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& 高通8系上支持的APT功能问题
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等级：助理工程师帖子：42被删：0经验：216RD币：79.4来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 17:06:221#
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请教各位大侠，关于这个平均功率跟踪（APT）技术, 具体是怎么样一个机制啊？应该根据输出功率会调整PA的供电电压，就像MTK的DC-DC PA 供电一样，那可调整的PA供电电压范围又是多少呢？如果哪位有相关的文档可以提供，不胜感激！[]
海大等级：版主帖子：398被删：-14经验：1674RD币：5837.9来自：北京&朝阳注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 15:08:482#
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一般的调整电压是0.6-Vbat的范围，可以参考RF6650的datasheet，或者是RF7241的datasheet.其实就是一个查表（power VS DAC&Vcc）的过程，没有太特殊的地方。提高效率的机制：比如输出10dBm的功率，根本不需要Vcc=3.4V。所以将电压降低到了比如1.5V。电流不变的情况下面，同样的输出，消耗的功率变小了。具体可以参考高通的文档。
.cn/haidadeblog
等级：助理工程师帖子：42被删：0经验：216RD币：79.4来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 20:34:303#
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多谢版主指点，具体高通的文档是哪一个专门谈到APT呢？
等级：高级工程师帖子：195被删：0经验：878RD币：165来自：注册：
&|&&|&&|&　发表于 11:45:094#
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screen.width-500)this.style.width=screen.width-500;">相关图片[]：
等级：实习生帖子：5被删：0经验：47RD币：58来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 23:07:425#
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我也有个相关问题，麻烦各位帮我看下。高通的8260采用GPIO_82(TX_AGC_ADJ)发出的PWM来控制RF DC-DC的输出。那么控制PWM的输出应该是由MSM8260某个寄存器来控制. 哪位仁兄能告知是哪个寄存器吗？手头上的资料不足，实在查不到啊。
等级：资深技术专家帖子：3965被删：-76经验：13431RD币：1666来自：北京&海淀注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 11:06:356#
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想请教下海大兄，加入APT后，功控就复杂了一些，那ILPC的性能是不是会受到些影响？ 理论上ILPC对功率波动是非常敏感的，因为我做得平台没有这种机制，所以想了解一下它的特性，多谢！
给我一个小小的家 蜗牛的家 挡风遮雨的地方 不必太大
等级：资深工程师帖子：363被删：-1经验：1574RD币：258.4来自：河北&北京注册：
&|&&|&&|&　发表于 23:02:347#
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供电调整的幅度应该没那么大，功率波动会控制在理想范围内吧。这个是锦上添花的优化功能，不会影响本身的ILPC才对。海大、fengmo。这个问题继续啊，讲讲明白，多谢多谢！！！
诚实做人，踏实做事！
等级：助理工程师帖子：24被删：0经验：124RD币：36来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 23:05:208#
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好像8系列+WTR1605L上加入APT后ILPC还好.实在有问题局调下几个PA时序的NV就可以,因为ILPC在功率切换点最容易出问题.&&但是实际上引入APT后输出功率跟没有APT时是一样的, 从校准出来的线性表中看出,假如输出功率一样,没有APT的话,Vbias=780(3.4V),RGI=60,引入APT后,Vbias=600(2.64V),RGI=63,我们发现当PA的VCC2电压降低时,RGI有所增加,不过测出来的电流还是减少了. 做APT特征化曲线时留了7dB的ACLR余量,射频性能不会恶化. PA VCC2的供电电压范围是1V到3.4V, 因为VCC2 在1v以下的话低功率时会出一些问题. 还有好像高通的在APT上的算法还有待优化,没有达到DCDC厂商的预期.
等级：版主帖子：1062被删：-28经验：4542RD币：4203.1来自：火星注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 23:24:509#
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用qspr做出APT表，导入qspr校准，查看手机在各功率级的ACLR, ILPC指标，有问题的话，在修改APT表，重复。必要的话再修改些NV.
年轻就要在阳光下尽情的挥洒汗水!!!
