导读：1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的这种半导体内的多数载流子为自由电子，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，只是共价键上多出了电子或少了电子，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，即使是发射区能向基区发射电子，可用于整流、钳位、限幅和电子开关，在数字电子技术中起开关作用，一、填空题：1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的这种半导体内的
一、填空题：
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的这种半导体内的多数载流子为
，少数载流子为
，定域的杂质离子带 正 电。
2、双极型三极管内部有区、区，有
结及向外引出的三个铝电极。
3、因PN结具有PN结正向偏置时，内、外电场方向PN结反向偏置时，其内、外电场方向
4、二极管的伏安特性曲线可划分为四个区，分别是向截止 区和
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的
极；与黑表棒相接触的电极是二极管的
极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被
；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通
6、BJT中，由于两种载流子同时参与导电因之称为双极型三极管，属于控制型器件；FET中，由于只有多子一种载流子参与导电而称为单极型三极管，属于
控制型器件。
7、当温度升高时，二极管的正向电压，反向电压。
8、稳压二极管正常工作应在
区；光电二极管正常工作应在
9、晶闸管有阳极、极三个电极。
10、晶闸管既有单向导电的作用，又有可以控制导通时间的作用。晶闸管正向导通的条件是
阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压
，关断的条件是
晶闸管反偏或电流小于维持电流
二、判断下列说法的正确与错误：
1、P型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P型半导体带负电.。
2、双极型三极管和场效应管一样，都是两种载流子同时参与导电。
3、用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10k档位。
4、温度升高时，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。（ 对 ）
5、无论任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
6、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。
7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。
8、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可改变成P型半导体。 （ 对 ）
9、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
10、晶闸管门极上加正向触发电压，晶闸管就会导通。
三、单项选择题：
1、单极型半导体器件是（ C ）。
B、双极型三极管
C、场效应管
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。
3、在掺杂半导体中，多子的深度主要取决于（ B ）。
B、掺杂浓度
C、掺杂工艺
D、晶体缺陷
4、稳压二极管正常工作区是（
B、正向导通区
C、反向截止区
D、反向击穿区
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（
A、多子扩散
B、少子扩散
C、多子漂移
D、少子漂移
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（
D、反向击穿区
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（
D、无法判断
8、当PN结未加外部电压时，扩散电流（
）漂移电流。
9、三极管超过（
）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICM
B、集―射极间反向击穿电压U（BR）CEO
C、集电极最大允许耗散功率PCM
D、管子的电流放大倍数
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（
A、发射结正偏、集电结正偏
B、发射结反偏、集电结反偏
C、发射结正偏、集电结反偏
D、发射结反偏、集电结正偏
四、简答题：
1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
3、齐纳击穿和雪崩击穿能否造成二极管的永久损坏？为什么？
答：齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，其过程可逆，只要控制使其不发生质变引起热击穿，一般就不会造成二极管的永久损坏。
4、图1.41所示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压U0。
答：分析：根据电路可知，当ui&E时，二极管导通u0=ui，
当ui&E时，二极管截止时，u0=E。所以u0的波形图如下图
5、半导体二极管由一个PN结构成，三极管则由两个PN结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？
答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，根据三极管的内部结构条件，基区很薄，只能是几个微米，若将两个二极管背靠背连接在一起，其基区太厚，即使是发射区能向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续扩散到集电区，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、有A、B、C三个二极管，测得它们的反向电流分别是2μA、0.5μA和5μA，在外加相同的电压时，电流分别是10mA、30mA和15mA。比较而言，哪个二极管的性能最好？
答：二极管在外加相同的正向电压下电流越大，其正向电阻越小；反向电流越小，其单向导电性能越好，所以综合来看，B管的性能最好。
8、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什t 图1.41
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
9、晶闸管可控整流电路中为什么需要同步触发？如果不采用同步触发，对电路输出电压将产生什么影响？
答：实际应用的晶闸管触发电路是可控“触发”。只有当触发脉冲与主电路电压同步时，在晶闸管承受的正半周电压范围内，门控极才能获得一个时刻相同的正向触发脉冲，晶闸管也才可能“触发”起到可控导通作用。因此，晶闸管可控整流电路中必须采用同步触发，否则由于每个正半周的控制角不同，输出电压就会忽大忽小发生波动，从而产生失控现象。
五、计算分析题：
1、图1.42所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。
