pwm波控制pwm直流电机机调节电压从而达到调整LED灯亮度。求原理求解释,还不是很理解

求帮助分析电路,PWM驱动恒流源驱动LED灯电路
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pwm波控制直流电机调节电压从而达到调整LED灯亮度。求原理求解释,还不是很理解
pwm波控制直流电机调节电压从而达到调整LED灯亮度。求原理求解释,还不是很理解到底怎么实现的
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PWM控制的基本原理PWM(Pulse Width Modulation)控制——脉冲宽度调制技术,通过对一系列脉冲的宽度进行调制,来等效地获得所需要波形(含形状和幅值)。PWM控制技术在逆变电路中应用最广,应用的逆变电路绝大部分是PWM型,PWM控制技术正是有赖于在逆 变电路中的应用,才确定了它在电力电子技术中的重要地位。理论基础:冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。冲量指窄脉冲的面积。效果基本相同,是指环节的输出响应波形基本相同。低频段非常接近,仅在高频段略有差异。图1 形状不同而冲量相同的各种窄脉冲面积等效原理:分别将如图1所示的电压窄脉冲加在一阶惯性环节(R-L电路)上,如图2a所示。其输出电流i(t)对不同窄脉冲时的响应波形如图2b所示。从波形可以看出,在i(t)的上升段,i(t)的形状也略有不同,但其下降段则几乎完全相同。脉冲越窄,各i(t)响应波形的差异也越小。如果周期性地施加上述脉冲,则响应i(t)也是周期性的。用傅里叶级数分解后将可看出,各i(t)在低频段的特性将非常接近,仅在高频段有所不同。图2 冲量相同的各种窄脉冲的响应波形用一系列等幅不等宽的脉冲来代替一个正弦半波,正弦半波N等分,看成N个相连的脉冲序列,宽度相等,但幅值不等;用矩形脉冲代替,等幅,不等宽,中点重合,面积(冲量)相等,宽度按正弦规律变化。SPWM波形——脉冲宽度按正弦规律变化而和正弦波等效的PWM波形。图3 用PWM波代替正弦半波要改变等效输出正弦波幅值,按同一比例改变各脉冲宽度即可。PWM电流波: 电流型逆变电路进行PWM控制,得到的就是PWM电流波。PWM波形可等效的各种波形:直流斩波电路:等效直流波形SPWM波:等效正弦波形,还可以等效成其他所需波形,如等效所需非正弦交流波形等,其基本原理和SPWM控制相同,也基于等效面积原理。随着电子技术的发展,出现了多种PWM技术,其中包括:相电压控制PWM、脉宽PWM法、随机PWM、SPWM法、线电压控制PWM等,而本文介绍的是在镍氢电池智能充电器中采用的脉宽PWM法。它是把每一脉冲宽度均相等的脉冲列作为PWM波形,通过改变脉冲列的周期可以调频,改变脉冲的宽度或占空比可以调压,采用适当控制方法即可使电压与频率协调变化。可以通过调整PWM的周期、PWM的占空比而达到控制充电电流的目的。PWM技术的具体应用PWM软件法控制充电电流本方法的基本思想就是利用单片机具有的PWM端口,在不改变PWM方波周期的前提下,通过软件的方法调整单片机的PWM控制寄存器来调整PWM的占空比,从而控制充电电流。本方法所要求的单片机必须具有ADC端口和PWM端口这两个必须条件,另外ADC的位数尽量高,单片机的工作速度尽量快。在调整充电电流前,单片机先快速读取充电电流的大小,然后把设定的充电电流与实际读取到的充电电流进行比较,若实际电流偏小则向增加充电电流的方向调整PWM 的占空比;若实际电流偏大则向减小充电电流的方向调整PWM的占空比。在软件PWM的调整过程中要注意ADC的读数偏差和电源工作电压等引入的纹波干扰,合理采用算术平均法等数字滤波技术。软件PWM法具有以下优缺点。优点:简化了PWM的硬件电路,降低了硬件的成本。利用软件PWM不用外部的硬件PWM和电压比较器,只需要功率MOSFET、续流磁芯、储能电容等元器件,大大简化了外围电路。