Adri Hulshoff | 领英
There's more to see...Join LinkedIn to see the rest of what's here.Adri HulshoffRecommendations2 people have recommended AdriWebsites500+connectionsJoin LinkedIn & access Adri’s full profile500+connections
BackgroundRN and Professional in the field of addiction treatment, with substantial experience in policy development, project&business development and management.
Many years of direct experience as project manager and project director in an international environment.
Special interest in helping businesses to cope with alcohol and drug related problems within their workforce.
I am specialized in:
- Development of human resource solutions regarding substance (mis)use on the workfloor
- Development- and start-up of treatment/prevention initiatives
- Building bridges between organizations
- International exchange and cooperationVolunteer Experience & CausesVolunteer/Member of the board/President of the boardStichting Montessori Peuterspeelzalen DeventerBetstuurslid en later Voorzitter van de Stichting Montessori Peuterspeelzalen. Stichting met 3 vestigingen, geheel gerund door vrijwilligers.volunteer and member of the boardZolang je verslaafd bent is hulp/steun altijd voorhanden. Ben je echter gestopt met je gebruik, dan sta je er vaak alleen voor. Stichting Portus streeft naar een, door ervaringsdeskundigen geleide, (dag)opvang voor ex-verslaafden in de stad Groningen. Zij wil hierbij nauw samenwerken met overheden en professionele hulpverlening.Opportunities Adri is looking for:Joining a nonprofit boardSkills-based volunteering (pro bono consulting)PublicationsVERSLAVING,handboek voor zorg, begeleiding en preventieElsevier GezondheidszorgVERSLAVING is het standaardwerk voor iedereen die zich professioneel met verslavingsproblematiek bezig houdt.
2e druk verschenen in 2010.
ADDICTION is the standard for every professional working in the field of addiction treatment and prevention in the Netherlands.
The release of the second edition was in 2010, after the first edition was sold out.Authors:, , Tactus verslavingszorgIn het Junkfood Kookboek komen (ex) verslaafden culinair uit de kast. Wat is hun favoriete recept? Wat heeft dit recept met hun verslaving te maken? Welke rol speelt eten &#berhaupt in je verslaving?
Goede receptuur, fantastische foto's en nog mooiere verhalen!
In the JUNKFOOD COOKBOOK addicted people show themselves. What is their favorite recepe and what role played food in their 'addicted live'.
Superb recepies, beautiful pictures and even more beautiful stories!Authors:, Arjan NoteboomProjectsTactory helpt mensen met een grote achterstand tot de arbeidsmarkt weer te participeren. Binnen Tactory ontmoeten de zorg en de markt elkaar. Tactory produceert en zorgt tegelijkertijd. Winst is belangrijk, het is de manier om kortingen op zorg en re-integratie budgetten op te vangen. Deelnemers raken, terwijl ze een vakopleiding krijgen binnen een beschermde setting, op hun beurt weer gewend aan de druk in een normaal bedrijf.Team members:, , Gaziantep Matra projectIn Gaziantep we built a local addiction treatment system. We did this by seducing local parties to work together in a chain of care and treatment.
- Cooperation between local and central government, university and private non profit parties
- A chain of care and treatment
- Evidence based treatment programmes
- Clinical treatment centre
Team members:, , , , Intact zelfhulp voor verslaafden en hun naasten is een zelfhulporganisatie voor alle verslavingen en alle getroffenen, of je nu zelf de gebruiker bent of anderszins. Samen bezoek je groepen, onderneem je activiteiten, volg je cursussen en seminars en samen bouw je aan je leven na je verslaving, waarin duurzaam lotgenotencontact een belangrijke rol kan spelen. Intact bestrijdt ook het Anonieme imago dat een ex verslaafde blijkbaar dient aan te nemen, terwijl er helemaal niets is om je voor te schamen als je een verslaving hebt en die actief 'bestrijdt'Team members:, , , Duits-Nederlands Verbond voor Verslavingszorg/Deutsch-Niederländische Verbund f&#r SuchthilfeThe German-Dutch Alliance in Addiction Treatment was an EUREGIO financed project that targeted on the exchange of knowledge between addiction treatment organizations in the Netherlands and Germany. Partners were Tactus addiction treatment, at the time the largest specialist in addiction treatment in the Netherlands, the Kreuzbund, Germany's largest organization on self-help for addicted persons and their relatives, and the Caritas Verbund, Germany's largest supplier in- and outpatient addiction treatment.
