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，同样需要将衬底厚度减薄至一定程度。减薄后的衬底背面存在表面损伤层，其残余应力会导致减薄后的外延片弯曲变形且容易在后继工序中碎裂，从而影响成品率。因此，在减薄后必须对衬底背面进行抛光，以去除上述表面损伤层，消除残余应力。一般情况下，需要将外延片的厚度从400mm以上减薄至100mm附近或更薄。由于蓝宝石硬度很高，上述背减薄和抛光工作通常要耗费较长的时间，这样，背减薄和抛光的加工...
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通过实验发现:氧化铝砂纸干式抛光使光纤连接器的回波损耗仅保持在32～38dB 之间;氧化硅砂纸干式抛光会造成光纤端面污损,使得连接器的回波损耗降低到20dB 以下;氧化铝与氧化硅砂纸湿式抛光均可使光纤连接器的回波损耗提高到45～50dB ,但氧化铝砂纸湿式抛光会造成80nm 以上的光纤凹陷。因此,制作高回波损耗的光纤连接器应优先选用氧化硅砂纸湿式抛光工艺,抛光时间应控制在20～30s。...
基于PLC技术的机器人自由曲面抛光控制设计已经在生产实践中得到应用，基本满足了生产的需求 &&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&nbsp...
介绍了00Cr25Ni6Mo2N双相（A＋F）钢制甲铵泵柱塞与阀座，经过循环抛光硫氮碳共渗处理，渗层深度为（90～100）μm，显微硬度为（680～920）HV0．05。经装机试验，寿命达到1年。比进口镀铬件提高1倍，比国产耐蚀钢镀铬件提高3～6倍。此产品可以代替进口柱塞和阀座类耐蚀耐磨件，此工艺可以代替镀铬工艺。...
制造业是我国国民经济的重要组成部分。随着经济的发展，客户对加工工艺提出新的要求，之前的手工作业很难达到客户的工艺标准。如何从手工作业逐步转为自动化控制生产，是国内制造业需要考虑的问题。运动控制技术的成熟，为制造业实现自动化提供了便利。表带抛光机的投用，就是基于运动控制技术的成熟而提升钟表抛光行业自动化层次的一种举措。...
硅晶片抛光加工工艺的实验研究...
公司立足自主创新，攻克了12 英寸硅单晶生长的热场设计和安全、杂质和缺陷的控制、硅片几何参数的精密控制、表面金属和颗粒的去除等关键技术难题，形成了从单晶生长到晶片加工、处理和检测的自有成套技术，并利用该套技术开发成功直径12 英寸硅单晶抛光片新产品，填补了国内空白。产品关键参数达到了国际先进水平，可满足0.13－0.10 微米线宽的先进集成电路制造技术要求，并建成...
6 英寸重掺砷硅单晶及抛光片有研半导体材料股份有限公司1 半导体硅材料在国民经济中的意义在全球信息化和经济全球化的进程中，以通信业、计算机业、网络业、家电业为代表的信息技术，获得了飞速发展，信息产业已经成为每一个发达国家的第一大产业。进入21世纪以来，我国信息产业的发展已超过传统产业而成为国民经济中第一大产业和对外出口创汇的支柱产业。半导体工业，特别是集成电路工业是信息产业的基础和核心...
&&&&&&&&对蓝宝石衬底片的化学机械抛光进行了研究。系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数, 通过大量实验, 总结出了其影响因素并提出了优化方案。...
机器人辅助模具自动抛光研究及发展趋势...
气囊式抛光是一种新颖的非球面抛光工艺，是一种前沿的制造技术。本文通过对气囊抛光进动原理和抛光试验机床结构的分析，并根据气囊抛光的工作机理和控制参数，提出采用以Pc嵌入CNC控制卡方式的气囊抛光数控体系结构。其硬件系统以Pc与PMAC控制器为核心，能够控制6个运动轴；数控系统的软件系统建立在Windows通用操作系统平台，具有很强的开放性、可操作性以及功能扩展性。...
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查看更多更多回答23aada高频三极管一般应用在VHF、UHF、CATV、无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器上，这些使用场合大都用在低电压、小信号、小电流、低噪声条件下，其功率最大2.25瓦，集电极电流最大500毫安，其在使用过程中的选用原则为：
(1)当三极管使用的环境温度高于30℃时，耗散功率Pcm应降额60-80%使用。
(2)三极管应尽量远离发热元件，以保证三极管能稳定正常地工作。
(3)在三极管的参数中，有一些参数容易受温度的影响如iceo、ubeo和β值。其中iceo和ubeo随温度变化而变化的情况如下:
①　温度每升高6℃，硅管的iceo将增加一倍;
②温度每升高l0℃，锗管的iceo将增加一倍;
③硅管ubeo随温度的变化量约为1·7mv/℃。
⑷如果使用在3V、5V的低电压的情况下，击穿电压不要选择的太大，击穿电压过大(高于15V)，其在低压时的线性就不好，反而影响使用。
⑸输入信号较弱时，建议在初级放大使用插入增益小一些的2SC3356，次级放大选用增益大些的BFQ591或者2SC3357。
⑹选用的高频三极管的截止频率fT应为实际使用频率的八分之一到十分之一，以减小使用时的插入噪声以及提高增益。
(7)在高频或微波电路中使用的三极管，为了减小寄生效应，引出线应尽量短，最好使用表面贴封装形式。
(9)为防止功率三极管出现二次击穿，应尽量避免采用电抗成分过大的负载。
(10)在能满足整机要求放大参数的前提下，选用插入增益与直流放大系数hfe合适的三极管，以防产生自激。一般的，初级放大要求插入增益较小，其直流放大系数hfe要选择较大的，次级放大要求插入增益较大，其直流放大系数hfe不宜过大。
(11)高频三极管在接人电路时，应先接通基极。在集电极和发射极有电压时，不要断开基极电路。
(12)高频三极管的种类很多，因此应根据具体电路的要求来确定三极管的类型，然后根据三极管的主要参数进行选用。
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①　温度每升高6℃，硅管的iceo将增加一倍;
②温度每升高l0℃，锗管的iceo将增加一倍;
③硅管ubeo随温度的变化量约为1·7mv/℃。
⑷如果使用在3V、5V的低电压的情况下，击穿电压不要选择的太大，击穿电压过大(高于15V)，其在低压时的线性就不好，反而影响使用。
小柒0421高频三极管一般应用在VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器上,这些使用场合大都用在低电压、小信号、小电流、低噪声条件下，其功率最大2.25瓦，集电极电流最大500毫安。
薛倩_2271三极管的频率响应特性不一样，具有高频信号放大作用的三极管叫高频三极管，一般频率响应特性在3MHZ 以上的是高频三极管，它主要用于高频放大电路里，如无线电设备的前置放大(高频)、混频电路、振荡电路电路等等，大功率高频三极管则主要用于无线电功率发射电路。
_静jing_等待高频三极管一般应用在VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器上,这些使用场合大都用在低电压、小信号、小电流、低噪声条件下，其功率最大2.25瓦，集电极电流最大500毫安
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