carrier在电镀行业是什么意思_百度知道
carrier在电镀行业是什么意思
s actual deployment might yet be years away. 中国航母离真正上阵可能仍有几年时间;(r)][美][ˈkæ:1carrier[英][ˈ [医学]带菌者. 中国联通是iphone在中国的独家运营商;riə.The chinese carrier'.搬运人。 2; 复数;kæ 运输公司;]n：carriers例句.China unicom is the only chinese carrierriɚ 搬运器
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出门在外也不愁日,美国纳斯达克石墨烯概念股CVD Equipment Corp. Nasdaq: CVV继续上涨4.28%,盘中创出新高13美元,至此该股本周暴涨58.35% 。CVD Equipment 在过去的半年时间上涨了257.43%。这足以说明,本世纪最具颠覆性的、改变世界的神奇新材料--石墨烯已经受到资本市场的狂热追捧。 其实,美国并没有专业批量生产石墨烯的上市公司。但在上市公司中,CVD Equipment 公司处于石墨烯研发、制造及相关纳米设备还有众多其它设备制造的前沿。CVD Equipment 的石墨烯研发是CVD Equipment 公司和美国哥伦比亚大学石墨烯实验室联合进行的。 CVD Equipment 公司的应用实验室能够为多种高新纳米材料提供制作工艺开发及材料生长等服务,所涉及的纳米材料包括:碳纳米管、晶硅或其他材质的纳米线、CVD石墨烯、透明导电氧化物,以及其他使用CVD工艺制作的材料。公司曾组织过一系列的CVD 技术研究,并拥有可进行CVD石墨烯产品生产的仪器设备。这些由CVD工艺制作的石墨烯将被用于制造石墨烯电子产品、感应器、微机电系统和太阳能电池等。与石墨烯、石墨、碳纳米管、金刚石、碳化硅、碳纤维以及炭黑粘上边的个股如下:1、中国宝安000009。目前,中国宝安000009是我国唯一研制成功石墨烯的上市公司,也是我国唯一能量产石墨烯的企业。按照中国宝安子公司贝特瑞负责人透露的信息,目前公司石墨烯的月才能已经达到100千克。贝特瑞是全球最大的锂离子电池负极材料生产商,公司技术路线以天然石墨为主,在天然石墨的深加工方面具备天然的优势。并且贝特瑞拥有中国天然鳞片状石墨主要产地之一的黑龙江鸡西石墨矿,未来石墨深加工原材料丰富而且优质。技术和原材料的双重储备为宝安成功制造石墨烯奠定了天然的基础。2、方大碳素600516。公司主营炭素制品和铁矿石,其中炭素制品包括石墨电极、炭砖、等静压石墨,公司是国内最大的石墨电极生产企业,产能近20万吨,居亚洲第一,世界第三,石墨电极是最大的收入来源。公司的炭新材料品种齐全,盈利能力强,广泛应用于冶金、军工、航空、核电等领域,其中公司在炭砖已有多项专利,具有很强的竞争优势。公司下属子公司成都炭素具有4000吨等静压石墨产能,成为国内产量最高,产品规格最大的龙头企业。一季度盈利能力创金融危机以来新高2011年1季度,公司实现营业收入9.03亿元,同比增长50.79%营业利润2.16亿元,同比增长294.54%归属于母公司的净利润1.72亿元,同比增长257.21%。实现每股收益0.135元。符合我们的预期。收入大增源于多业务共振。我们认为公司一季度收入大幅增长的主要原因是:1、随着钢铁行业复苏,及对炭素厂的限电影响,公司石墨电极和碳砖销售回暖, 虽然价格的变化并不明显,但销量尤其是出口量有明显恢复2、公司莱河矿业在去年7月份完成扩产,铁精粉产能由60万吨,增至100万吨,一季度铁精粉的量价齐升也是一个原因。我们预计今年产量可达85万吨,同比增长27%3、公司在2010年7月收购生产等静压石墨的成都炭素,今年是产销放量的一年, 对一季度收入增长也起了一定的作用。3、中钢吉炭000928。公司是中国最大的综合性炭素制品生产企业,目前总产能15万吨年,产品达到十一大类五十六个品种,主要有石墨电极、石墨阳极、炭块、特种炭制品、炭纤维制品等,广泛应用于冶金、化工、机械、电子、航天、军工、医疗及新材料等领域。公司目前重点发展碳纤维项目。公司在江城投资的碳纤维项目于2008年开建,一期500吨年的生产线建设将于今年8月投产,二期1500吨年的生产线建设将于2012年年底投产,届时江城碳纤维公司年产能将达到2000吨,成为国内重要碳纤维生产基地。公司目前拥有江城碳纤维公司30%股权。碳纤维市场现在处于高速发展当中,世界碳纤维需求每年将以大约13%的速度增长。2010年我国碳纤维需求达到1万吨左右,但目前国内碳纤维生产企业有23家,总产能为4000吨年,规模都在千吨以下,成本较高,市场发展潜力巨大。净利润主要来自投资收益2010年公司实现营业收入15.68亿元,同比增长12.68%利润总额557.95万元,同比增长76.30%归属于母公司所有者净利润490.89万元,同比增长122.95%基本每股收益0.02元。净利润主要来自投资收益。2010年公司生产炭素制品9.3万吨,同比增长2.47%,主营业务收入及利润同比增长了12.68%和58.49%,但公司高达17.67%的期间费用侵蚀了利润收入,公司净利润主要来自投资收益。其中出售东北证券股权获得投资收益3039万元,是投资收益的主要来源。产品结构持续改善。