可控制涓流大小。在PWM控制充电的过程中,单片机可实时检测ADC端口上充电电流的大小,并根据充电电流大小与设定的涓流进行比较,以决定PWM占空比的调整方向。电池唤醒充电。单片机利用ADC端口与PWM的寄存器可以任意设定充电电流的大小,所以,对于电池电压比较低的电池,在上电后,可以采取小电流充一段时间的方式进行充电唤醒,并且在小电流的情况下可以近似认为恒流,对电池的冲击破坏也较小。缺点:电流控制精度低。充电电流的大小的感知是通过电流采样电阻来实现的,采样电阻上的压降传到单片机的ADC输入端口,单片机读取本端口的电压就可以知道充电电流的大小。若设定采样电阻为Rsample(单位为Ω),采样电阻的压降为Vsample(单位为mV), 10位ADC的参考电压为5.0V。则ADC的1 LSB对应的电压值为 5000mV/1024≈5mV。一个5mV的数值转换成电流值就是50mA,所以软件PWM电流控制精度最大为50mA。若想增加软件PWM的电流控制精度,可以设法降低ADC的参考电压或采用10位以上ADC的单片机。PWM采用软启动的方式。在进行大电流快速充电的过程中,充电从停止到重新启动的过程中,由于磁芯上的反电动势的存在,所以在重新充电时必须降低PWM的有效占空比,以克服由于软件调整PWM的速度比较慢而带来的无法控制充电电流的问题。充电效率不是很高。在快速充电时,因为采用了充电软启动,再加上单片机的PWM调整速度比较慢,所以实际上停止充电或小电流慢速上升充电的时间是比较大的。为了克服2和3缺点带来的充电效率低的问题,我们可以采用充电时间比较长,而停止充电时间比较短的充电方式,例如充2s停50ms,再加上软启动时的电流慢速启动折合成的停止充电时间,设定为50ms,则实际充电效率为(2000ms-100ms)/2000ms=95%,这样也可以保证充电效率在90%以上。纯硬件PWM法控制充电电流由于单片机的工作频率一般都在4MHz左右,由单片机产生的PWM的工作频率是很低的,再加上单片机用ADC方式读取充电电流需要的时间,因此用软件PWM的方式调整充电电流的频率是比较低的,为了克服以上的缺陷,可以采用外部高速PWM的方法来控制充电电流。现在智能充电器中采用的PWM控制芯片主要有TL494等,本PWM控制芯片的工作频率可以达到300kHz以上,外加阻容元件就可以实现对电池充电过程中的恒流限压作用,单片机只须用一个普通的I/O端口控制TL494使能即可。另外也可以采用电压比较器替代TL494,如LM393和LM358等。采用纯硬件PWM具有以下优缺点。优点:电流精度高。充电电流的控制精度只与电流采样电阻的精度有关,与单片机没有关系。不受软件PWM的调整速度和ADC的精度限制。充电效率高。不存在软件PWM的慢启动问题,所以在相同的恒流充电和相同的充电时间内,充到电池中的能量高。对电池损害小。由于充电时的电流比较稳定,波动幅度很小,所以对电池的冲击很小,另外TL494还具有限压作用,可以很好地保护电池。缺点:硬件的价格比较贵。TL494的使用在带来以上优点的同时,增加了产品的成本,可以采用LM358或LM393的方式进行克服。涓流控制简单,并且是脉动的。电池充电结束后,一般采用涓流充电的方式对电池维护充电,以克服电池的自放电效应带来的容量损耗。单片机的普通I/O控制端口无法实现PWM端口的功能,即使可以用软件模拟的方法实现简单的PWM功能,但由于单片机工作的实时性要求,其软件模拟的PWM频率也比较低,所以最终采用的还是脉冲充电的方式,例如在10%的时间是充电的,在另外90%时间内不进行充电。这样对充满电的电池的冲击较小。单片机 PWM控制端口与硬件PWM融合对于单纯硬件PWM的涓流充电的脉动问题,可以采用具有PWM端口的单片机,再结合外部PWM芯片即可解决涓流的脉动性。在充电过程中可以这样控制充电电流:采用恒流大电流快速充电时,可以把单片机的PWM输出全部为高电平(PWM控制芯片高电平使能)或低电平(PWM控制芯片低电平使能);当进行涓流充电时,可以把单片机的PWM控制端口输出PWM信号,然后通过测试电流采样电阻上的压降来调整PWM的占空比,直到符合要求为止。PWM一般选用电压控制型逆变器,是通过改变功率晶体管交替导通的时间来改变逆变器输出波形的频率,改变每半周期内晶体管的通断时间比,也就是说通过改变脉冲宽度来改变逆变器输出电压副值的大小。其整流部分与逆变部分基本是对称的。总之,最后的输出波形可调,副值可调,甚至功率因数也可调,不过,好象都是用正弦波做为基波的啦。