Results were:
- A functioning, with the professional system cooperating, organization on self-help for addicts and their relatives (Intact).
- The transformation of a Dutch developed, evidence based therapy model, for the German situation. After being tried out in the Osnabr&#ck region, It was pronounced to be 'preferred therapy model for Germany' in 2008.
- The opening of Kreuzbund groups for all addictions. They used to be exclusive for alcohol addicts.
The project was one of few that reached all set goals, within the given time and clearly within budget.
After the project was over, the cooperation between the project partners stayed and is still alive! Team members:, Conrad T?nsing, Hans Keizer, Sabine B?singLanguagesEnglishProfessional working proficiencyGermanFull professional proficiencyFrenchElementary proficiencySkillscookingfine diningtravelinghikingwritingEuropean CommunityHungaryDanmark.OrganizationsHonors & AwardsCoursesAdditional CourseworkE-Health addiction treatment
View this profile in another language
People Also ViewedAccountmanager Engineering bij BrunelDevelopment | Innovation | Social Enterprise | Coach | @HaangsVerzuimdeskundige HRM / Arbeidsdeskundige i.o.Manager ambulante (forensische) behandelingCEO Tactus, verslavingszorgZorgco?rdinator bij Zorggroep PerspectiefTeam Hoofd at Medisch Spectrum TwenteDirector Activa InternationalManager at Loth VerpleegkundeOwner at Bunzlau Original
中国领英会员:Uit Wikipedia, de vrije encyclopedie
Junction-Field-Effect-Transistor of J-FET
Metal-Oxide-Semiconductor-FET of MOSFET
Een veldeffecttransistor, meestal aangeduid als FET (field-effect-transistor), is een unipolaire
met gewoonlijk drie aansluitingen: de source (S), de drain (D) en de gate (G). Bij een
is er nog een vierde aansluiting, het substraat (B van bulk), die meestal niet naar buiten uitgevoerd is, maar intern verbonden met de source. Speciale typen zoals de "dual gate"-MOSFET met twee gates, hebben extra aansluitingen.
Een veldeffecttransistor bestaat uit een geleidingskanaal tussen de aansluitingen source (S) en drain (D), waarvan de geleiding be?nvloed kan worden door het elektrische veld van de spanning op de gate (G). De transistor heet unipolair omdat slechts één soort ladingsdrager (gaten of elektronen) deelneemt aan de stroom tussen source en drain. De
op de gate zorgt voor het breder worden of verdwijnen van het
tussen source en drain waarmee de stroom van source naar drain te sturen is. In tegenstelling tot een 'gewone'
loopt bij een FET geen
van betekenis door de gate zoals door de basis van een transistor.
Het principe van de veldeffecttransistor was al in de jaren 20 van de 20e eeuw bekend, maar pas nadat de halfgeleidertechnologie voldoende ontwikkeld was, konden FET's seriematig gefabriceerd worden.
Veldeffecttransistoren komen onder meer voor in de volgende uitvoeringen:
sperlaag-veldeffecttransistor (J-FET: Junction FET)
metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistor (: Metal Oxide Semiconductor FET)
Schottky-veldeffecttransistor ()
High Electron Mobility transistor ()
Ion-Sensitive veldeffecttransistor ()
organische veldeffecttransistor ()
Van alle uitvoeringen kan het geleidingskanaal bestaan uit n-gedoteerd (n-channel type) of uit p-gedoteerd (p-channel type) .
De twee meest gebruikte varianten van de FET zijn: de
J-FET 
Bij het n-channel-type bevindt het geleidingskanaal zich als een n-gedoteerde zone in het p-gedoteerde materiaal van de gate. Het geleidingskanaal is dus van de gate gescheiden door een pn-overgang (junction). De pn-overgang tussen gate en kanaal is in normaal bedrijf in sperrichting geschakeld, zodat de stroom door de gate in de grootte-orde van de lekstroom van een gesperde
is. In het p-channel-type is op de gebruikelijke wijze alles tegengesteld uitgevoerd.
MOS-FET 
Bij het n-channel-type bevindt het geleidingskanaal zich aan de oppervlakte van het p-gedoteerde , vlak onder de SiO2-isolatielaag, en wordt gevormd onder invloed van de spanning op de gate tussen de als n-gedoteerde zones uitgevoerde source en drain. De gate is als elektrode op deze isolatielaag aangebracht en is dus van het geleidingskanaal ge?soleerd. De enige stroom die van/naar de gate loopt, wordt veroorzaakt door het
effect van de gate, en is in de praktijk nagenoeg te verwaarlozen. Het substraat is van het kanaal gescheiden door een pn-overgang en is daarom voor zien van een aansluiting (B: bulk) die meestal intern met de source verbonden is.