公司主要产品为石墨电极,包括普通功率、高功率和超高功率三种类型,2010年公司三种石墨电极产量占比分别为15.23%、 53.39%和31.38%,其中高附加值的高功率和超高功率占比同比提升了5.58和1.55个百分点,产品结构持续改善。同时公司还拥有炭块、碳纤维及其他新型炭素制品等高附加值产品,随着公司产品结构的不断改善,炭素产品盈利能力有望不断提升。民用碳纤维项目进展低于预期,但仍是后期关注重点。4、三普药业600869。公司实现了从医药向电缆的彻底转型。远东集团所属电缆业务是国内绝对龙头企业,产销规模一直位居电缆行业第一位。技术处于国内领先地位,产品结构丰富,产品具有高盈利能力。碳纤维复合导线是新材料电缆的代表,是公司的核心竞争力产品,也将是公司新的利润增长点。公司是碳纤维复合导线国内独家企业。碳纤维导线由于技术壁垒高,产品的毛利率接近40%,净利率超过20%。5、ST东碳600691。公司是国内较大的碳石墨材料及制品生产和科研基地,主营电碳冶金、人造金刚石碳片及高纯石墨,在国内市场特别是西部市场拥有很高的占有率。6、南风化工000737。公司与清华大学合作成立清华-南风纳米粉体产业化工程中心,共同开发了15KG每小时碳纳米管批量生产技术,成为目前世界上最大的碳纳米管生产基地。目前已形成日产360公斤、年产120吨、纯度高达80%以上的多壁纳米管生产能力。由于没有利润,南风化工的碳纳米管业务已经停产。对于本周的暴涨,公司回应:没有研发石墨烯计划。但公司拥有最大的硫酸钠型内陆盐湖运城盐湖,是国内元明粉最大的出口基地,同时还拥有大量的芒硝资源。 芒硝与稀土颇为相似,都为中国储量最大的资源,由于稀土概念股被爆炒,业内一直对其抱有幻想。7、新华锦600735。公司没有任何关于石墨的产品,也没有石墨资源。但其实际控制人新华锦集团拥有丰富的石墨矿产资源。投资者炒作的只是资产注入的预期。8、天富热电600509。公司旗下的天科合达蓝光半导体公司主营碳化硅SIC项目。 利用碳化硅可以制作石墨烯,因此天富热电600509也被披上了石墨烯的光环。9、维科精华600152。公司并不存在石墨烯项目。
10、黄河旋风600172。公司主要生产人造金刚石和金刚石制品,主导产品有UDS系列金刚石压机、人造金刚石、立方氮化硼、金刚石厚膜、金刚石微粉、金刚石制品、建筑机械及自动化控制装置等。公司是国内最大的金刚石生产基地,产量居全国第一、世界前列。11、豫金刚石300064。公司是国内技术和研发能力最完整、综合实力国内领先的人造金刚石生产企业。主导产品为人造金刚石,已成为全国人造金刚石的主要生产企业之一,人造金刚石产销量位居全国第三。生产人造金刚石的全部合成设备都是自主研发、国内独创的,是国内合成缸径最大、对中精度高、稳定性好、生产效率最高的人造金刚石生产设备,处于国内领先地位。公司已获授权或受理的国内专利148项,公司掌握了大型合成设备、大腔体合成工艺和大腔体合成人造金刚石用原辅材料等核心技术。高成长性确定,金刚石切割线是未来看点月,公司实现营业收入8,372万元,同比增长45.97%营业利润3,174万元,同比增长52.40%归属母公司所有者净利润2,709万元,同比增长52.79%实现摊薄后每股收益0.09元。业绩增速稳定,综合毛利率同比提升。2011年一季度,公司产能逐渐扩大,销售收入同比增长45.97%,同时,综合毛利率同比提升1.14个百分点,达到45.75%。公司两个新建项目将分别于今年6月底和9月底建成,届时,公司将新增6.4亿克拉的产能,达到10.6亿克拉。产能的大幅扩张,将使公司迎来业绩的全面爆发,未来三年复合增长率有望超过40%。同时,公司通过改进工艺技术、不断降低成本,综合毛利率也将维持在较高水平。我国人造金刚石行业增长迅速,公司迎来最好的发展机遇。12、龙星化工002442。龙星化工是一家从事炭黑生产销售的企业,产品用于轮胎制造、橡胶制品制造及油墨生产等方面,生产规模和盈利能力均处于国内炭黑行业领先水平。牵手中国化工橡胶总公司龙星化工是国内炭黑生产的龙头公司之一公司专注于炭黑的生产和研发,该产品主要用在橡胶轮胎领域。公司炭黑产量位居全国第三,产能位居全国第五,市场占有率是6.46%,是仅次于黑猫股份的炭黑龙头公司。2010年公司产能22万吨,募投项目8万吨预计2011年10月底投产,届时将达到30万吨的产能。搭档中国化工橡胶总公司,签订供销战略协议根据公司公告,公司与中国化工橡胶总公司签署炭黑类别采购战略合作协议。在市场原则下,龙星优先供应总公司炭黑产品旗下风神轮胎优先采购龙星化工产品。风神轮胎在河南省焦作市的新工厂全面投产后,将形成12万吨年的新增炭黑采购量,主要由龙星供应。公司设立焦作龙星子公司,供应风神轮胎公司拟出资1.2亿元设立控股子公司焦作龙星,占出资比例60%。焦作龙星投资项目包括四条年产3.5万吨炭黑生产线14万吨及相应15万吨炭黑油加工项目和配套的以调峰为目的的15MW发电机组,主要用来供应风神轮胎的新增需求,预计将于2012年贡献7万吨的产能。13、双龙股份300108。双龙股份是国内唯一能与国际巨头抗衡的高分散性白炭黑公司。毛利率回升,新项目加快推进一季度毛利率稳步回升:一季度实现营业收入2666万元,同比增加16%,在新建产能未能达产的情况下,主要原因是公司产品2010年底提了价净利润545万元,折合EPS0.08元,同比增加13%。