pnp镜像电流源源能否等效为一个电源串并联电阻，同时，pnp镜像电流源源输出电阻是否接在T2管的集电极上

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-05-05 11:45 标签： 镜像电流源计算
常见的双极型晶体管的集成电流源_图文_百度文库
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常见的双极型晶体管的集成电流源
&&常见的双极型晶体管的集成电流源有基本镜像电流源,改进的基本镜像电流源,威尔逊电流源,微电流源,比例电流源,还有多输出电流源。
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三极管电流源电路
发布时间： 15:47:53&&来源：资料室 & &作者：& &更新030
三极管电流源
电流源是模拟集成电路中广泛使用的一种单元电路，如图1所示。
对电流源的主要要求是：
（1）能输出符合要求的直流电流Io。
（2）交流电阻尽可能大。
&图1 三极管电流源电路图
三极管射极偏置电路由Vcc、Rb1、Rb2和Re组成，当Vcc、Rb1、Rb2、Re确定之后，基极电位VB固定（Ib一定），可以推知Ic基本恒定。从三极管的输出特性曲线可以看出：三极管工作在放大区时，Ic具有近似恒流的性质。当Ib一定时，三极管的直流电阻，VCEQ一般为几伏，所以RCE不大。
交流电阻为，为几十千欧至几百千欧。
1 MOS单管源
耗尽型MOS管组成单管电流源，如图2所示。
由交流等效电路图3得：
在分立元件电路中和某些模拟集成电路中，常用JFET接成的电流源。
&&&&&&&&&&&&&&&
图2耗尽型MOS管电流源&&&& 图3交流等效电路
2&基本镜像电流源
基本镜像电流源电路如图4所示。
& 图4 基本镜像电流源电路
T1、T2参数完全相同（即&1=&2，ICEO1=ICEO2）。
原理：因为VBE1=VBE2，所以IC1=IC2
IREF&&基准电流：
推出，当&&&2时，IC2=IC1&IREF&
（1）IC2&IREF，即IC2不仅由IREF确定，且总与IREF相等。
（2）T1对T2具有温度补偿作用，IC2温度稳定性能好（设温度增大，使IC2增大，则IC1增大，而IREF一定，因此IB减少，所以IC2减少）。
（1）IREF（即IC2）受变化的影响大，故要求电源十分稳定。
（2）适用于较大工作电流（mA数量级）的场合。若要IC2下降，则R就必须增大，这在集成电路中因制作大阻值电阻需要占用较大的硅片面积。
（3）交流等效电阻Ro不够大，恒流特性不理想。
（4）IC2与IREF的镜像精度决定于&。当&较小时，IC2与IREF的差别不能忽略。
3. 带有缓冲级的基本镜像电流源（改进电路一）
图5 基本镜像电流源电路
图5是带有缓冲级的基本镜像电流源，它是针对基本镜像电流源缺点（4）进行的改进，两者不同之处在于它增加了三极管T3，其目的是减少三极管T1、三极管T2的IB对IR的分流作用，提高镜像精度，减少&值不够大带来的影响。
此时镜像成立的条件为&1(&3+1)&&2，这条件比较容易满足。或者说，要保持同样的镜像精度，允许T的&值相对低些。
4. 比例电流源（改进电路二）
图6是带有发射极电阻的镜像电流源，它是针对基本镜像电流源缺点（3）进行的改进，其中Re1=Re2，两管输入仍有对称性，所以：
图6 镜像电流源及其等效电路
求T2的输出电阻Ro：
输出阻值较大，所以这种电流源具有很好的恒流特性。温度稳定性比基本的电流源好得多。
若此电路Re1不等于Re2，则：
VBE1+IE1Re1=VBE2+IE2Re2
（式中，IE1即IR，IE2即Io）
参数对称的两管在IC相差10倍以内时，|VBE1-VBE1|&60mV。
所以，如果Io与IR接近，或IR较大，则&DVBE可忽略。
即只要合理选择两T射极电阻的比例，可得合适的Io、Ro。因此，此电流源又称为比例电流源。
5 微电流源
有些情况下，要求得到极其微小的输出电流IC2，这时可令比例电流源中的Re1=0，如图7即可以在Re2不大的情况下得到微电流IC2。
原理：当IR一定时，Io可确定为：
可见，利用两管基-射电压差&DVBE可以控制Io。由于&DVBE的数值小，用阻值不大的Re2即可得微小的工作电流&&微电流源。
微电流源特点：
图7 微电流源电路
（1）T1，T2是对管，基极相连，当Vcc、R、Re2已知时，&（略去VBE），当VBE1、VBE2为定值时，也确定了。
（2）当VCC变化时，IREF、&DVBE也变化，由于Re2 的值一般为千欧级，变化部分主要降至Re2 上，即&DVBE2&&&DVBE1，则IC2的变化远小于IREF的变化。因此电源电压波动对工作电流IC2影响不大。
（3）T1管对T2管有温度补偿作用，IC2的温度稳定性好。总的说来，电流&小&而&稳&。小&&R不大时IC2可以很小（微安量级）。稳&&Re2（负反馈）使恒流特性好，温度特性好，受电源变化影响小。进一步，电流的数学关系为：
IoRe2=VBE1-VBE2
若&&&&& &&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&
则&IC2 Re = 26ln10&60mV
即电流每增加10倍，IC2 Re总是增加60mV。因此得到电流每增加10倍，Re上的电压增加60mV的简单数学关系式，使计算十分方便。
思考：若要求提供10&A的输出电流，使用Vcc=6V的电源，R=19k&O，你如何设计这个电流源？
6 串接电流源
为获得更高的输出电阻，利用T3，T4组成的基本电流源代替Re1，Re2，主要是用T4的输出电阻代替Re2 。由图8得：
再由电路图及等效电路图9可求出输入电流Io及输出电阻Ro。
图8&串接电流源电路图&&&&& 图9 等效电路图
7 电流源的主要应用
前面曾提到，增大Rc可以提高共射放大电路的电压增益，但是，Rc不能很大，因为在集成工艺中制造大电阻的代价太高，而且，在电源电压不变的情况下，Rc越大，导致输出幅度越小。那么，能否找到一种元件代替Rc，其动态电阻大，使得电压增益增大，但静态电阻较小，因而不致于减小输出幅度呢？自然地，可以考虑晶体管恒流源。由于电流源具有直流电阻小，交流电阻大的特点，在模拟集成电路中较为广泛地把它作负载使用&&有源负载，如图10所示。
其等效电路如图11所示。
图10&镜像电流源作为T1集电极Rc&&&&&&&&& 图11& 等效电路图
从等效电路可知，电流源提供了比较大的Rc，这样，可使AV达到甚至更高。
&&&&&&&&&&&&&&
电流源也可用作射极负载（Re）
镜像电流源-比例电流源-微电流源-MOS单管电流源-电路图
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