（1）UCE=3V，IB=60μA，IC=？
（2）IC=4mA，UCE=4V，ICB=？
（3）UCE=3V，IB由40~60μA时，β=？
解：A区是饱和区，B区是放大区，C区是
（1）观察图1.42，对应IB=60μA、UCE=3V
处，集电极电流IC约为3.5mA；
（2）观察图1.42，对应IC=4mA、UCE=4V
处，IB约小于80μA和大于70μA；
（3）对应ΔIB=20μA、UCE=3V处，ΔIC≈1mA，所以β≈。
2、已知NPN型三极管的输入―输出特性曲线如图1.43所示，当
IC (mA) UCE (V)
图1.42 自测题五.1电路图
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自由电子和空穴称为载流子
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&&&& 本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子，但数量少，导电能力仍然很弱。如果在本征半导体中掺人微量的杂质元素，可以使杂质半导体的导电能力得到改善，寻电性能将会大大提高，并受所掺杂质的类型和浓度控制，使半导体获得重要的用途。由于掺人半导体中的杂质不同，杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体两大类。&&& 1．N型半导体&&& 在本征半导体硅（或锗）中， 掺入微量的五价元素，如磷(P)。掺人的杂质并不改变本征半导体硅（或锗）的晶体结构，只是半导体晶格点阵中的某些硅（或锗）原子被磷原子所取代。五价元素的4个价电子与硅（或锗）原子组成共价键后，将多余一个价电子，如图1-5所示。这一多余的电子不受共价键的束缚，只需获得较小的能量，就能挣脱原子核的束缚而成为自由电子。于是，半导体中自由电子的数量剧增。五价元素的原子因失去一个外层电子而成为正离子（注意此时它不产生空穴，不能像空穴那样能被电子填充而移动参与导电，所以它不是载流子）。
&&&&&&&&&&&&&&&& &&& 杂质半导体中，除了杂质元素释放出的自由电子外，半导体本身还存在本征激发所产生的电子一空穴对。由于增加了杂质元素所释放出的自由电子数，导致这类杂质半导体中的自由电子数远大于空穴数。自由电子导电成为此类杂质半导体的主要导电方式，故称它为电子型半导体，简称N型半导体。在N型半导体中，电子为多数载流子（简称多子），空穴为少数载子（简称少子）。由于杂质原子可以提供自由电子，故又称为施主原子。N型半导体主要靠自由电子导电，在本征半导体中掺入的杂质越乡，所产生的自由电子数也越多，杂质半导体的导电能力就越强。&&& 2．P型半导体&&& 在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，如硼(B)。杂质原子取代晶体中某些晶格上的硅（或锗）原子，三价元素的3个价电子与周围4个原子组成共价键时，缺少一个电子而产生了空位，如图1 -6所示。此空位不是空穴，所以不是载流子，但是邻近的硅（或锗）原子的价电子很容易来受主原子填补这个空位，于是在该价电子的原位上就产生了一个空穴，而三价元素却因多得了一个电子而成了负离子。在室温下，价电子几乎能填满杂质元素上的全部空位，而使其成为负离子，与此同时，半导体中产生了与杂质元素原子数相同的空穴，除此之外，半导体中还有因本征激发所产生的电子一空穴对。因此，在这类半导体中，空穴的数目远大于自由电子的数目，导电是以空穴载流子为主，故称空穴型半导体，简称P型半导体。P型半导体中的多子是空穴，少子为自由电子，主要靠空穴导电。与N型半导体相同，掺入的杂质越多，空穴的密度越高，导电能力就越强。因杂质原子中的空位吸收电子，故又称为受主原子。
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在半导体中，只有电子能导电'这句话对吗？可能大部分人都会认为这句话是错的。'导体和半导体的区别在于前者只有电子参与导电，而后者既有电子又有空穴参与导电'这句话对吗？可能大部分人都会认为这句话是对的。其依据是：在半导体中同时存在二种载流子：自由电子与空穴，半导体在外电场的作用下，一方面带负电的自由电子定向移动形成电子电流，另一方面带正电的空穴也会定向移动形成空穴电流。半导体中流过的总电流是这两个电流之和。事实果真如此吗？ 先来看看什么是空穴？空穴就是半导体的共价键结构中应该有价电子而实际上没有价电子的地方。空穴一般在如下二种情况下形成：一是本征激发（由于半导体本身的温度不是绝对零度，半导体中的某些价电子能够获得足够的能量从而摆脱共价键的束缚，从共价键结构中跑出来变成自由电子，在半导体的共价键结构中便产生了一个空位，形成空穴）；二是P型半导体（本征半导体中掺入三价杂质元素时，由于三价杂质元素只能提供三个电子，缺少一个电子，在半导体的共价键结构中便产生了一个空位，形成空穴）。 当在半导体材料的两端外加电场时，一方面半导体内的自由电子在外电场的作用下会产生定向移动，从而形成电子电流。另一方面在外电场的作用下半导体中的价电子也会从原来的位置跑出来成为自由电子，在外电场的作用下定向移动后又进入到另外的一个空位再次成为价电子，形成了一个不是由原半导体中的自由电子所形成的一个电子电流。这个电流我们暂时称为'价电流'（价电流并非是价电子的移动形成，而是价电子成为自由电子后，定向移动一定距离后又变成价电子的过程中所形成的电流'。'价电流'实际上也是电子电流, 只不过不是我们通常认为的半导体内部已经存在的自由电子所形成的罢了。半导体中流过的总电流实际上是电子电流与'价电子'电流共同移动所形成的电流，所以我们的结论是：在半导体内部只能是电子能导电。这便是半导体内部导电的事实。 那么，为何现行的电子技术书籍中都会出现空穴带正电，空穴定向移动形成空穴电流这一说法呢？实际上是从另一个角度来分析问题，把'价电子'在半导体内部的定向移动看做是空穴在向与'价电子'移动方向的反方向移动。为了便于理解，教材中一般都是把半导体中'价电子'的移动看成是空穴在移动，价电子的移动方向与空穴的移动方向相反，由于价电子是带负电的，我们就认为空穴带正电的。半导体中流过的总电流就成为了带负电的自由电子移动所形成的电子电流与带正电的空穴移动所形成的空穴电流之和，这便是教材中所描述的半导体内部导电机制。
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&#165&219元P型半导体_百度百科
P型半导体，也称为型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的。
P型半导体特点
中有两种：导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，则该类型的半导体就称为P型半导体。[1]
“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主
数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。[2]
由于P型半导体中正电荷量与量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的就越高，导电性能就越强。
P型半导体形成原理
要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。[2]
冯端．固体物理学大辞典：高等教育出版社，1995
李庆臻．简明自然辩证法词典：山东人民出版社，1986
中国电子学会（Chinese Instit...
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