一季度毛利率46%,2010年三季度单季度毛利率40%,2010年四季度单季度毛利率43%, 公司毛利率逐步回升,走出低谷。产能瓶颈推动新项目加快建设:受制于产能瓶颈,公司当前产品严重供不应求,只能优先满足一些大客户的产品需求。与江西万载辉明化工合作建设3万吨项目的控股权由此前公告的80%调整为100%全资控股,辉明化工退出该项目通化本部2万吨项目与江西3万吨项目将在今年8月份初投料开车,8月底完全达产。达产后公司产能将由目前的1.6万吨增加3倍多至6.6万吨。14、大元股份600146。公司将持有中宝碳纤维全部股权,该公司是国内三大碳纤维制品巨头之一,拥有产能300万平方米碳纤维预浸料生产线,其预浸布销售毛利率在40%以上。 综上可知,这个板块的个股中,中国宝安000009是唯一研制成功并能量产石墨烯的上市公司。另外,只有中国宝安000009拥有石墨矿产资源。其他个股炒作都只是基于石墨烯及石墨矿的联想或想象而已,注意甄别。一、石墨烯基本情况及应用前景简介1.石墨烯简介石墨烯不仅是已知材料中最薄的一种,还非常牢固坚硬作为单质,它在室温下传递电子的速度比已知导体都快。石墨烯是一种二维晶体,最大的特性是其中电子的运动速度达到了光速的1300,远远超过了电子在一般导体中的运动速度。这使得石墨烯中的电子,或更准确地,应称为载荷子electric charge carrier,的性质和相对论性的中微子非常相似。人们常见的石墨是由一层层以蜂窝状有序排列的平面碳原子堆叠而形成的,石墨的层间作用力较弱,很容易互相剥离,形成薄薄的石墨片。当把石墨片剥成单层之后,这种只有一个碳原子厚度的单层就是石墨烯。2.石墨烯特性石墨烯是由碳原子按六边形晶格整齐排布而成的碳单质,结构非常稳定。其完美的晶格结构,常被误认为很僵硬,但事实并非如此。石墨烯各个碳原子间的连接非常柔韧,当施加外部机械力时,碳原子面就弯曲变形。这样,碳原子就不需要重新排列来适应外力,这也就保证了石墨烯结构的稳定,使得石墨烯比金刚石还坚硬,同时可以像拉橡胶一样进行拉伸。这种稳定的晶格结构还使石墨烯具有优秀的导电性。石墨烯中的电子在轨道中移动时,不会因晶格缺陷或引入外来原子而发生散射。由于其原子间作用力非常强,在常温下,即使周围碳原子发生挤撞,石墨烯中的电子受到的干扰也非常小。石墨烯被证实是世界上已经发现的最薄、最坚硬的物质。美国哥伦比亚大学James Hone等人最近发现,铅笔石墨中一种叫做石墨烯的二维碳原子晶体,竟然比钻石还坚硬,强度比世界上最好的钢铁还要高上100倍。这种物质为太空电梯 超韧缆线的制造打开了一扇阿里巴巴之门,让科学家梦寐以求的2.3万英里长约合37000千米太空电梯可能成为现实。其厚度只有0.335纳米,把2000片薄膜叠加到一起,也只有一根头发丝那么厚。单层石墨烯几乎透明,其分子排列紧密,即使原子尺寸最小的氦也不能通过。美国机械工程师杰弗雷基萨教授用一种形象的方法解释了石墨烯的强度:如果将一张和食品保鲜膜一样薄的石墨烯薄片覆盖在一只杯子上,然后试图用一支铅笔戳穿它,那么需要一头大象站在铅笔上,才能戳穿只有保鲜膜厚度的石墨烯薄层。石墨烯的另一特性是,其导电电子不仅能在晶格中无障碍地移动,而且速度极快,远远超过了电子在金属导体或半导体中的移动速度。还有,其导热性超过现有一切已知物质。石墨烯的上述特性非常有利于超薄柔性OLED显示器的开发。据了解,韩国三星公司的研究人员已经制造出由多层石墨烯等材料组成的透明可弯曲显示屏。3.应用领域介绍1可做太空电梯缆线据科学家称,地球上很容易找到石墨原料,而石墨烯堪称是人类已知的强度最高的物质,它将拥有众多令人神往的发展前景。它不仅可以开发制造出纸片般薄的超轻型飞机材料、可以制造出超坚韧的防弹衣,甚至还为太空电梯缆线的制造打开了一扇阿里巴巴之门。美国研究人员称,太空电梯的最大障碍之一,就是如何制造出一根从地面连向太空卫星、长达23000英里并且足够强韧的缆线,美国科学家证实,地球上强度最高的物质石墨烯完全适合用来制造太空电梯缆线!人类通过太空电梯进入太空,所花的成本将比通过火箭升入太空便宜很多。为了激励科学家发明出制造太空电梯缆线的坚韧材料,美国NASA此前还发出了400万美元的悬赏。2代替硅生产超级计算机科学家发现,石墨烯还是目前已知导电性能最出色的材料。石墨烯的这种特性尤其适合于高频电路。高频电路是现代电子工业的领头羊,一些电子设备,例如手机,由于工程师们正在设法将越来越多的信息填充在信号中,它们被要求使用越来越高的频率,然而手机的工作频率越高,热量也越高,于是,高频的提升便受到很大的限制。由于石墨烯的出现,高频提升的发展前景似乎变得无限广阔了。这使它在微电子领域也具有巨大的应用潜力。研究人员甚至将石墨烯看作是硅的替代品,能用来生产未来的超级计算机。3光子传感器石墨烯还可以以光子传感器的面貌出现在更大的市场上,这种传感器是用于检测光纤中携带的信息的,现在,这个角色还在由硅担当,但硅的时代似乎就要结束。去年10月,IBM的一个研究小组首次披露了他们研制的石墨烯光电探测器,接下来人们要期待的就是基于石墨烯的太阳能电池和液晶显示屏了。因为石墨烯是透明的,用它制造的电板比其他材料具有更优良的透光性。4其它应用石墨烯还可以应用于晶体管、触摸屏、基因测序等领域,同时有望帮助物理学家在量子物理学研究领域取得新突破。中国科研人员发现细菌的细胞在石墨烯上无法生长,而人类细胞却不会受损。利用这一点石墨烯可以用来做绷带,食品包装甚至抗菌T恤用石墨烯做的光电化学电池可以取代基于金属的有机发光二极管,因石墨烯还可以取代灯具的传统金属石墨电极,使之更易于回收。这种物质不仅可以用来开发制造出纸片般薄的超轻型飞机材料、制造出超坚韧的防弹衣,甚至能让科学家梦寐以求的2.3万英里长太空电梯成为现实。
