STM8单片机内部EEPROM问题_百度知道
STM8单片机内部EEPROM问题
程序如下，两个问题。第一：为什么DUL为0时才解锁？手册不是说这一位为1时解锁吗？第二：为什么使用STVD进行软件仿真时，把0x55写到EEPROM的0x4000的地址中，仿真结果，0x55却到了0x4001的地址上，而0x4000的地址是0。（仿真时，MEMORY的结果如下）void&main(void)& & & & //主函数{//unsigned&char&i;//unsigned&char&Data&=&0x55;//unsigned&int&*StratA//TIM_TIMER_IRQInit();while&(1){IWDG();//if&(TimeFlag.Flag2ms){TimeFlag.Flag2ms&=&0;E畅穿扳费殖渡帮杀爆辑EPROM_WriteByte(0x4000);& & & & //将0x55写到EEPROM的0x4000的地址中}}}void&EEPROM_Unlock(void)& & & & //EEPROM解锁{do{FLASH_DUKR&=&0x56;FLASH_DUKR&=&0xAE;}while((FLASH_IAPSR&&&0x08)&==&0);//等待解锁成功}void&EEPROM_Lock(void)& & & & //锁EEPROM{FLASH_IAPSR&|=&0x08;//Set&DUL//FLASH_IAPSR&&=&0x;//Clear&EOP}void&EEPROM_WriteByte(unsigned&int&StartAddress)& &//写一个字节到EEPROM地址{unsigned&int&*EEPROM_Address,AAddress&=&StartAEEPROM_Address&=&(unsigned&int&*)AEEPROM_Unlock();*EEPROM_Address&=&0x55;while((FLASH_IAPSR&&&0x04)&==&0);EEPROM_Lock();}
提问者采纳
这个问题我来回答你吧.第一,是你理解错了,手册并没有错,DUL为1时解锁.看程序:do{
FLASH_DUKR = 0x56;
FLASH_DUKR = 0xAE;}while((FLASH_IAPSR & 0x08) == 0);//等待解锁成功那个While的意思:如果FLASH_IAPSR 的BIT3位为0,那么,FLASH_IAPSR & 0x08 就会等于0,这个时候,((FLASH_IAPSR & 0x08) == 0)这个条件就成立,那么就会循环.相反,如果FLASH_IAPSR 的BIT3位为1,那么,FLASH_IAPSR & 0x08 就会等于0x08,这个时候,((FLASH_IAPSR & 0x08) == 0)这个条件就不会成立,那么就会退出循环.所以,DUL位为1才表示解锁,是你自己理解错了. 第二个问题,所有的单片机存储方式分两种,一种是大端,另一种是小端,举例来说: unsigned short * P = (unsigned short *)0x0000;unsigned long *Q = (unsigned long *)0x0004;*P = 0x1234;*Q = 0x那么,如果是小端存储,各个地址存储的内容应该如下:地址 00
0x12 小端比较好理解,如果是大端,各内容应该如下:地址 00
0x78 相信我这样举例子你应该明白了吧?STM8是大端方式, 你向 unsigned int 类型的地址里写 0x55,那么被扩展成 0x0055如果是小端方式 0x00放在高半段,也就是地址 0x4001上,而0x4000上放0x55但是STM8是大端方式,所以 把低半段0x55放在高地址0x4001,而把高半段0x00放在低地址0x4000上. 如果你想把0x55放在0x4000上,改一下函数:void EEPROM_WriteByte(unsigned int StartAddress)
//写一个字节到EEPROM地址{unsigned int *EEPROM_Address,AAddress = StartAEEPROM_Address = (unsigned int *)AEEPROM_Unlock();*EEPROM_Address = 0x55;while((FLASH_IAPSR & 0x04) == 0);EEPROM_Lock();}把那个里面所有的 unsigned int 修改成 unsigned char
提问者评价
太好了，非常感谢你！！！
来自团队：
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STM8L152 ADC_DMA读出数有移动
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#define ADC1_DR_ADDRESS& && &&&((uint16_t)0x5344)
#define BUFFER_SIZE& && && && &((uint8_t) 0x08)
#define BUFFER_ADDRESS& && && &((uint16_t)(&Buffer))
signed int Buffer[BUFFER_SIZE]&&= {0,0,0,0,0,0,0,0};
void ADC_DMAInit(void)
& &&&ADC_DeInit(ADC1);
& &&&DMA_GlobalDeInit();
& &&&CLK_PeripheralClockConfig(CLK_Peripheral_ADC1,ENABLE);
& &&&CLK_PeripheralClockConfig(CLK_Peripheral_DMA1,ENABLE);
& &&&ADC_Init(ADC1,ADC_ConversionMode_Continuous,ADC_Resolution_12Bit,ADC_Prescaler_2);
& &&&ADC_SamplingTimeConfig(ADC1,ADC_Group_SlowChannels,ADC_SamplingTime_384Cycles);
& &&&ADC_SamplingTimeConfig(ADC1, ADC_Group_FastChannels, ADC_SamplingTime_384Cycles);
& &&&ADC_Cmd(ADC1, ENABLE);& &&&
& &&&ADC_ChannelCmd(ADC1,ADC_Channel_2,ENABLE);//电位器4
& &&&ADC_ChannelCmd(ADC1,ADC_Channel_8,ENABLE);//电位器3
& &&&ADC_ChannelCmd(ADC1,ADC_Channel_9,ENABLE);//电位器2
& &&&ADC_ChannelCmd(ADC1,ADC_Channel_10,ENABLE);//电位器1
& &&&ADC_ChannelCmd(ADC1,ADC_Channel_18,ENABLE);