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PWM驱动MOS管控制并联LED灯亮度及通断的几个疑惑
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原理图如下:
如图所示,PWM波的频率为1KHz,通过控制占空比来调节LED亮度,控制原理大概了解,主要有以下几点疑惑,烦请对此了解的网友不奢赐教~
1. FB100磁珠的作用通常来说是用来消除高频信号干扰的,一定要用在MOS管的D级吗?该磁珠的参数该如何选择;
2.MOS管S级为什么还要接一个NPN相关电路,该电路有什么作用,如果S级直接接地会有什么影响;
3.如果PWM的电平为TTL5V,该电路除了改变R102与R103的分压比外,可否选用其他的MOS管,选择的MOS管相对于原来的MOS管,参数需要做出哪些调节;
在此先谢过了.
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短路 R101 和磁珠,并去掉三极管后的电路为原始的 LED 灯驱动电路。
根据电源电压和 PWM 信号的电压选择和计算这部分元器件的参数。
一般 LED 灯有一个特点:
灯点亮后温度会升高 -& LED 正向压降下降 -& LED 流过的电流增加 -& LED 灯温度升高……
这是一个正反馈过程最终导致 LED 灯寿命缩短,甚至直接烧坏。
为此加入 R101 和三极管进行限流。
PWM 信号会使 LED 频繁地通断。
快速地通断转换对 LED 灯来说是一种应力。
降低这种应力的方法就是让这种状态的转换过程慢下来。
因此加入磁珠,从而提高 LED 灯的可靠性。
据此,可以用另一种方法来实现同样的目的:
在场效应管 GS 间并联一个电容。
两种方案的选择可依据最终电路的器件成本来确定。
对于一般的 LED 指示灯(5mA~10mA),可不考虑此应力。
赞一个!分析很好
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电路应该去掉的是磁珠和R100,
磁珠可能会损坏LED;
R100是浪费电。
你下面那堆电路(MOS管、三极管、R101)已经构成了一个约100mA的恒流源;
通过1kHz的PWM就已经可以调节LED的亮度了。
这个电路中也不会产生“高频干扰”,有10k的R102在的话,MOS开关的边沿是很缓慢的(us级别)。
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短路 R101 和磁珠,并去掉三极管后的电路为原始的 LED 灯驱动电路。
根据电源电压和 PWM 信号的电压选择和 ...
多谢解答,对于你说的限流与减缓变化过在该电路中的必要性能够理解,不过磁珠是如何减慢这个过程的原理不是很清楚,我的理解是磁珠作为一个阻抗元件,用在电源侧往往是用来消耗掉高频谐波的;
另外对于你说的在GS间并联电容,我的理解是它构成了一个RC积分电路,把变化的方波变成峰峰值比较小的三角波,它实际起到一个把电压平均的作用,如果是这样,当占空比比较低时,是否会存在三角波的最大幅值小于MOS管的开启电压Vgs(th)的情形,使MOS管一直都不能导通了.(如果不平均的话,方波的高电平是肯定能够导通MOS管的,利用LED的余辉效果,应该能够保持发光的).