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半导体行业专业知识 wafer知识
11/05/2010
Rc代表什幺意义？
答：接触窗电阻，具体指金属和半导体（contact）或金属和金属(via)，在相接触时在节处所形成的电阻，一般要求此电阻越小越好。
& 影响Contact (CT) Rc的主要原因可能有哪些?& K6 M+ K6 O4 U
答：①ILD CMP 的厚度是否异常；- K7 E8 `2 t/ o4 |1 h0 p+ c
②CT 的CD大小；. ~& L/ c" K*
k% d$ j# ^
③CT 的刻蚀过程是否正常；
④接触底材的质量或浓度（Salicide，non-salicide)；(
o! t# V: x) G0 L. _* w/ `
⑤CT的glue layer（粘合层）形成；
⑥CT的W-plug。
在量测Poly/metal导线的特性时,
是利用什幺电性参数得知?1 e6 F7 h( ?- B% X- y
答：可由电性量测所得的spacing & Rs
值来表现导线是否异常。9 Q/
x&&L( B' E/ w,
& 什幺是spacing?如何量测?
& 答：在电性测量中，给一条线(poly
or metal)加一定电压，测量与此线相邻但不相交的另外一线的电流，此电流越小越好。当电流偏大时代表导线间可能发生短路的现象。# W8 M9 V" E0 O$ Q2 ^/
Rs? 3 ?7 O* T. y4 y(
答：片电阻（单位面积、单位长度的电阻），用来量测导线的导电情况如何。一般可以量测的为 AA(N+,P+), poly &
& & 影响Rs有那些工艺?
&答：① 导线line（AA, poly &
metal）的尺寸大小。(CD=critical dimension)
② 导线line（poly & metal）的厚度。1 h! ?! n/ j$ \. A; |+
③ 导线line&&(AA, poly
& metal) 的本身电导性。（在AA, poly
line 时可能为注入离子的剂量有关）1 ~; K+ n- o%
& 一般护层的结构是由哪三层组成?8 J! g% v( x(
~; u4 p" e3 G; L. y. I" N
答：① HDP Oxide(高浓度等离子体二氧化硅)
② SRO Oxide（Silicon rich oxygen富氧二氧化硅）8 Y" x* `9 {- i# J7 E% y
③ SiN Oxide
& 护层的功能是什幺?
& 答：使用oxide或SiN层, 用来保护下层的线路，以避免与外界的水汽、空气相接触而造成电路损害。% d9 y* V: d" D% d4
& Alloy 的目的为何?% M- ^" }9 y,
@3 R) W. M' h- s$ `
答：① Release 各层间的stress（应力），形成良好的层与层之间的接触面
&&R0 q. J* `1 }; U# h/
② 降低层与层接触面之间的电阻。
&工艺流程结束后有一步骤为WAT，其目的为何?2 F# F8 y! u- j0 o2 z- n0 n
答：WAT(wafer acceptance test), 是在工艺流程结束后对芯片做的电性测量，用来检验各段工艺流程是否符合标准。（前段所讲电学参数Idsat, Ioff, Vt, Vbk(breakdown), Rs,
Rc就是在此步骤完成）. ^8
X&&L1 d* z3 c
& WAT电性测试的主要项目有那些?3 W9 l2 w:
答：① 器件特性测试；
② Contact resistant (Rc)；
③ Sheet resistant (Rs)；+
B! L& C+ J0 |% d
④ Break down test；& f- @' q9 _7 L8 P3 F9 j2 E6
⑤ 电容测试；' X1 U7 H' P' f# d7 {
⑥ Isolation (spacing test)。;
P+ ^/ J/ ?) T: J/ ~/ V
& 什么是WAT
Watch系统? 它有什么功能?; G" |/ U2 Q% h% l: ~
答：Watch系统提供PIE工程师一个工具,
来针对不同WAT测试项目,设置不同的栏住产品及发出Warning警告标准, 能使PIE工程师早期发现工艺上的问题。/ U' B" d) x7 I' `2 F5 o) A
& 什么是PCM SPEC?6 r' Y7 T% d# b5 z2 y
答：PCM (Process control monitor) SPEC广义而言是指芯片制造过程中所有工艺量测项目的规格,狭义而言则是指WAT测试参数的规格。
& & 当WAT量测到异常是要如何处理?& z, `8 N- V/ v& c) k+
答：① 查看WAT机台是否异常,若有则重测之
② 利用手动机台Double
confirm. k' o) l7 p( A$
③ 检查产品是在工艺流程制作上是否有异常记录! [% P: M9 k( E7 E2 ?* b
④ 切片检查* Y( f6 a0 A3 [6 B
& 什么是EN?