& &&&ADC_ChannelCmd(ADC1,ADC_Channel_19,ENABLE);
& &&&ADC_ChannelCmd(ADC1,ADC_Channel_20,ENABLE);
& &&&ADC_ChannelCmd(ADC1,ADC_Channel_21,ENABLE);
& &&&SYSCFG_REMAPDMAChannelConfig(REMAP_DMA1Channel_ADC1ToChannel0);
& &&&DMA_Init(
& && && && && &DMA1_Channel0,
& && && && && &BUFFER_ADDRESS,
& && && && && &ADC1_DR_ADDRESS,
& && && && && &BUFFER_SIZE,
& && && && && &DMA_DIR_PeripheralToMemory,
& && && && && &DMA_Mode_Circular,
& && && && && &DMA_MemoryIncMode_Inc,
& && && && && &DMA_Priority_High,
& && && && && &DMA_MemoryDataSize_HalfWord);
& &&&DMA_Cmd(DMA1_Channel0, ENABLE);
& &&&DMA_ITConfig(DMA1_Channel0,DMA_ITx_TC,ENABLE);
& & DMA_GlobalCmd(ENABLE);
& & ADC_DMACmd(ADC1, ENABLE);
& & ADC_SoftwareStartConv(ADC1);
& &ADC_ExternalTrigConfig(ADC1, ADC_ExtEventSelection_Trigger2,
& && && && && && && && &ADC_ExtTRGSensitivity_Falling);
程序是参照官方例程写的，中断里没有进行操作，只是程序里对读数Buffer数组里的数进行操作，上电运行刚开始正常，但过一些时间后出现读出来的Buffer[]与设置好的AD口不对应，如Buffer[0]可能是电位器2的读数，也可能电位器3等其他读数，请大神帮忙解决下
满意回复+8
这两部分程序有没有操作同一块内存？会不会是这里的问题。
有移动？电平不稳定呀
#define ADC1_DR_Address
//ADC1 Peripheral address
#define DMA_BUF_SIZE 4
unsigned int
DMA_Bufer[DMA_BUF_SIZE] = {0};
/*ADC init*/
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void EepromWrite(int RunTime,int Adress)& & //写Eeprom
& & int *p;
& & p = (int *)A
& && &FLASH-&DUKR = 0
& && &FLASH-&DUKR = 0x56;
& & while((FLASH-&IAPSR & 0x08) == 0);
& & *p = RunT& && && && && && && &//写入时间
& & while((FLASH-&IAPSR & 0x04) == 0); //等待写操作成功
发现了这个问题不是ADC_DMA初始运行出错的问题，是写这个内部e2prom有冲突导致，只要这个一执行，DMA读ADC的数据顺序就出错，具体为何，如果处理作为菜鸟我不清楚
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这两部分程序有没有操作同一块内存？会不会是这里的问题。
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#define ADC1_DR_Address& &0x5344& && &&&//ADC1 Peripheral address
#define DMA_BUF_SIZE 4
unsigned int&&DMA_Bufer[DMA_BUF_SIZE] = {0};
/*ADC init*/
ADC_DeInit(ADC1);
ADC_Cmd(ADC1, ENABLE);& && && & //enable adc1
ADC_DMACmd(ADC1, ENABLE);& && & //enable the DMA transfer
ADC_Init(ADC1,
& && && &ADC_ConversionMode_Continuous,
& && && &ADC_Resolution_12Bit,
& && && &ADC_Prescaler_1);& &// 12 clk= system clk
ADC_SamplingTimeConfig(ADC1, ADC_Group_SlowChannels, ADC_SamplingTime_384Cycles);& && &&&//sample time setting
ADC_ChannelCmd(ADC1, ADC_Channel_19, ENABLE);& & //channel setting
ADC_ChannelCmd(ADC1, ADC_Channel_20, ENABLE);& & //channel setting
ADC_ChannelCmd(ADC1, ADC_Channel_21, ENABLE);& & //channel setting
ADC_ChannelCmd(ADC1, ADC_Channel_22, ENABLE);& & //channel setting
SYSCFG_REMAPDMAChannelConfig(REMAP_DMA1Channel_ADC1ToChannel0);
/*DMA Init*/
DMA_Init(DMA1_Channel0,
& && && &(uint32_t)DMA_Bufer,
& && && &ADC1_DR_Address,
& && && &DMA_BUF_SIZE,
& && && &DMA_DIR_PeripheralToMemory,
& && && &DMA_Mode_Circular,
& && && &DMA_MemoryIncMode_Inc,
& && && &DMA_Priority_High,
& && && &DMA_MemoryDataSize_HalfWord);
DMA_SetCurrDataCounter(DMA1_Channel0,DMA_BUF_SIZE);
DMA_ITConfig(DMA1_Channel0, DMA_ITx_TC, ENABLE);
DMA_ITConfig(DMA1_Channel0, DMA_ITx_HT, DISABLE);
DMA_Cmd(DMA1_Channel0, ENABLE);