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电路应该去掉的是磁珠和R100,
磁珠可能会损坏LED;
R100是浪费电。
磁珠为什么会损坏LED,其中的机制我不是很理解,
R100在电路中的作用,我的理解是它分担一部分电路功耗,用来减少MOS管的功耗,不知到这种理解对不对;
限流与恒流,应该是有区别的,在该电路中,按0.7Vbe导通电压来计算的话,它大概构成了一个140mA左右的限流保护电路;
10K电阻对MOS开关边沿的影响,以前从来没这个经验,多谢指点.
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磁珠为什么会损坏LED,其中的机制我不是很理解
磁珠是一种电感……减缓状态转换过程都是通过对电感/电容的充放电来实现的。
另外对于你说的在GS间并联电容,我的理解是它构成了一个RC积分电路,把变化的方波变成峰峰值比较小的三角波,它实际起到一个把电压平均的作用,如果是这样,当占空比比较低时,是否会存在三角波的最大幅值小于MOS管的开启电压Vgs(th)的情形,使MOS管一直都不能导通了.(如果不平均的话,方波的高电平是肯定能够导通MOS管的,利用LED的余辉效果,应该能够保持发光的).
在 GS 不并联电容的情况下,PWM 占空比的控制范围为 0%~100%;
并联了电容后,PWM 占空比的控制范围缩小为 a%~b%(0% & a% & b% & 100%)。
这种情况是否可接受视具体应用而定。
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仅对5楼的问题解释一下:
磁珠不会损坏LED,相反对LED有好处;
R100的作用,你的理解正确;
限流与恒流,你的理解正确;
因为MOS管的G极有结电容,这个电容与10k电阻构成了一个积分电路,时间常数越大G级的电压速率变化越慢,所以会影响开关的边沿。
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磁珠为什么会损坏LED,其中的机制我不是很理解,
R100在电路中的作用,我的理解是它分担一部分电 ...
关于磁珠,7楼所说可能更对些。但是“磁珠”是否真有那么“纯”?(本人未详细测试过,所以是揣测)
其他的说实话,因为不知你电路的意图是什么,也很难正确的分析。
图中LED||8,3V/15mA可以理解为8个LED并联,每个LED的电流控制在15mA以下?
不知这个LED灯做何用,8个LED直接并联并非好方案,这种操作对LED的VF一致性要求是很高的。
而且,电源电压是12V,却只用了3V来点灯,浪费严重。
如果条件允许,可以采用3串3并形式(每串中加一个几欧姆的电阻),共9个LED。
如果,这个LED灯是用来做某些机器视觉类的光源,那么就很不适合用PWM来调光了。
当前电路,如果PWM占空比100%,那么CJ2310上的功耗将达到0.52W,如果这个管子是SOT23封装,肯定是不行的。
另外,那部分不是限流电路,而是恒流,只是这个恒流的温度特性较差而已。
你任何一次开启,此电路的MOS管都是工作与线性状态,没有意外,而且,负载电流也不会有其他值,所以叫恒流。
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这个电路的设计者没有搞懂大功率LED的特性,想当然的设计。
短路 R101 和磁珠,并去掉三极管后的电路为原始的 LED 灯驱动电路。
根据电源电压和 PWM 信号的电压选择和 ...
一般 LED 灯有一个特点:
灯点亮后温度会升高 -& LED 正向压降下降 -& LED 流过的电流增加 -& LED 灯温度升高……
这是一个正反馈过程最终导致 LED 灯寿命缩短,甚至直接烧坏。
为此加入 R101 和三极管进行限流。
每错啦,分析到位
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一般 LED 灯有一个特点:
灯点亮后温度会升高 -& LED 正向压降下降 -& LED 流过的电流增加 -& LED 灯温度 ...