EN有何功能或用途?3 i' {. F4 Q( R2 b7 f& ~&
答：由CE发出,详记关于某一产品的相关信息(包括Technology ID, Reticle and some split condition
ETC….) 或是客户要求的事项 (包括HOLD, Split,
Bank, Run to complete, Package….), 根据EN提供信息我们才可以建立Process flow及处理此产品的相关动作。
PIE工程师每天来公司需要Check哪些项目(开门五件事)?/ f, @* Z/ X+ V' S
答：① Check MES系统,
察看自己Lot情况
② 处理in line hold
lot.(defect, process, WAT)
③ 分析汇总相关产品in
line数据.(raw data &
SPC)4 C. d(
_&&[- J" M8
④ 分析汇总相关产品CP
⑤ 参加晨会,
汇报相关产品信息
& WAT工程师每天来公司需要Check哪些项目(开门五件事)?
答：① 检查WAT机台Status, p6 A4 u5 S, c- E6 Q8 H1 _
② 检查及处理WAT hold
lot: I: ^0 A. ~* Z+ v/
a4 u6 \( P
③ 检查前一天的retest
wafer及量测是否有异常
④ 是否有新产品要到WAT; t" L: f0 `+
~. K; D: }9 `
⑤ 交接事项3 T# p* \+ U&&w5 C) @'
& BR工程师每天来公司需要Check哪些项目(开门五件事)?
答：① Pass down
② Review urgent case
status( Q5 I6 x% A$ c8
③ Check MES issues which reported by module and
i④ Review documentation
⑤ Review task status8 U5 f0 }(
f&&`3 \# C+
& ROM是什幺的缩写?
& 答：ROM: Read only
memory唯读存储器
V& I# i9 f, J$ Z
答：Yield Enhancement 良率改善/ d/ b- F* y5 S% h
& YE在FAB中所扮演的角色？
答：针对工艺中产生缺陷的成因进行追踪，数据收集与分析，改善评估等工作。进而与相关工程部门工程师合作提出改善方案并作效果评估。
& YE工程师的主要任务？
& & 答：① 降低突发性异常状况。(Excursion reduction)
② 改善常态性缺陷状况。(Base
line defect improvement)
如何reduce excursion?$ y) T" N0 w5 r% }+ G# u'
答：有效监控各生产机台及工艺上的缺陷现况, defect
level异常升高时迅速予以查明，并协助异常排除与防止再发。
& 如何improve base line
& & 答：藉由分析产品失效或线上缺陷监控等资料，而发掘重点改善目标。持续不断推动机台与工艺缺陷改善活动，降低defect level使产品良率于稳定中不断提升
& YE 工程师的主要工作内容？2 Z1 ^# Q2 E2 C0 W! Z8 A1 U" ~% t2 x
答：① 负责生产过程中异常缺陷事故的追查分析及改善工作的调查与推动。; O- |- _+ F/ V' q$ @5 o' J5
② 评估并建立各项缺陷监控(monitor)与分析系统。
③ 开发并建立有效率的缺陷工程系统，提升缺陷分析与改善的能力。
④ 协助module建立off-line defect monitor system,
以有效反应生产机台状况。* ?0 w/ ^# I# U& P0 [+
& 何谓Defect?
答：Wafer上存在的有形污染与不完美，包括-
D8 j5 M* h# W- M# M
① Wafer上的物理性异物（如：微尘，工艺残留物，不正常反应生成物）。
② 化学性污染（如：残留化学药品，有机溶剂）。&&{: i3
|, i" `7 |
③ 图案缺陷（如：Photo或etch造成的异常成象，机械性刮伤变形，厚度不均匀造成的颜色异常）。
④ Wafer本身或制造过程中引起的晶格缺陷。- w/ G5 X* `) ?" J
& Defect的来源？
& & 答：① 素材本身：包括wafer,气体，纯水，化学药品。( O9 p( @3 B$ o$ N: M
② 外在环境：包含洁净室，传送系统与程序。4 ^4 J4 J! ]' C1 T&
③ 操作人员：包含无尘衣，手套。' v1 x( d2 q8 R2 A
④ 设备零件老化与制程反应中所产生的副生成物。
& Defect的种类依掉落位置区分可分为?' j# p! V5 E.
F# s& q, n
答：① Random defect : defect分布很散乱
② cluster defect : defect集中在某一区域/ h" U+ b&&O1
③ Repeating defect : defect重复出现在同一区域
依对良率的影响Defect可分为?. N* ]) L" J- l9 d$ {3 l
答：① Killer defect =&对良率有影响
② Non-Killer defect =&不会对良率造成影响
③ Nuisance defect =&因颜色异常或film
grain造成的defect,对良率亦无影响: X6 s$ Y6 u2 ~: L1 z1 [
& YE一般的工作流程?
& & 答：① Inspection
tool扫描wafer
② 将defect
data传至YMS
③ 检查defect增加数是否超出规格
④ 若超出规格则将wafer送到review station
review) N- P0 f. v8 n5
⑤ 确认defect来源并通知相关单位一同解决
&YE是利用何种方法找出缺陷(defect)?
& 答：缺陷扫描机
(defect inspection
tool)以图像比对的方式来找出defect.并产出defect result
& Defect result file包含那些信息?
& & 答：① Defect大小
② 位置,坐标9 g6 s/ m$ V3 L. ~
③ Defect map
& Defect Inspection tool 有哪些型式？
& 答：Bright field & Dark
Field! v4 ^: @' ]! y:
Bright field?
& 答：接收反射光讯号的缺陷扫描机/ R% u) J: y, W-
a&&y+ ?$ w0 X7
& 何谓 Dark field?; k1 o8 n0 G* [4 {
答：接收散射光讯号的缺陷扫描机
& Bright field 与 Dark field
何者扫描速度较快?. g'
I& G&&]3 w. U$ R(
答：Dark field5 d. i, W( B! @
& Bright field 与
Dark field 何者灵敏度较好?2 `2 `' i1
答：Bright field
& Review tool 有哪几种？4 x6 u" |: g- J7 K" |+ I
答：Optical review tool 和
SEM review
T& q( P" |! g
& 何为optical review tool?5 w5 m4 J4 V7 C7 q7 W5 p/
答：接收光学信号的optical microscope. 分辨率较差,但速度较快,使用较方便
& 何为SEM review
(scanning electron microscope) review tool 接收电子信号.