等级：实习生帖子：8被删：0经验：86RD币：86.7来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 16:50:3210#
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以下是引用fengmo44在 11:06:35的发言：想请教下海大兄，加入APT后，功控就复杂了一些，那ILPC的性能是不是会受到些影响？ 理论上ILPC对功率波动是非常敏感的，因为我做得平台没有这种机制，所以想了解一下它的特性，多谢！APT就是为了提升效率，gain不会变化，PA通过APT的调整使得工作在线性区的末端，也就是gain不会压缩，功率不会有变化，线性度稍稍恶化，也就不存在你说的ILPC的问题查看: 13805|回复: 152
高通平台RF校准问题
该用户从未签到
本帖最后由 BYD 于
14:39 编辑
我们在做高通平台RF校准时，首先要做RGI Bais Chart 和PinPout Chart。
在校准的Sweep1时需要利用RGI Bais Chart 得到的4对RGI、Bais对来计算M-line得到M-line Table。
那么软件是如何利用4对RGI、Bais对来计算得到M-line的？（具体的数据调用过程）
还有在Sweep2中的DPD又是怎么回事？
本人看了好几天也没有搞清其中的过程和转换关系。
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签到天数: 255 天[LV.8]以坛为家I
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签到天数: 236 天[LV.7]常住居民III
校准过程中的Bias变化是不会影响PA线性的，所以不会得出四条单独的曲线而会得出一条完整的曲线，四组值是来优化PA切换点的，你所说的M-line我不知道是什么，我认为就是得出的曲线，同时也是PA的特性曲线。
该用户从未签到
请指教，AMAM/AMPM的具体意义是什么？DPD补偿失真又是怎样的一个过程？
QPSK和16QAM调制都是幅度和相位调制方式, 也就是幅度和相位同时携带信息。因为这种调制峰均比非1的关系，AMAM/AMPM失真就是放大过程中由于幅度信息的不同放大增益(从时域角度来看)导致的幅度和相位的失真。DPD就是预先把补偿(反向失真)加入到IQ信号,对冲PA放大后的失真。高通在校准过程sweep2中抓IQ对比放大前后的信号，然后建DPD信息。
该用户从未签到
我的理解是：
首先j软件计算对应关系RGI-&Vin，Bais-&Vcc，Pout-&Vout，得到四对（Vin，Vcc，Vout），
然后每对（Vin，Vcc，Vout）的Vin从0扫描到255，分别得到经过这四个点的四条曲线，
再捕获这四条曲线的n-dB压缩点，而M-line则是穿过这四个压缩点或附近的一条直线(计算得到)，
最后，在这条直线上取所需点（Vin，Vcc，Vout）再转换成（RGI，Bais，Pout）存储到M-line Table中。
不知道是否正确？而DPD又是怎么回事？
该用户从未签到
签到天数: 83 天[LV.6]常住居民II
我是为了10RD 来回帖的。
签到天数: 63 天[LV.6]常住居民II
刚刚接触，感谢分享！
签到天数: 468 天[LV.9]以坛为家II
高通有相应的文档，可以下来看看，我理解也没深，几句话说不出来。
签到天数: 236 天[LV.7]常住居民III
跟着你们学习来的
签到天数: 3 天[LV.2]偶尔看看I
谁有高通的说明文档，分享一下啊
该用户从未签到
校准过程中的Bias变化是不会影响PA线性的，所以不会得出四条单独的曲线而会得出一条完整的曲线，四组值是来 ...
我们做的校准方式是XPT(即APT+EPT方式)，M-line大概如下图：
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该用户从未签到
因为EPT和ET都需要PA工作在压缩模式而非线性模式会产生AMAM/AMPM失真，所以需要DPD(数字预失真)来补偿失真
该用户从未签到
该用户从未签到
因为EPT和ET都需要PA工作在压缩模式而非线性模式会产生AMAM/AMPM失真，所以需要DPD(数字预失真)来补偿失真
请指教，AMAM/AMPM的具体意义是什么？DPD补偿失真又是怎样的一个过程？
签到天数: 153 天[LV.7]常住居民III
学习学习！
签到天数: 24 天[LV.4]偶尔看看III
应该就是PA工作下的几种状态吧，作为菜鸟的我是这样子理解的，同学习~
该用户从未签到
谢谢！希望有大神继续跟帖啊~~
该用户从未签到
本帖最后由 BYD 于
17:26 编辑
QPSK和16QAM调制都是幅度和相位调制方式, 也就是幅度和相位同时携带信息。因为这种调制峰均比非1的关系， ...
其实我就是对m-line和DPD信息建立的过程不理解，你能详细得说一下整个过程吗？让大家都学习一下。非常感谢。
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签到天数: 191 天[LV.7]常住居民III
上面文档可以share吗？
Powered by电池不够快充来凑 高通QC 4.0功率提升
电池不够快充来凑 高通QC 4.0功率提升
续航作为手机目前最大的瓶颈，除了单纯的增加电池容量外，似乎没有什么好的办法。好在我们还有快充，虽然电池用的快，但是充电速度也不差。一定程度上弥补了续航不足的问题。
【机锋网】续航作为手机目前最大的瓶颈，除了单纯的增加电池容量外，似乎没有什么好的办法。好在我们还有快充，虽然电池用的快，但是充电速度也不差。一定程度上弥补了续航不足的问题。
Quick Charge历代对比（图片来自高通）
早在6年前，高通就推出了Quick Charge第一代充电解决方案&QC 1.0。虽然只是5V2A，但相比当年的5V0.5A充电，速度已经快了不少。随后QC 2.0诞生，在保证2A电流的同时，实现了18W的大功率传输。而现在主流的QC3.0技术，则将最大电流也提升到了3A，同时因为电压更低，所以效率提升最高达38%，充电速度提升27%，发热降低45%。
Quick Charge 4.0（图片来自高通）
为了与谷歌的USB PD协议相配合，高通又推出了QC4.0技术。这一次功率提升到了28W，同时加入USB PD的支持。有5V5.6A和9V3A两种输出方案可供选择。而搭载QC4.0技术的手机有望在明年初首发。
机锋视角：快充已经成为手机中不可或缺的功能之一，它就像当年的视网膜屏幕一样。一旦用上，就再也回不去了。
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