终带来更高的节省。
实际上，数据模式冗余度越高，去重带来的空间节省就越大。数据模式越随机，压缩带来的空间节省就越高。
主存储器独立于应用
真正的好处可能来自所有跨数据类型(不管产生这些数据是什么应用或数据有多活跃)的数据缩减。虽然实际的缩减率根据去重数据的水平或数据的压缩率的不同而不同，但所有数据都必须合格。
当涉及存档或备份时，应用特有的数据缩减具有明确的价值，并且有时间为这类数据集定制缩减过程。但是对于活跃数据集，应用的特殊性将造成性能瓶颈，不会带来显著的缩减的好处。
主存储器独立于存储
在混合的厂商IT基础设施中，跨所有平台使用同样的数据缩减的能力不仅将进一步增加数据缩减的ROI好处，而且还简化了部署和管理。每一个平台使用一种不同的数据缩减方法将需要进行大量的培训，并造成管理级上的混乱。
主存储器互补
在完成上述所有优化主的工作后，当到了备份主存储时，最好让数据保持优化的格式(被压缩或去重)。如果数据在备份之前必须扩展恢复为原始格式，这将是浪费资源。
为备份扩展数据集将需要：
使用处理器或外部读出器资源解压数据;
扩展网络资源以把给备份目标;
把额外的资源分配给保存备份数据的备份。
．51cto网[引用日期]
中国电子学会（Chinese Instit...
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