分辨率较高但速度慢,可分析defect成分,并可旋转或倾斜defect来做分析
& Review Station的作用?
& 答：藉由
review station我们可将 Inspection
tool 扫描到的defect加以分类,并做成分析,利于寻找defect来源
YMS为何缩写?) H6 z$ F% w% n/ ?* N! g7 C
答：Yield Management
System. ~3 i6 m( O# l)
y$ e+ G1 e' p% B
& YMS有何功能?
答：① 将inspection
tool产生的defect result file传至review
station2 k) z- c: Q8 {!
a! L; |8 k7 T
② 回收review
station分类后的资料0 r4 Y2 u4 f: c0 y3 n8 [1
③ 储存defect影像
& & 何谓Sampling
{& o9 h9 X, T: W. K0
答：即为采样频率,包含:
①& & &
& 那些站点要Scan5 P$ q*
② 每隔多少Lot要扫1个Lot' @' i1 ^8 t, s8 G" q% ?. G/ }
③ 每个Lot要扫几片Wafer+ W8 t- ~9 a- ^6 |5 N, C
④ 每片Wafer要扫多少区域
& & 如何决定那些产品需要scan?5 z, a, A#
|! X( w3 a3 D7 I2 S
答：① 现阶段最具代表性的工艺技术。) J8 D3 {' ?' g- Q
② 有持续大量订单的产品。# y* A1 \6 q* Y; F( g( i3 M
& 选择监测站点的考虑为何？* s% I+ P( w$ O( c: U1 L
答：① 以Zone
partition的观念，两个监测站点不可相隔太多工艺的步骤。
`② 由yield loss
analysis手法找出对良率影响最大的站点。
&容易作线上缺陷分析的站点。, U- _' R) w) r& K. h1
& 何谓Zone partition
答：将工艺划分成数个区段，以利辨认缺陷来源。/ V"
& Zone partition的做法？
答：① 应用各检察点既有的资料可初步判断工艺中缺陷主要的分布情况。
② 应用既有的缺陷资料及defect
review档案可初步辨认异常缺陷发生的工艺站点。9 p) ?, Q9 n8 S" v
③ 利用工程实验经由较细的Zone
partition可辨认缺陷发生的确切站点或机台
& & 何谓yield loss
& 答：收集并分析各工艺区间所产生的缺陷对产品良率的影响以决定改善良率的可能途径。
& yield loss analysis的功能为何？
& & 答：① 找出对良率影响最大的工艺步骤。! d) {4 ?% U( x3 ~* z7 x
② 经由killing
ratio的计算来找出对良率影响最大的缺陷种类。0 H( }2 @5 @
③ 评估现阶段可达成的最高良率。
如何计算killing ratio?
& 答：藉由defect
map与yield map的迭图与公式的运算，可算出某种缺陷对良率的杀伤力。
半导体行业专业知识 wafer知识--01
PIE0 l9 M# l3 M!
& 何谓PIE?&&PIE的主要工作是什幺?
答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师),
主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。! c+ o8 }1 A: p0 J* E5
& 200mm，300mm Wafer
代表何意义?
答：8吋硅片(wafer)直径为
200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.
& & 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？7 U5
N&&N+ V) s% `3 d0 o1
答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。7 R( l9 u- @2 @$ ?( P+ V1
& 我们为何需要300mm?
& 答：wafer size
变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低
& 200→300
面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍
& 所谓的0.13 um
的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？
& 答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13
um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
& 从0.35um-&0.25um-&0.18um-&0.15um-&0.13um
的technology改变又代表的是什幺意义？1 d) \3 k# p&&?# T: s1
答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -& 0.25um
0.18um&&-& 0.15um
-& 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?2 O7 h0 x! Z3 [1 }% S# |)
答：N-type wafer 是指掺杂
negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer
是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素,
例如：B、In)的硅片。
& 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？2 i/ Z# Q7 ]3 k6 K. p7 d+ U,
答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿 刻)、IMP(离子&
&注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积)
、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品 良好。& W% l$ A. I! r: R. x& G.
& 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？
& & 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um
的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而' ]; s: h" T* J+
光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）.
Wafer下线的第一道步骤是形成start
oxide 和zero layer? 其中start
oxide 的目的是为何？% @2 x% _1 y- x- g(
答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si
②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。2 U" ?- y) `# h# ]
& 为何需要zero
layer? . G/ j: s* _' a/
答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的,
各层次之间以zero layer当做对准的基准。5 |( r&&T+ M/ w) M'
& Laser mark是什幺用途? Wafer
ID 又代表什幺意义?3 N; @3 e1 E4 i9 t$ T/ f
答：Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer
ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。
& & 一般硅片的制造(wafer
process)过程包含哪些主要部分？! N* _* V0 `+
答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。: i5 |) B2 X3 y0 K* {. b: M
②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation）
& & 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份?: F: _: }; L5
答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)
|②阱区离子注入（well implant）用以调整电性- u( b. e9 s" F1 B- W: d: a' E
③栅极(poly gate)的形成; a. w+ H0 {5 n) G# Q& N$
④源/漏极（source/drain）的形成" \, T/ \: O" \9 o& Z
⑤硅化物(salicide)的形成1 L" |: i+ f- F
& STI 是什幺的缩写?
为何需要STI?' I3 y3 ?+
y1 W1 W& ^: \0 L
答：STI: Shallow Trench Isolation(浅沟道隔离)，STI可以当做两个组件（device）间的阻隔, 避免两个组件间的短路." ^' ~% a% D,
& AA 是哪两个字的缩写?