Sommige FET's kennen in het gebruik geen verschil tussen de source en de drain, maar door geavanceerde constructietechnieken, bijvoorbeeld het vari?ren van de dikte van de p- of n-laag, is het mogelijk om een FET specifiek gevoelig te maken voor het
tussen gate en source, terwijl de invloed van de spanning tussen gate en drain te verwaarlozen is.
Een nadeel van de FET is de gevoeligheid voor elektrostatische lading. Doordat de gate hoogohmig is, kan een eventuele
niet wegvloeien en zo een hoge
opbouwen op de gate. Deze hoge spanning kan de FET onherstelbaar beschadigen ().
In tegenstelling tot een 'gewone' bipolaire transistor, die een 'diode-effect' vertoont, waarbij de stroom slechts in één richting kan lopen en daarbij een spanningsval van meestal 0,7
heeft, gedraagt een FET zich als een
met twee gebieden.
Bij een negatieve kniespanning of lager op de gate is de FET volledig ge?soleerd. Neemt de spanning af, dan zit de FET in het actieve werkgebied. In dit werkgebied heeft de FET twee karakteristieken.
Bij een lage source-drain spanning is sprake van een redelijk lineaire
doordat er geen n-p of p-n-overgang aanwezig is, maar slechts een enkele p- of n-laag. Dus de drainstroom is rechtevenredig met de drain-source spanning. In dit gebied worden signaal-FETs gebruikt als instelbare weerstand voor bijvoorbeeld toonregeling of volumeregeling. Maar ook vermogens-FETs als schakelaar met een doorlaatweerstand van slechts 0,02 ohm in bijvoorbeeld omvormers.
Bij een hogere omslag source-drainspanning komt de FET in verzadiging en gedraagt de FET zich als een vrijwel ideale stroombron, beter dan een transistor. Hoe verder de gatespanning stijgt c.q. minder negatief wordt, hoe kleiner de weerstand en hoe hoger de stroombronstroomsterkte in hun respectievelijke gebieden. Bij een gatespanning van circa 10V boven de sourcespanning (dit alles bij een n-channel type) is de minimale weerstand resp. hoogste waarde van de sterkte van de stroombron bereikt. De gevoeligheid van de gatespanning op de drainstroom wordt transconductantie genoemd en wordt in milli- of microsiemens uitgedrukt. In dit werkgebied worden FETs in signaalversterkerschakelingen gebruikt. Er is extra aandacht nodig om FETs als signaalversterker te gebruiken, omdat ze zich slechts met compensatieschakelingen voldoende lineair gedragen.
Al deze FETs hebben karakteristieke eigenschappen. In een schakeling kunnen ze niet zonder meer verwisseld worden. Zo zijn J-FETs zowel gevoelig voor de gate-drainspanning als de gate-sourcespanning. MOSFETs van het "enhancement-" of verrijkingstype isoleren of sperren als de gatespanning gelijk is a pas met een positieve gatespanning komen deze in geleiding.
Verder bestaat nog de
een FET op basis van
in plaats van .
Moderne --technologie maakt bijna altijd gebruik van FET's. Ook in versterkerschakelingen, met name in
worden steeds vaker FET's gebruikt.
Wanneer een FET gebruikt wordt, is vaak sprake van een . Dit is een FET waarin een groot aantal basis-FET's gecombineerd zijn tot één grote FET in een hexagonaal rooster. Deze schakeling maakt het mogelijk dat de FET zich nagenoeg als een 'ideale' FET gedraagt. In volledige geleiding bedraagt de weerstand tussen de source en de drain van een moderne hex-FET vaak slechts enkele honderdste , waardoor de FET grote stromen kan schakelen zonder noemenswaardig warm te worden. FET's worden dan ook wel vaak gebruikt als
of in omvormers.
Zie de categorie
voor mediabestanden over dit onderwerp.
: Verborgen categorie:Waaslandtunnel_ned_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
评价文档：
喜欢此文档的还喜欢
Waaslandtunnel_ned
国​外​业​绩
阅读已结束，如果下载本文需要使用
想免费下载本文？
把文档贴到Blog、BBS或个人站等：
普通尺寸(450*500pix)
较大尺寸(630*500pix)
你可能喜欢