在DMA中断中我将一个标志位置1，然后再main的while（1）里面检测该标志位，为1时通过串口输出，也出现和楼主一样的问题，而且ADC_SamplingTime_384Cycles这个不同时，DMA读到的数据顺序也会出现不一样，不知道是哪儿的问题，希望斑竹能帮忙解释一下。
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有移动？电平不稳定呀
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这两部分程序有没有操作同一块内存？会不会是这里的问题。
有，但EEPROM写前只是对AD读数的读取，理论上不影响
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有移动？电平不稳定呀
听某大神说写内部eeprom时，会拉其他外设的电压，我用写完EEPROM后再对AD初始化回避这个问题了，但这样浪费资源
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STM8S 片内EEPROM 数据写不进去
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用的是IAR编译器，碰到了一个奇怪的问题 EEPROM的地址范围是0xff
向0x4000 写数据是可以的 eeprom_write_bytes（0x",4）;
但向0x4100写数据就不可以eeprom_write_bytes（0x",4），通过STVP查看存储区，没有数据写入
下面是代码，麻烦给指点下，谢谢！
void eeprom_write(unsigned long addr,unsigned char num)
&FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MEMTYPE_DATA);& //确保前面的操作完成
&FLASH_Unlock(FLASH_MEMTYPE_DATA); //解锁写保护
&FLASH_ProgramByte(addr,num);
&FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_MEMTYPE_DATA);& //等待操作完成
&FLASH_Lock(FLASH_MEMTYPE_DATA); //写保护
void eeprom_write_bytes(unsigned long addr,unsigned char *pbuf,unsigned char len)
&for(i=0;i&i++)
&&eeprom_write(addr+i,*pbuf++);
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是因为STM8S&有的版本只有128字节？
目前在玩STM32,BBB,RPi
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用过STM8S105c6的EEPROM，按照datasheet推荐步骤操作，没发现什么问题啊，挺好用的
把看到的有意义的例子进行扩充,并将其切实的运用到自己的设计中。
应用确实不容易，水平是在不断的实践中完善和发展的。
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SRM8S103配的芯片我用了。。不可以。。是芯片问题估计
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你八成用的是stm8s003吧
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stm8s003最大到0x407f
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楼主您好&&&请问这个问题你解决了没？就是0x4100以上的地址无法存储&&&写的时候地址是对的&&但是一写就写到4000-40FF里面去了
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帮顶&.......
做人要出于情，做事要出于心！
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学习 学习 现在正在弄保存数据。
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嵌入式软件（16）
&&& STM8L带有片上EEPROM，常用来保存参数，事实上STM8L整个程序存储区都可以用于作为EEPROM，只是默认情况下被闭了。
&&& 不同型号的STM8L器件其内部默认划分的EEPROM区域都是从0x1000地址开始，以下为STM8LXX的EEPROM读写例：
#define EEPROM_STARTADDR 0x1000
&&&& //EEPROM读数据方法
uint8 EEPROM_Read(uint16 Addr,uint8 *RxBuffer,uint8 Length)
uint16 T=0;
uint8 *EEP;
EEP=(uint8 *)(EEPROM_STARTADDR+Addr);
FLASH_DUKR=0xAE;
FLASH_DUKR=0x56;
FLASH_CR2=0x00;
while((!(FLASH_IAPSR&S3))&(T&0xFFFF))T++;
if(T==0xFFFF)return 0;
while(Length--){
*RxBuffer++=*EEP++;
&&& //EEPROM读数据方法
uint8 EEPROM_Write(uint16 Addr,uint8 *RxBuffer,uint8 Lenth)
uint16 T=0;
uint8 *EEP;
EEP=(uint8 *)(EEPROM_STARTADDR+Addr);
FLASH_DUKR=0xAE;
FLASH_DUKR=0x56;
FLASH_CR2=0x00;
while((!(FLASH_IAPSR&S3))&(T&0xFFFF))T++;
if(T==0xFFFF)return 0;
while(Lenth--){
*EEP++=*RxBuffer++;
while((!(FLASH_IAPSR&S2))&(T&0xFFFF))T++;
if(T==0xFFFF)return 0;
FLASH_IAPSR&=~S3;
&&& STM8LXX核对数据，程序存储器进行统一编址，所以可以直接对EEPROM进行读写，之间需要进行解锁操作，通过FLASH_DUKR完成,写入特定序列的密码即可，由于EEPROM的写入速度较慢，所以需要进行等待，判断其上一步工作是否已完成。实测发现，当CPU主频变化时，其等待时间差别较大，使用时应注意，并且需要加入等待超时处理。
参考知识库
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