简单说明 AA 的用途?
答：Active Area, 即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所在，在其上形成源、漏和栅极。两个AA区之间便是以STI来做隔离的。
& & 在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？
& 答：①STI
etch（刻蚀）的角度；
②STI etch 的深度；
③STI etch 后的CD尺寸大小控制。7 q$ K3 M2 S; G8 l1 \1 o1
control, CD=critical dimension). ?* r9 C% c( l
& 在STI 的形成步骤中有一道liner
oxide（线形氧化层）, liner oxide 的特性功能为何？
& & 答：Liner
oxide 为1100C, 120 min 高温炉管形成的氧化层，其功能为：
①修补进STI etch 造成的基材损伤；9 R1 h2 i8 E7 X
②将STI etch 造成的etch 尖角给于圆化( corner
rounding)。; Z. ]/ c8 R9 C) R5 S-
; b3 r( {1 Q4 c6 Q2 ]0 ^8 \+ p0 ]
; z% N$ z% o&&{' q9 X'
2 R" q5 Z2 @9 c: ~0 ~5 e8 C6 }
& T3 R& O" s' }+ l8
&一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤? 功能为何？) P" p. v0 j2 {7 E, m) ]5
答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所需要的组件电子特性，一般包含下面几道步骤：# E'
l&&a1 _* {( [
①Well Implant ：形成N,P
②Channel Implant：防止源/漏极间的漏电；
③Vt Implant：调整Vt（阈值电压）。
& 一般的离子注入层次（Implant
layer）工艺制造可分为那几道步骤?
& 答：一般包含下面几道步骤：
①光刻(Photo)及图形的形成；8 B3 N4 C! O. }8 H# ]0 ]! p8 o% i
②离子注入调整；
③离子注入完后的ash (plasma(等离子体)清洗)$ a: N# B+ Q$ |, ^+ M% p(
④光刻胶去除（PR strip）
& Poly（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些?
答：①Gate
oxide(栅极氧化层)的沉积；
②Poly film的沉积及SiON(在光刻中作为抗反射层的物质)的沉积）；
③Poly 图形的形成(Photo)；+
]! Q3 \0 `/
④Poly及SiON的Etch；
⑤Etch完后的ash( plasma(等离子体)清洗)及光刻胶去除（PR
⑥Poly的Re-oxidation（二次氧化）。8 m7 p- P6 Y- T+ a5 F* }8 ]0 }* W
& Poly（多晶硅）栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地方？, B3 p2 K5 E& T
答：①Poly 的CD(尺寸大小控制；
②避免Gate oxie 被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.
Gate oxide (栅极氧化层)?
& 答：用来当器件的介电层，利用不同厚度的 gate oxide ,可调节栅极电压对不同器件进行开关+ [&&T4
I&&b2 P. N7 t
& 源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些?
& & 答：①LDD的离子注入（Implant）；4
g$ }4 O& C( a7 q& O% l$ p+
②Spacer的形成；
③N+/P+IMP高浓度源/漏极(S/D)注入及快速热处理(RTA：Rapid
Thermal&&Anneal)。$ ^- T! z0 M0 O3 x!
& LDD是什幺的缩写?
用途为何?9 }$ L- p# v4
答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD是使用较低浓度的源/漏极, 以防止组件产生热载子效应的一项工艺。5 u% P. u8 E5 B5 {
Hot carrier effect
(热载流子效应)?- k& L! Y6 t' ?4 a$ I:
答：在线寛小于0.5um以下时, 因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场,导致载流子在移动时被加速产生热载子效应, 此热载子效应会对gate oxide造成破坏,
造成组件损伤。
& & 何谓Spacer?
Spacer蚀刻时要注意哪些地方？' _5 }; g! z' U9 g9 M-
答：在栅极(Poly)的两旁用dielectric（介电质）形成的侧壁，主要由Ox/SiN/Ox组成。蚀刻spacer
时要注意其CD大小，profile(剖面轮廓)，及remain oxide(残留氧化层的厚度): u* y+ _/
& Spacer的主要功能?7 o' a7 ~; I*
w6 h$ b&&y& ~; I8
答：①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域;4 \$ n: `5 B9 K2 D7 r* j1 w$ [
②作为Contact Etch时栅极的保护层。0 l8 C8 N. l' C2 r
& 为何在离子注入后,
需要热处理(
Thermal Anneal)的工艺?
答：①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤;
②使注入离子扩散至适当的深度;1 G. T& ]1 U0 s0 M5 ]"
③使注入离子移动到适当的晶格位置。
SAB是什幺的缩写? 目的为何？: p: J4 R7 Q,
答：SAB：Salicide block, 用于保护硅片表面，在RPO
(Resist Protect
Oxide)&&的保护下硅片不与其它Ti,
Co形成硅化物(salicide)
& & 简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些?/ g+ k* V/ J7 V+ p9 N! m- R
答：①SAB 光刻后（photo），刻蚀后(etch)的图案（特别是小块区域）。要确定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方。
②remain oxide (残留氧化层的厚度)。
& & 何谓硅化物(
salicide)?
& 答：Si 与
形成 TiSix 或 CoSix, 一般来说是用来降低接触电阻值（Rs,
& & 硅化物(salicide)的形成步骤主要可分为哪些?3 w: [* i: {,
答：①Co(或Ti)+TiN的沉积；, Q* I* h' o+ f4
②第一次RTA（快速热处理）来形成Salicide。
③将未反应的Co(Ti)以化学酸去除。1 C0 i&&n0 L0 b9 r,
④第二次RTA&&(用来形成Ti的晶相转化, 降低其阻值)。2 Z2 U) b% D7 ^& O% s"
& MOS器件的主要特性是什幺？
&答：它主要是通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极(S/D)之间电流，实现其开关特性。0 f7 T( k( a) ]: i- y+ I9 X3 k9 S
& 我们一般用哪些参数来评价device的特性？+ T% z" v( J4 |+
答：主要有Idsat、Ioff、Vt、Vbk(breakdown)、Rs、Rc；一般要求Idsat、Vbk
(breakdown)值尽量大， Ioff、Rc尽量小，Vt、Rs尽量接近设计值.