如果电路中出现了“灯点亮后温度会升高 -& LED 正向压降下降 -& LED 流过的电流增加”这样情况,
那么已经可以肯定地说,这是个错误的设计。
VF标称为3V的LED,只有蓝光LED以及以蓝光激发黄色荧光粉的白光LED,
白光LED常用作照明,为了得到稳定的光强,需要恒流供电;
所以,将其恒流驱动理解为“限流”就是错误的。
人家LED的手册上只会提供光强(或光通量)与电流的关系曲线,而不会有电压的。
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如果电路中出现了“灯点亮后温度会升高 -& LED 正向压降下降 -& LED 流过的电流增加”这样情况,
那么已 ...
我也感觉是限流的。如果电流过大,在R101上的压降大于0.7V时,三极管导通,MOS管关断。如果电流小于设定值,根本不可能恒流。
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请教2个问题:
1.室温下,当R101的压降为0.55V,三极管会怎么样?
2.假设,PWM(3.3V)端口为1kHz方波(0~3.3V),并且在PWM(3.3V)为高电平时,负载(LED)电流小于“限流”(所谓小于“限流”,是指三极管和场效应管未处于线性区)的时间占比是多少?
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如果电路中出现了“灯点亮后温度会升高 -& LED 正向压降下降 -& LED 流过的电流增加”这样情况,
那么已 ...
确实 LED 应该用恒流驱动。
LZ 的图应该不是一个优秀的设计。
或许只是拿来探讨原理的。
如果是用于实际产品中的电路,
或可考虑下列简易实用的驱动电路(小电流情况):
根据 LED 电流要求以及电源电压等,
改变这两个电阻的阻值即可。
假设(PWM 信号的)电源电压为 3.3 V,要求的 LED 电流为 15 mA。则
R802 = 0.7 V / 15 mA = 46.67 Ohm (取 47 Ohm)
LED 电流 = 0.7 V / 47 Ohm = 14.89 mA
假设三极管电流放大倍数为 50,则
R801 的基极电流 = 14.89 mA / 50 = 0.2978 mA
R801 = (3.3 - 0.7 - 0.7) V / 0.2978 mA = 6.38 KOhm (取 6.2 KOhm)。
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本帖最后由 模拟粉 于
09:52 编辑
确实 LED 应该用恒流驱动。
LZ 的图应该不是一个优秀的设计。
或许只是拿来探讨原理的。
请问q802是处于放大状态,而q801是饱和状态吗?
那么r801取很小都行
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请问q802是处于放大状态,而q801是饱和状态吗?
那么r801取很小都行
对这个电路,我的理解和你的相同。
R801 确实可以考虑取更小的阻值,
尤其在 PWM 信号频率较低的时候。
当 PWM 频率升高的时候,
可能又会涉及“深度饱和”的问题……
在这种情况下,R801 应该有一个最优的取值。
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对这个电路,我的理解和你的相同。
R801 确实可以考虑取更小的阻值,
你在17楼的电路是不会“深度饱和”的。
而且,如果图中三极管没有损坏的情况下,R802的电压也不可能达到0.7V。
R801只要足以驱动Q801就可以了,为了提高响应,可以在R801上并联一个几十pF的电容。
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你在17楼的电路是不会“深度饱和”的。
而且,如果图中三极管没有损坏的情况下,R802的电压也不可能达到 ...
假设 Q801 接 LED 和 VCC,则:
R802 上的压降为 Vbe = 0.7 V;
Q801 上的压价为 Vce;
LED 上的压降为 Vf =3 V。
Vce = Vcc - Vf - Vbe = Vcc - 3.7 V
在大部分情况下 (Vcc &= 5V) ,
Q801 确实不会进入饱和状态。
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