&什幺是Idsat?Idsat 代表什幺意义？; d/ ^$ T! k' v, h) P
答：饱和电流。也就是在栅压(Vg)一定时，源/漏(Source/Drain)之间流动的最大电流.&&H& n/
_" X5 U! W
& 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat?
CD(多晶硅尺寸)、Gate oxide Thk(栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度、Vt
imp.条件、LDD imp.条件、N+/P+ imp. 条件。) ?3 b+ I! ]% u, b2 g4 }: @( Y/ K
& 什幺是Vt? Vt
代表什幺意义？
& & 答：阈值电压（Threshold
Voltage），就是产生强反转所需的最小电压。当栅极电压Vg&Vt时,
MOS处于关的状态，而Vg〉=Vt时，源/漏之间便产生导电沟道，MOS处于开的状态。$ |8 s7 \' @) X
& 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Vt?% ~! Y4
p&&r+ c3 b5
答：Poly CD、Gate oxide Thk. (栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度及Vt
imp.条件。* I( t4 s5 a. \" C1 A& D2
& 什幺是Ioff?
Ioff小有什幺好处; c$ X+ a+ B& h2 n%
答：关态电流，Vg=0时的源、漏级之间的电流，一般要求此电流值越小越好。Ioff越小, 表示栅极的控制能力愈好,
可以避免不必要的漏电流(省电)。
& & 什幺是 device
breakdown voltage?
答：指崩溃电压（击穿电压），在 Vg=Vs=0时，Vd所能承受的最大电压，当Vd大于此电压时，源、漏之间形成导电沟道而不受栅压的影响。在器件越做越小的情况下，这种情形会将会越来越严重。
IMD? 其目的为何？; c* N: U3 H. {2 x2
答： ILD ：Inter Layer Dielectric, 是用来做device
与 第一层metal
的隔离（isolation），而IMD：Inter Metal
Dielectric，是用来做metal 与
metal 的隔离（isolation）.要注意ILD及IMD在CMP后的厚度控制。
$ t4 E0 R7 ]% z8 i
& 一般介电层ILD的形成由那些层次组成？
& 答：①
SiON层沉积(用来避免上层B,P渗入器件)；
② BPSG（掺有硼、磷的硅玻璃）层沉积；
③ PETEOS（等离子体增强正硅酸乙脂）层沉积；5 z4 h3 U- E, P
最后再经ILD Oxide CMP(SiO2的化学机械研磨)来做平坦化。
一般介电层IMD的形成由那些层次组成？
答：① SRO层沉积(用来避免上层的氟离子往下渗入器件)；7 S4 I$ `9 r" Z+ r0 ~2 Q# r/ f( @" c(
② HDP-FSG（掺有氟离子的硅玻璃）层沉积; 8 f" C7 i) X*
③ PE-FSG（等离子体增强,掺有氟离子的硅玻璃）层沉积；
使用FSG的目的是用来降低dielectric k值,
减低金属层间的寄生电容。
最后再经IMD Oxide CMP(SiO2的化学机械研磨)来做平坦化。4 p, M! R) ^9 Y3 |5 B* C' [0
& & 简单说明Contact(CT)的形成步骤有那些?4 `' P; a4 b5
t) \' T6 q2 s. R
答：Contact是指器件与金属线连接部分，分布在poly、AA上。
① Contact的Photo（光刻）；
② Contact的Etch及光刻胶去除(ash
& PR strip)；
③ Glue layer（粘合层）的沉积；6 W8 f+ i8 {+ Y4 u
④ CVD W（钨）的沉积
& Glue layer（粘合层）的沉积所处的位置、成分、薄膜沉积方法是什幺？
& 答：因为W较难附着在Salicide上,所以必须先沉积只Glue layer再沉积W
layer是为了增强粘合性而加入的一层。主要在salicide与W(CT)、W(VIA)与metal之间,
其成分为Ti和TiN,&&分别采用PVD
和CVD方式制作。
& 为何各金属层之间的连接大多都是采用CVD的W-plug(钨插塞)?8
答：① 因为W有较低的电阻；
W有较佳的step
coverage(阶梯覆盖能力)。
& & 一般金属层(metal
layer)的形成工艺是采用哪种方式?大致可分为那些步骤?/ G" x1 c4
I& x* h# G* g8 H. o7 M% @+
答：① PVD (物理气相淀积) Metal
film 沉积' f/ o" h%
u&&_9 U! _
② 光刻(Photo)及图形的形成；7 [4 O. G8 y% Y% `' R3 H$ l
③ Metal film etch 及plasma(等离子体)清洗（此步驺为连序工艺，在同一个机台内完成，其目的在避免金属腐蚀）
④ Solvent光刻胶去除。
metal和inter metal的厚度，线宽有何不同?2 j/
{& M8 d7 B0 D/ U1 O
答：Top metal通常要比inter metal厚得多，0.18um工艺中inter metal为4KA,而top metal要8KA.主要是因为top metal直接与外部电路相接，所承受负载较大。一般top metal 的线宽也比
inter metal宽些。
& 在量测Contact
/Via（是指metal与metal之间的连接）的接触窗开的好不好时, 我们是利用什幺电性参数来得知的?
& & 答：通过Contact
或Via的 Rc值，Rc值越高，代表接触窗的电阻越大, 一般来说我们希望Rc 是越小越好的。&
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